Détails des produits

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Sic Tray：Ultra-high temperature resistance Uniform heat conduction Excellent thermal shock resistance

Nom De Marque:	ZMSH
Numéro De Modèle:	Plateau Sic
MOQ:	25
Prix:	Fluctuates with market
Délai De Livraison:	4-9 semaines
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shanghai, Chine

Matériau:

SiC lié par réaction (RBSiC) / SiC recristallisé (RSiC)

Forme:

Rond / Carré / Rectangulaire / Personnalisable

Température de travail maximale:

1400℃ – 1700℃ (par qualité de matériau)

Finition de surface:

Mat tel que cuit / Meulé fin / Usiné avec précision

Application:

Recuit de tranche de semi-conducteur/frittage en céramique/four à hautes températures

Structure:

Assiette Plate / À Bord Surélevé / Rainurée / Empilable

Description de produit

Product Overview SiC Tray (Silicon Carbide Tray) is a high-performance high-temperature bearing component made of polycrystalline silicon carbide engineering ceramic, manufactured via advanced sintering processes including Reaction Bonded (RBSiC), Recrystallized (RSiC) and Silicon Nitride Bonded (N-SiC) technologies. As an upgraded alternative to traditional alumina ceramic trays and fused quartz trays, it features outstanding high-temperature resistance, excellent thermal

Étiquettes:

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de silicium d'IC

Le fil a vu la machine

Saphir synthétique Rod

Plat de quartz fondu

Pièces de saphir

Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de phosphure d'indium

substrat en céramique

Emballage de laboratoire

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de GaAs