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Puce SiC à substrat rectangulaire en carbure de silicium pour l'électronique avancée

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December 09, 2025
Catégorie Connexion: Sic substrat
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#sic gaufrette #sic substrat #substrat de carbure de silicium
Dossier: Nous montrons les étapes pratiques et les résultats afin que vous puissiez juger de l'adéquation rapidement.de la croissance des cristaux à la fin du polissageVous verrez comment ces substrats semi-conducteurs avancés sont fabriqués pour l'électronique de haute puissance, les appareils RF et les applications optoélectroniques.
Caractéristiques Du Produit Connexes:
  • Disponible en polytypes 4H-SiC et 6H-SiC pour l'électronique de puissance haute tension et les applications RF.
  • Dispose d'une large bande interdite de 3,2 à 3,3 eV pour une tension de claquage et une efficacité élevées.
  • Une excellente conductivité thermique (3,0-4,9 W/cm*K) assure une dissipation thermique supérieure.
  • Haute résistance mécanique avec une dureté Mohs de ~9,2 pour une durabilité dans les environnements difficiles.
  • Dimensions et épaisseur personnalisables (330-500 μm) pour répondre aux besoins spécifiques des applications.
  • Disponible avec des options de dopage de type N ou de type P pour des performances électriques sur mesure.
  • Finition de surface polie simple ou double face, y compris les options épi-ready.
  • Idéal pour l'électronique de puissance, les appareils RF, l'optoélectronique et les applications aérospatiales.
FAQ:
  • Pourquoi choisir des substrats SiC plutôt que du silicium traditionnel ?
    Le SiC offre des performances thermiques supérieures, une résistance au claquage plus élevée et des pertes de commutation nettement inférieures à celles du silicium, ce qui le rend idéal pour les applications à haut rendement et haute puissance.
  • Ces substrats peuvent-ils être dotés de couches épitaxiales ?
    Oui, nous proposons des options d'épitaxie prêtes à l'emploi et personnalisées pour les applications de dispositifs haute puissance, RF ou optoélectroniques.
  • Pouvez-vous personnaliser les dimensions et le dopage ?
    Absolument. Des tailles personnalisées, des profils de dopage et des traitements de surface sont disponibles pour répondre aux besoins spécifiques des applications.
  • Comment les substrats SiC se comportent-ils dans des conditions extrêmes ?
    Les substrats SiC conservent leur intégrité structurelle et leur stabilité électrique à des températures supérieures à 600 °C, ce qui les rend adaptés aux environnements difficiles tels que l'aérospatiale, la défense et les applications industrielles de haute puissance.
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