Détails de produit
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: Substrat SiC
Conditions de paiement et d'expédition
Packaging Details: customzied plastic box
Délai de livraison: 2 à 4 semaines
Payment Terms: T/T
Surface: |
Si-face CMP ; Face C Mp ; |
Voltage de rupture: |
5,5 MV/cm |
Densité: |
3.21 G/cm3 |
Conductivité thermique: |
4,9 W/mK |
Constante diélectrique: |
9,7 |
Résistance: |
0,015 ~ 0,028 ohm.cm ; Ou >1E7ohm.cm ; |
Dureté de surface: |
HT0,3>2500 |
Dopant: |
N/A |
Surface: |
Si-face CMP ; Face C Mp ; |
Voltage de rupture: |
5,5 MV/cm |
Densité: |
3.21 G/cm3 |
Conductivité thermique: |
4,9 W/mK |
Constante diélectrique: |
9,7 |
Résistance: |
0,015 ~ 0,028 ohm.cm ; Ou >1E7ohm.cm ; |
Dureté de surface: |
HT0,3>2500 |
Dopant: |
N/A |
L'offre complète de Coherent dans le domaine des plaquettes épitaxales en SiC accélère non seulement le développement de produits, mais réduit également considérablement les coûts de production et améliore les performances globales des dispositifs.d'un diamètre n'excédant pas 200 mm, ces plaquettes sont conçues pour répondre à un large éventail de besoins, de la R & D à la production en série à grande échelle.avec ou sans couches tamponsEn outre, la technologie de Coherent permet d'intégrer des structures complexes telles que des configurations multicouches, des structures de dépistage et des systèmes de dépistage.les jonctions p-nCe niveau de personnalisation garantit que les clients peuvent affiner les propriétés du substrat pour répondre à leurs besoins exacts,en optimisant ainsi la fonctionnalité et l'efficacité de l'appareilEn outre, l'engagement de Coherent à soutenir ses clients depuis la phase de recherche jusqu'à la production en série démontre une approche solide de partenariat.faciliter une transition plus fluide du prototype aux produits prêts à être commercialisésCette solution holistique permet aux fabricants de semi-conducteurs de rester en avance sur les marchés compétitifs en exploitant des matériaux de haute performance conçus pour les technologies futures.
| Pésification | Valeur |
| Nom du produit | Substrate à base de SiC |
| Voltage de rupture | 5.5 MV/cm |
| Résistance à la traction | > 400 MPa |
| Coefficient de dilatation thermique | 4.5 X 10-6/K |
| Constante diélectrique | 9.7 |
| Surface | Si-face CMP; C-face Mp |
Applications:
Les substrats de carbure de silicium (SiC), en particulier ceux de plus gros diamètres comme 6 pouces et 8 pouces, sont de plus en plus essentiels dans l'industrie des semi-conducteurs,spécialement pour les applications nécessitant des couches épitaxiennesCes substrats sont connus pour leurs excellentes propriétés matérielles, notamment une conductivité thermique élevée, une excellente isolation électrique et une résistance mécanique supérieure.Les substrats SiC de plus grand diamètre facilitent des rendements plus élevés dans la fabrication de dispositifs, ce qui les rend très efficaces pour la production à grande échelle.
La préparation épitaxienne sur SiC consiste à déposer une couche cristalline de carbure de silicium sur le substrat SiC pour former un cristal unique structurellement et chimiquement cohérent.Ce processus est essentiel pour les applications en électronique de puissance et en optoélectronique, où les performances du dispositif sont considérablement améliorées par la qualité de la couche épitaxienne.L'utilisation de la technologie de découpe laser dans la préparation de ces substrats garantit des dimensions précises et un gaspillage minimal de matériaux, améliorant l'efficacité globale du processus de fabrication.
Chaque substrat en carbure de silicium (SiC) de 6 pouces et 8 pouces est emballé individuellement avec le plus grand soin pour assurer une protection maximale.Le processus commence par un nettoyage et une inspection minutieux pour garantir que seuls les substrats sans défaut sont emballés.Chaque substrat est ensuite enveloppé dans un matériau antistatique pour se protéger contre les rayures et les dommages statiques.contenant rigide conçu pour minimiser les mouvements et prévenir tout dommage physiqueCe récipient est ensuite rembourré avec de la mousse ou du papier mousseux dans une boîte secondaire, qui est bien scellée et clairement étiquetée avec les informations essentielles de manutention et de contenu.Pour les substrats sensibles aux conditions environnementales, des mesures telles que des paquets de gel de silice sont ajoutés pour contrôler l'humidité, assurant que les substrats de SiC arrivent dans un état optimal, prêts pour des applications de haute précision dans la fabrication de semi-conducteurs.
Le produit à base de SiC sera expédié par un service de messagerie de bonne réputation, le mode d'expédition dépendant de l'emplacement et des préférences du client.Les clients recevront un numéro de suivi pour suivre l'avancement de leur expédition.Les délais de livraison varient selon la destination, mais les clients peuvent s'attendre à ce que leur commande arrive dans les 7 à 10 jours ouvrables.
