Plaquette de 2 pouces en arséniure de gallium (GaAs) dopé au Zn pour applications LED et diode laser

Aperçu du produit

La plaquette de 2 pouces en arséniure de gallium (GaAs) dopé au Zn est une plaquette semi-conductrice de type p de haute qualité, fabriquée selon la méthode de croissance cristalline par gradient vertical (VGF). Le dopage au zinc fournit des caractéristiques électriques de type p stables et uniformes, permettant des performances fiables dans la fabrication de LED, de diodes laser, de dispositifs optoélectroniques et microélectroniques.

En tant que semi-conducteur III-V à bande interdite directe, le GaAs offre une mobilité élevée des porteurs, une réponse électronique rapide et une excellente efficacité optique. Cette plaquette est fournie avec une orientation cristalline (100), une concentration de porteurs contrôlée, une faible densité de piqûres de gravure et des finitions de surface polies, assurant des performances de processus constantes et un rendement élevé des dispositifs. Un contrôle strict de la planéité, de la courbure, de la déformation et de la contamination particulaire prend en charge le traitement avancé des plaquettes et la croissance épitaxiale utilisant les techniques MBE ou MOCVD.

Avec des plats d'orientation optionnels, des configurations d'encoches et un marquage laser au dos, la plaquette de GaAs dopé au Zn de 2 pouces offre une flexibilité pour différents flux de processus et exigences d'identification. Ses propriétés électriques stables et sa qualité de surface fiable la rendent adaptée aux environnements de recherche et de production en volume dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques et haute fréquence.

Spécifications techniques – Plaquette de GaAs dopé au Zn de 2 pouces

Applications

• Traitement des plaquettes LED

• Fabrication de plaquettes de diodes laser

• Plaquettes de dispositifs optoélectroniques

• Plaquettes électroniques RF et haute fréquence

Questions fréquemment posées

Cette plaquette de GaAs convient-elle à la fabrication de LED et de diodes laser ?
Oui. Les caractéristiques électriques de type p dopées au Zn, combinées à l'orientation (100) et à la concentration de porteurs contrôlée, favorisent l'émission de lumière stable et des performances constantes des dispositifs dans la fabrication de LED et de diodes laser.

Cette plaquette peut-elle être utilisée directement pour la croissance épitaxiale ?
Oui. La plaquette est fournie avec des surfaces polies, une faible contamination particulaire et un contrôle strict de la planéité, ce qui permet une utilisation directe dans les processus de croissance épitaxiale MBE ou MOCVD.

Les spécifications de la plaquette peuvent-elles être personnalisées pour différentes exigences de processus ?
Oui. Des options telles que les plats d'orientation, la configuration des encoches, le marquage laser au dos, la finition de surface et les paramètres électriques sélectionnés peuvent être ajustés sur demande pour répondre aux besoins spécifiques des équipements et des processus.

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