2 pouces Sic Substrate 6H-N Type épaisseur 350um 650um Sic Wafer

Le substrat monocristallin de carbure de silicium (SiC) de type 6H n est un matériau semi-conducteur essentiel largement utilisé dans les applications électroniques à haute puissance, haute fréquence et haute température.Elle est réputée pour sa structure cristalline hexagonale.Le 6H-N SiC offre une large bande passante et une conductivité thermique élevée, ce qui le rend idéal pour les environnements exigeants.

Le champ électrique de rupture élevée de ce matériau et la mobilité des électrons permettent le développement de dispositifs électroniques de puissance efficaces, tels que les MOSFET et les IGBT,qui peuvent fonctionner à des tensions et températures plus élevées que celles fabriquées à partir de silicium traditionnelSon excellente conductivité thermique assure une dissipation thermique efficace, essentielle pour maintenir les performances et la fiabilité dans les applications à haute puissance.

Dans les applications de radiofréquence (RF), les propriétés du SiC 6H-N soutiennent la création d'appareils capables de fonctionner à des fréquences plus élevées avec une efficacité améliorée.Sa stabilité chimique et sa résistance aux rayonnements le rendent également adapté à une utilisation dans des environnements difficiles., y compris dans les secteurs de l'aérospatiale et de la défense.

En outre, les substrats 6H-N SiC font partie intégrante des appareils optoélectroniques, tels que les photodétecteurs ultraviolets, où leur large bande passante permet une détection efficace de la lumière UV.La combinaison de ces propriétés fait du 6H n-type SiC un matériau polyvalent et indispensable pour faire progresser les technologies électroniques et optoélectroniques modernes..

Wafer au SiCCaractéristiques:

• Nom du produit:SiCLe sous-titremangé
• Structure hexagonale: Propriétés électroniques uniques.
• Mobilité élevée des électrons: ~ 600 cm2/V·s.
• Stabilité chimique: résistant à la corrosion.
• Résistance aux rayonnements: Convient pour les environnements difficiles.
• Faible concentration de porteurs intrinsèques: efficace à haute température.
• Durabilité: Propriétés mécaniques fortes.
• Capacité optoélectronique: Détection efficace de la lumière UV.

Wafer au SiCParamètres techniques:

Wafer au SiCApplications:

Les substrats de SiC (carbure de silicium) sont utilisés dans diverses applications hautes performances en raison de leurs propriétés uniques telles qu'une conductivité thermique élevée, une résistance élevée au champ électrique et une large bande passante.Voici quelques applications:

• Électronique de puissance:

  • MOSFET haute tension
  • Transistors bipolaires à porte isolée (IGBT)
  • Diodes de Schottky
  • Invertisseurs de puissance

• Appareils à haute fréquence:

  • Amplificateurs RF (radiofréquence)
  • Transistors à micro-ondes
  • Dispositifs à ondes millimétriques

• Électronique à haute température:

  • Capteurs et circuits pour environnements difficiles
  • électronique aérospatiale
  • Électronique automobile (par exemple, unités de commande de moteur)

• Optoélectronique:

  • Les appareils pour la fabrication des produits de la sous-culture sont également utilisés.
  • Diodes électroluminescentes
  • Diodes laser

• Systèmes d'énergie renouvelable:

  • Invertisseurs solaires
  • Convertisseurs d'éoliennes
  • Moteurs de véhicules électriques

• Industrie et défense:

  • Systèmes radar
  • Communication par satellite
  • Instrumentation des réacteurs nucléaires

Wafer au SiCPersonnalisation:

Nous pouvons personnaliser la taille du substrat SiC pour répondre à vos exigences spécifiques.

Le prix est déterminé par le cas, et les détails de l'emballage peuvent être personnalisés selon vos préférences.

Nous acceptons le paiement par T/T.

Wafer au SiCAssistance et services:

Notre produit SiC Substrate est livré avec un support technique et des services complets pour assurer des performances optimales et la satisfaction du client.

Notre équipe d'experts est disponible pour vous aider dans la sélection, l'installation et le dépannage des produits.

Nous offrons une formation et une éducation sur l'utilisation et la maintenance de nos produits pour aider nos clients à maximiser leur investissement.

En outre, nous fournissons des mises à jour et des améliorations de produits en cours pour garantir à nos clients un accès constant aux dernières technologies.

Wafer au SiCFAQ:

Q: Les substrats SiC 6H-N de 2 pouces peuvent-ils être utilisés pour tous les types de dispositifs semi-conducteurs?

R: Bien que les substrats SiC 6H-N de 2 pouces soient polyvalents, ils conviennent particulièrement bien aux appareils à haute puissance et à haute fréquence.

Ils peuvent ne pas être idéaux pour tous les types de dispositifs semi-conducteurs, en particulier ceux qui ne nécessitent pas les propriétés uniques du SiC.

Q: Quelles sont les dimensions et les spécifications typiques d'un substrat SiC 6H-N de 2 pouces?

R: Les dimensions typiques comprennent un diamètre de 50,8 mm, une épaisseur d'environ 300 à 500 micromètres et des exigences spécifiques en matière de qualité et de planéité de la surface.

Les spécifications exactes peuvent varier selon le fabricant et l'application prévue.

Q: Comment gérez-vous et stockez-vous des substrats SiC 6H-N de 2 pouces?

R: En raison de leur fragilité, les substrats de SiC doivent être manipulés avec précaution à l'aide de gants de salle blanche et d'outils de manutention appropriés.

Ils doivent être conservés dans un environnement contrôlé pour éviter la contamination et les dommages.