Wafer en carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Utilisation industrielle Avec une rugosité de surface ≤ 0,2 nm

Wafer en carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Utilisation industrielle Avec une rugosité de surface ≤ 0,2 nm

Description du produit

ZMSH est devenue le principal fabricant et fournisseur de plaques de substrat en SiC (carbure de silicium).Nous sommes fiers d'offrir les prix les plus compétitifs sur le marché pour les plaquettes de substrat SiC de 2 et 3 pouces., offrant aux clients une valeur exceptionnelle.

Les plaquettes de substrat SiC trouvent des applications dans un large éventail de conceptions de dispositifs électroniques, en particulier dans les produits nécessitant une puissance élevée et des capacités de haute fréquence.Ces plaquettes jouent un rôle crucial dans le développement de systèmes électroniques avancés et efficaces.

En outre, les plaquettes de substrat SiC sont largement utilisées dans le domaine de la technologie LED (diode électroluminescente).Les LED sont des dispositifs semi-conducteurs qui génèrent une lumière à faible chaleur et à faible consommation d'énergie en combinant des électrons et des trousLes plaquettes de substrat SiC contribuent de manière significative aux performances et à la fiabilité des LED, ce qui en fait un composant essentiel dans l'industrie des LED.

Chez ZMSH, nous nous engageons à fournir des plaquettes de substrat SiC de haute qualité aux meilleurs prix, répondant aux divers besoins de nos clients dans divers secteurs.

Paramètre du produit

Application du produit

Les plaquettes de carbure de silicium (plaquettes SiC) sont très recherchées pour leur aptitude dans l'électronique automobile, les appareils optoélectroniques et les applications industrielles.Ces plaquettes comprennent à la fois des substrats SiC de type 4H-N et des substrats SiC semi-isolateurs, qui servent de composants essentiels dans une large gamme de dispositifs.

Les substrats SiC de type 4H-N possèdent des propriétés exceptionnelles, y compris un large espace de bande qui permet une commutation de puissance efficace en électronique.Ils présentent une résistance remarquable à l'usure mécanique et à l'oxydation chimique, ce qui les rend idéales pour les applications nécessitant un fonctionnement à haute température et une faible perte de puissance.

Les substrats en SiC semi-isolants offrent une excellente stabilité et une résistance thermique, ce qui les rend bien adaptés à diverses applications optoélectroniques.Leur capacité à maintenir la stabilité dans les appareils à haute puissance est particulièrement précieuseEn outre, les substrats semi-isolants de SiC peuvent être utilisés comme plaquettes liées, jouant un rôle vital dans le développement d'appareils microélectroniques hautes performances.

Les caractéristiques uniques des plaquettes SiC les rendent très polyvalentes pour un large éventail d'applications, en particulier dans les secteurs automobile, optoélectronique et industriel.Les plaquettes de SiC sont des composants indispensables dans le paysage technologique actuel et continuent de gagner en popularité dans diverses industries.

Questions fréquentes

C'est quoi un substrat SiC?

Quelles sont les plaquettes et les substrats au carbure de silicium (SiC)?

Les plaquettes et les substrats en carbure de silicium (SiC) sont des matériaux spécialisés utilisés dans la technologie des semi-conducteurs fabriqués à partir de carbure de silicium, un composé connu pour sa haute conductivité thermique,excellente résistance mécanique, et une large bande.

Un substrat SiC, ou substrat de carbure de silicium, est un matériau cristallin utilisé comme fondement ou base sur lequel sont fabriqués les dispositifs semi-conducteurs.Il est composé d'atomes de silicium et de carbone disposés dans une structure cristallineLes substrats de SiC sont conçus pour avoir des caractéristiques électriques, thermiques,et propriétés mécaniques qui les rendent très adaptés à un large éventail d'applications électroniques et optoélectroniques.

Les substrats SiC offrent plusieurs avantages par rapport aux matériaux semi-conducteurs traditionnels tels que le silicium (Si), notamment:

Large bande passante: Le SiC a une large bande passante, généralement autour de 2,9 à 3,3 électronvolts (eV), ce qui permet la fabrication d'appareils à haute puissance, haute température et haute fréquence.Cette large bande passante permet aux appareils de fonctionner efficacement à des températures et des tensions plus élevées tout en minimisant le courant de fuite.
Haute conductivité thermique: les substrats en SiC ont une excellente conductivité thermique, ce qui permet une dissipation efficace de la chaleur générée pendant le fonctionnement de l'appareil.Cette propriété est essentielle pour maintenir la fiabilité et les performances de l'appareil, en particulier dans les applications à haute puissance et à haute température.
Stabilité chimique: Le SiC est chimiquement stable et résistant à la corrosion, ce qui le rend approprié pour une utilisation dans des environnements difficiles et des processus chimiques réactifs.Cette stabilité assure la fiabilité et la stabilité à long terme du dispositif dans diverses conditions de fonctionnement.
Dureté mécanique: les substrats SiC présentent une dureté et une rigidité mécaniques élevées, ainsi qu'une résistance à l'usure et à la déformation mécaniques.Ces propriétés contribuent à la durabilité et à la longévité des dispositifs fabriqués sur des substrats SiC.
Voltage de rupture élevé: les appareils SiC peuvent résister à des tensions de rupture plus élevées que les appareils à base de silicium,permettant la conception d'appareils électroniques de puissance et de dispositifs haute tension plus robustes et plus fiables.
Haute mobilité électronique: Les substrats SiC ont une grande mobilité électronique, ce qui se traduit par un transport d'électrons plus rapide et des vitesses de commutation plus élevées dans les appareils électroniques.Cette propriété est avantageuse pour les applications nécessitant un fonctionnement à haute fréquence et des vitesses de commutation rapides.

Dans l'ensemble, les substrats SiC jouent un rôle crucial dans le développement de dispositifs semi-conducteurs avancés pour des applications dans l'électronique de puissance, les communications radiofréquences (RF), l'optoélectronique,électronique à haute températureLeur combinaison unique d'énergie électrique, thermique,Les propriétés mécaniques les rendent indispensables pour permettre la prochaine génération de systèmes électroniques et photoniques dans diverses industries..