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Plaquette d'arséniure de gallium (GaAs) dopé au zinc de 2 pouces pour les applications de LED et de diodes laser

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December 29, 2025
Catégorie Connexion: Gaufrette de GaAs
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#gaufrette d'arséniure d'indium #gaufrette de GaAs #substrat laalo3
Dossier: Vous vous demandez comment ce matériau semi-conducteur haute performance se compare aux autres options ? Dans cette vidéo, nous proposons une présentation détaillée de la plaquette d'arséniure de gallium (GaAs) dopé au Zn de 2 pouces, présentant ses principales caractéristiques et son processus de fabrication. Vous verrez comment sa méthode de croissance cristalline VGF et son dopage au zinc offrent des propriétés stables de type p, ce qui le rend idéal pour la fabrication de LED, de diodes laser et de dispositifs optoélectroniques. Nous démontrerons également les surfaces polies de la plaquette, les options d'orientation et les contrôles de qualité qui garantissent des performances fiables dans les environnements de recherche et de production.
Caractéristiques Du Produit Connexes:
  • Fabriqué selon la méthode de croissance cristalline Vertical Gradient Freeze (VGF) pour une structure cristalline de haute qualité.
  • Le dopage au zinc fournit des caractéristiques électriques de type P stables et uniformes pour des performances fiables du dispositif.
  • Comprend une orientation des cristaux (100) avec des options de désorientation de 2°, 6° ou 15° (110).
  • Offre une concentration contrôlée de porteurs allant de (0,3 à 1,0) × 10¹⁸ cm⁻³ pour des propriétés électriques constantes.
  • Fournit une faible densité de piqûres de gravure de ≤ 5 000 cm⁻² et une mobilité Hall élevée de 1 500 à 3 000 cm²/V*s.
  • Comprend des finitions de surface polies (P/P ou P/E) avec un contrôle strict de la planéité, de l'arc et de la déformation pour un traitement avancé.
  • Prend en charge les plats d'orientation en option, les configurations d'encoches et le marquage laser au dos pour une identification flexible.
  • Convient pour une utilisation directe dans les processus de croissance épitaxiale MBE ou MOCVD avec une faible contamination par les particules.
FAQ:
  • Cette plaquette GaAs est-elle adaptée à la fabrication de LED et de diodes laser ?
    Oui. Les caractéristiques électriques de type p dopé au Zn, combinées à une orientation (100) et à une concentration contrôlée des porteurs, prennent en charge une émission de lumière stable et des performances constantes des dispositifs dans la fabrication de LED et de diodes laser.
  • Cette plaquette peut-elle être utilisée directement pour la croissance épitaxiale ?
    Oui. La plaquette est fournie avec des surfaces polies, une faible contamination par les particules et un contrôle strict de la planéité, permettant une utilisation directe dans les processus de croissance épitaxiale MBE ou MOCVD.
  • Les spécifications des plaquettes peuvent-elles être personnalisées pour différentes exigences de processus ?
    Oui. Les options telles que les méplats d'orientation, la configuration des encoches, le marquage laser au dos, la finition de surface et les paramètres électriques sélectionnés peuvent être ajustées sur demande pour répondre aux besoins spécifiques de l'équipement et du processus.
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