Wafer en saphir de 8 pouces:Al2O3 à cristal unique synthétique personnalisable A/R/M-plan 4N5-5N Haute pureté

Vue d'ensemble du produit

La gaufre en saphir de 8 pouces (200 mm) est un substrat semi-conducteur de grand format fabriqué à partir d'alumine monocristalline synthétique de haute pureté (α-Al2O3).Il sert de substrat de base pour l'épitaxie des LED, les appareils de puissance GaN et les appareils optoélectroniques RF dans l'industrie des semi-conducteurs de troisième génération.et transformés par des procédés de précision, y compris la découpe de plusieurs fils, le lapage et le polissage mécanique chimique.Combinant l'avantage de la production de masse du grand diamètre avec les propriétés intrinsèques du saphir résistance à haute température,l'isolation électrique et la résistance à la corrosion chimique est compatible avec les lignes de production d'épitaxie à grande échelle MOCVD, augmentant efficacement la production de puces et réduisant le coût de fabrication unitaire, ce qui en fait un matériau de base essentiel dans les domaines de l'optoélectronique et des semi-conducteurs haut de gamme.

Caractéristiques techniques essentielles

Compatibilité de la production de masse à grande échelle

Avec un grand diamètre de 200 mm (8 pouces), la surface épitaxielle efficace par wafer est 4 fois plus grande que celle des wafers de 4 pouces.Il est compatible avec les équipements MOCVD à grande échelle tels que les réacteurs à 12 plaquettesIl répond aux exigences de production de masse des mini/micro LED et des appareils d'alimentation.

Système de matériaux monocristallins de haute pureté

Fabriqués à partir de matières premières d'alumine de haute pureté de qualité 4N5 à 5N (99,995% à 99,999%)il présente une structure monocristalline hexagonale α-phase avec une faible densité de dislocation et une excellente intégrité cristalline, exempte de sécrétion d'impuretés et de défauts de treillis, assurant l'uniformité de la croissance du film épitaxial et du rendement du dispositif.

Excellente stabilité thermique
Avec un point de fusion de 2050°C, la structure cristalline reste stable dans l'environnement d'épitaxie MOCVD à haute température de 1000~1200°C.Il a un faible coefficient de dilatation thermique et une déformation minimale de la page de déformation lors de processus à haute température, et peut résister à plusieurs cycles à haute température pour assurer la cohérence de la croissance de la couche épitaxienne.

Excellente isolation électrique et propriétés diélectriques
Le saphir intrinsèque de haute pureté a une excellente isolation électrique avec une résistivité à température ambiante supérieure à 1014 Ω·cm et une faible perte diélectrique.Il permet une isolation électrique efficace entre les appareils, supprime les fuites et les interférences de signal dans des conditions de haute tension et répond aux exigences de performance des appareils de puissance GaN haute tension et des appareils RF.

Machining de surface de haute précision au niveau épitaxial
La surface épitaxielle est traitée par polissage chimique mécanique (CMP) avec une rugosité de surface Ra ≤ 0,2 nm,atteindre une planéité au niveau atomiqueLa variation totale de l'épaisseur (TTV), l'arc et la déformation sont strictement contrôlés, répondant pleinement aux exigences de surface pour la croissance épitaxielle du GaN MOCVD.

Forte résistance chimique et au plasma
Le saphir a une inerté chimique extrêmement forte, insoluble dans la plupart des solutions acides et alcalines à température ambiante.Il peut résister à des environnements de processus difficiles tels que la gravure au plasma et le nettoyage à l'humidité dans la fabrication de semi-conducteurs, avec un minimum de dommages par corrosion et de contamination par les particules à la surface, assurant la propreté du procédé et la fiabilité du dispositif.

Polymorphisme et support de paramètres personnalisés

L'orientation du plan C (0001) est fournie en standard, tandis que des orientations spéciales, y compris le plan A, le plan R et le plan M, sont également disponibles, avec des spécifications hors angle personnalisables.Paramètres tels que l'épaisseur, le châssis de bord et le plan/encoche peuvent être personnalisés selon les exigences du client, en s'adaptant aux différents processus de l'appareil et aux spécifications de l'équipement.

Haute résistance mécanique et compatibilité avec le post-traitement

Avec une dureté de Mohs de 9, elle est la deuxième après le diamant, elle a une excellente rigidité mécanique et une résistance à la flexion.Formage et métallisation PSS sans éclaboussure ni fissuration des bords, s'adaptant à diverses solutions de processus de dispositifs.

Spécifications standard

Applications typiques

1. Domaine optoélectronique: croissance épitaxielle des LED bleu/vert/UV, fabrication de puces d'affichage mini/micro LED, lignes de production de puces d'éclairage à haut rendement
2. champ de semi-conducteurs de puissance: substrat épitaxial pour appareils électriques à haute tension à base de GaN, puces à charge rapide, appareils électroniques de puissance automobile
3. RF et champ microélectronique: Circuits intégrés RF au silicium sur saphir (SOS), substrats de dispositifs à micro-ondes à haute fréquence
4. Champ optique et de détection: fenêtres optiques de haute précision, dispositifs de détection infrarouge, substrats de capteurs MEMS
5. champ spécial des semi-conducteurs: appareils électroniques à haute température, composants électroniques aérospatiaux résistants aux rayonnements

Contrôle de la qualité

Un système de contrôle de la qualité de niveau semi-conducteur est mis en œuvre tout au long du processus.et un certificat complet d'analyse (COA) peut être fourniLes éléments d'inspection comprennent l'inspection de l'exactitude dimensionnelle, la vérification de l'écart d'orientation cristalline, les essais de planéité et de rugosité de surface, le dépistage des défauts visuels (égratignures, fosses,déchiquetage des bords), des essais de propreté et des vérifications de l'étanchéité des emballages, assurant la cohérence des paramètres du produit et la fiabilité du processus.

Questions fréquentes

Quelle est la différence fondamentale entre les gaufres de saphir de 8 pouces et les gaufres de 4/6 pouces?           

La plaquette de 8 pouces offre une surface épitaxielle utilisable beaucoup plus grande, environ 4 fois celle d'une plaquette de 4 pouces et 1,8 fois celle d'une plaquette de 6 pouces.augmente la production de puces par lot et réduit le coût de la puce par unitéIl est mieux adapté aux lignes de production de masse de mini/micro LED et de dispositifs de puissance GaN haute tension, tandis que les plaquettes de 4/6 pouces sont plus courantes pour la R&D et la production de petits à moyens volumes.

L'épaisseur des gaufres en saphir de 8 pouces peut-elle être personnalisée?
Les options d'épaisseur standard comprennent 650 μm, 800 μm et 1000 μm, et des spécifications d'épaisseur personnalisées peuvent être fabriquées pour répondre aux exigences du processus du client.Les paramètres de la flèche et de la déformation sont strictement contrôlés pour toutes les options d'épaisseur afin de garantir la planéité et la compatibilité du processus.

Offrez-vous d'autres orientations de cristal que le plan C (0001), et le décalage peut-il être réglé?
Oui, en plus du plan C standard pour l'épitaxie des LED GaN, des orientations A-plan, R-plan et M-plan sont disponibles pour les appareils RF SOS, les appareils GaN non polaires et les applications optiques spéciales.L'angle décalé précis peut également être personnalisé selon les dessins du client ou les besoins du processus épitaxial pour optimiser la qualité du film épitaxial.

Peut-on appliquer des traitements supplémentaires tels que le motifage PSS ou la métallisation aux plaquettes?
Oui, des services à valeur ajoutée tels que le modèle PSS/NPSS, la métallisation arrière complète ou localisée, le camouflage de précision des bords et l'amincissement des plaquettes ultra-minces sont disponibles.La faisabilité dépend des dimensions du motif, les matériaux de revêtement, l'épaisseur de la gaufre et la résistance mécanique requise.

Soutiens-tu les commandes de petits lots de prototypes pour des plaquettes de saphir de 8 pouces?
Oui, les quantités de prototypes, les lots d'essai en laboratoire et les commandes de remplacement de maintenance sont acceptables.difficulté de traitement et qualité requise.

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