Sic Tray:Stabilité à haute température Conductivité thermique uniforme Excellente résistance aux chocs thermiques

Présentation du produit
   SiC Tray (Silicon Carbide Tray) est un composant de roulement haute performance haute température fabriqué en céramique technique de carbure de silicium polycristallin, fabriqué via des processus de frittage avancés, notamment les technologies Reaction Bonded (RBSiC), Recristallized (RSiC) et Silicon Nitride Bonded (N-SiC).En tant qu'alternative améliorée aux plateaux traditionnels en céramique d'alumine et aux plateaux en quartz fondu, il présente une résistance exceptionnelle aux hautes températures, une excellente stabilité aux chocs thermiques, une conductivité thermique uniforme et une longue durée de vie. Il est largement utilisé comme plaque de support et de pose dans les processus de frittage, de recuit et de traitement thermique à haute température dans les industries des semi-conducteurs, de la céramique électronique, des nouvelles énergies et des fours industriels. Des formes, structures et qualités de précision personnalisées sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques du processus.

Caractéristiques techniques de base

1. Résistance aux températures ultra élevées et aux chocs thermiques
   Disponible en plusieurs qualités de matériaux, avec une température de travail à long terme allant de 1 400 ℃ à 1 700 ℃. Le coefficient de dilatation thermique extrêmement faible garantit l'absence de fissures en cas de cycles de température rapides et de chocs thermiques sévères, maintenant ainsi l'intégrité structurelle après des cycles de chauffage et de refroidissement répétés.
2. Conductivité thermique uniforme et élevée
   La conductivité thermique élevée (20 à 120 W/m·K par grade) permet un transfert de chaleur rapide et uniforme sur toute la surface du plateau, garantissant une répartition constante de la température pour les pièces, améliorant efficacement l'uniformité du frittage et le rendement du produit.
3. Haute résistance mécanique et résistance à l'usure
   Une résistance élevée à la flexion (250 à 450 MPa par grade) et une excellente résistance à l'usure permettent de supporter des charges lourdes et une résistance à l'érosion à long terme. La structure reste dimensionnellement stable sous haute température et sous chargement par empilement, sans déformation ni affaissement.
4. Excellente inertie chimique et faible contamination
   Très résistant à la plupart des acides, alcalis et atmosphères corrosives à haute température. La structure céramique dense ne génère aucune perte de particules et ne libère aucune impureté à haute température, évitant ainsi la contamination des pièces traitées, ce qui répond aux exigences de propreté des processus de semi-conducteurs et de céramique électronique.
5. Conception légère et empilable
   Une résistance spécifique élevée permet une conception de structure plus fine et plus légère pour la même capacité de charge. La structure empilable réduit l'espace occupé dans le four, améliore la capacité de traitement d'un seul lot et réduit la consommation d'énergie de production.
    

Structure et précision personnalisables
Prend en charge les profils ronds, carrés, rectangulaires et de forme spéciale. Les structures optionnelles incluent des plaques plates, à bords surélevés, rainurées, avec trous/rainures de positionnement et des types étagés multicouches. L'usinage de précision est disponible pour répondre aux exigences élevées de planéité des processus de semi-conducteurs.

Spécifications standards

Applications typiques
1.Fabrication de semi-conducteurs
Utilisé comme support de tranche pour les tranches de silicium, les tranches de saphir et les substrats SiC dans les processus à haute température, notamment le recuit, l'oxydation, la diffusion et le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), garantissant un positionnement stable des tranches et un chauffage uniforme.
2.Industrie de la céramique électronique
Support de frittage pour MLCC (condensateurs céramiques multicouches), substrats céramiques, céramiques piézoélectriques, matériaux magnétiques en ferrite et composants diélectriques, améliorant la cohérence du frittage et réduisant la déformation des produits.
3.Nouvelle énergie et batterie au lithium
Plateau de traitement thermique et de frittage pour les matériaux de cathode/anode de batterie au lithium, les électrolytes solides et les matériaux de cellules photovoltaïques, avec une excellente résistance à la corrosion alcaline pour la qualité N-SiC.
4.Fours industriels à haute température
Utilisé dans le frittage de la métallurgie des poudres, le traitement thermique des métaux, les expériences sur les matériaux à haute température et les composants de revêtement de four, remplaçant les plateaux traditionnels en alumine et en mullite pour prolonger considérablement la durée de vie.
5.Industrie photovoltaïque
Support pour tranches de silicium monocristallin et tranches de cellules solaires lors des processus de diffusion, de recuit et de revêtement à haute température, prenant en charge la production par lots à haut volume.

Contrôle de qualité

Un système de gestion de la qualité complet du processus est mis en œuvre depuis l'inspection des matières premières jusqu'à la livraison du produit fini, avec des normes d'inspection strictes pour chaque lot de produits.

1.Contrôle des matières premières:
De la poudre de carbure de silicium de haute pureté est utilisée, avec une inspection à l'arrivée de la taille, de la pureté et de la composition des particules pour garantir la cohérence du matériau.
2.Contrôle dimensionnel:
Inspection complète des dimensions extérieures, de l'épaisseur et de la planéité avec des instruments de mesure de haute précision pour garantir le respect des exigences de tolérance.
3.Dépistage de l'apparence et des défauts:
Inspection visuelle à 100 % des fissures, des éclats de bords, des pores et des défauts de surface pour garantir un aspect intact et l'intégrité structurelle.
4.Tests de performances des matériaux:
Tests d'échantillonnage réguliers de la densité, de la résistance à la flexion et des performances à haute température pour vérifier la qualité et la fiabilité des matériaux.
5.Documentation qualité:
Chaque expédition est accompagnée d'un certificat d'analyse (COA) couvrant les principaux indicateurs dimensionnels et de performance, et des rapports de tests tiers sont disponibles sur demande.

FAQ

T1 :Comment choisir la nuance SiC adaptée à mon application ?
A1 :①Choisissez le RBSiC pour le frittage conventionnel sensible aux coûts, les scénarios d'usure mécanique et les températures ≤1400℃
②Choisissez RSiC pour les fours à haute température supérieure à 1 500 ℃, les cycles thermiques sévères et les exigences de longue durée de vie
③ Choisissez N-SiC pour les matériaux de batterie au lithium, le frittage de céramique avec atmosphère alcaline et les exigences de résistance élevées
 

Q2 : Quelles tolérances de planéité et finition de surface pouvez-vous obtenir ?

A2 : ①Qualité brute standard : Planéité ±0,1 mm – ±0,2 mm, surface mate

②Qualité usinée avec précision : Planéité ±0,05 mm, surface finement rectifiée

③Qualité semi-conductrice de haute précision : planéité plus serrée et surface polie disponibles sur demande
 

Q3 : Quelle est la température de fonctionnement continue maximale des plateaux SiC ?

A3 :Cela dépend de la qualité du matériau :
①RBSiC : 1 400 ℃ utilisation continue à long terme

②RSiC : jusqu'à 1 650 ℃ à long terme, idéal pour les fours à ultra haute température

③N-SiC : jusqu'à 1 550 ℃ avec une excellente résistance à la corrosion alcaline. La température maximale à court terme peut être légèrement plus élevée, mais une surchauffe prolongée réduira la durée de vie.
 

Q4 : Les plateaux SiC peuvent-ils être empilés dans le four ? Vont-ils se déformer sous charge ?

A4 :Oui, des modèles empilables sont disponibles. Les céramiques SiC ont une résistance élevée à la flexion (250-450 MPa) et une rigidité à haute température. Avec une conception d'épaisseur appropriée, ils maintiennent la stabilité dimensionnelle sous charge empilée à haute température sans affaissement ni déformation.
 

Q5 : Acceptez-vous des exemples de commandes ? Quel est le MOQ ?

A5 :Oui, des exemples de commandes sont disponibles pour les plateaux de taille standard afin de vérifier les performances. Pour les produits standard, un faible MOQ est pris en charge. Pour les tailles personnalisées et les structures spéciales, le MOQ dépend de la complexité, veuillez contacter notre équipe commerciale pour plus de détails.
 

Q6 : Quel est le délai de livraison typique pour les plateaux SiC ?

A6 :Les articles en stock standard peuvent être expédiés sous 3 à 7 jours ouvrables. Les tailles standard usinées sur mesure prennent 10 à 20 jours ouvrables. Les formes personnalisées spéciales et les commandes groupées importantes nécessitent 20 à 35 jours ouvrables, sous réserve de la quantité commandée et de la complexité de la structure.

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