Détails de produit
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Certification: rohs
Numéro de modèle: Substrate de saphir à motifs (PSS)
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 25
Prix: by case
Détails d'emballage: paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Délai de livraison: 2-4weeks
Conditions de paiement: T/T
Item:: |
Patterned Sapphire Substrate |
Size:: |
2inch, 4inch, 6inch |
Front Surface Finish:: |
Patterned |
Back Surface Finish:: |
SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm |
Laser Mark:: |
Back side |
Edge Exclusion:: |
≤2 mm |
Customization:: |
Sapphire PSS of various orientations; Nanometer patterned sapphire substrate(NPSS) |
Application:: |
Light Emitting Diodes (LEDs) |
Item:: |
Patterned Sapphire Substrate |
Size:: |
2inch, 4inch, 6inch |
Front Surface Finish:: |
Patterned |
Back Surface Finish:: |
SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm |
Laser Mark:: |
Back side |
Edge Exclusion:: |
≤2 mm |
Customization:: |
Sapphire PSS of various orientations; Nanometer patterned sapphire substrate(NPSS) |
Application:: |
Light Emitting Diodes (LEDs) |
Le substrat de saphir à motifs (PSS) est un substrat sur lequel des structures micro et nano sont formées par des techniques de lithographie et de gravure.Il est principalement utilisé dans la fabrication de LED (diodes électroluminescentes) pour améliorer l'efficacité d'extraction de la lumière grâce à la conception de motifs de surface, améliorant ainsi la luminosité et les performances des LED.
Le substrat de saphir est un procédé de fabrication d'un motif micrométrique spécifique comme un dôme, un cône ou une pyramide sur le substrat de saphir.Les motifs inégaux sur les substrats de saphir peuvent générer une diffusion ou une réfraction de la lumière, améliorant ainsi l'efficacité lumineuse.
Structure cristalline |
D'une hauteur inférieure ou égale |
Constante de la grille |
a=4,76Å c=12,99Å |
Densité (g/cm)3) |
3.98 |
Point de fusion ((°C) |
2040 |
La dureté de Mohs |
9 |
Constante diélectrique |
9.3 (un plan) 11.5 (un plan C) |
Conductivité thermique ((W/cm.K) |
0.46 |
Expansion thermique |
6.7*10- 6/k ((C plan) 5,0*10- 6Un avion. |
Indice de réfraction |
1.762-1. Je vous en prie.777 |
Transmission |
Échantillon d'essai: Saphir:D76,2*4 mm |
UV:200 à 380 nm 74 à 84% |
|
Lumière visible: 380 à 760 nm 85% |
|
Infrarouge:760 à 1000 nm 85% |
|
Infrarouge lointain:> 1000 nm 80% à 100% |
- Caractéristiques du matériau:Le matériau de substrat est le saphir monocristallin (Al2O3), qui présente une dureté élevée, une résistance élevée à la chaleur et une stabilité chimique.
- Structure de la surface:La surface est lithographiée et gravée pour former des structures périodiques de micro-nanos, telles que des cônes, des pyramides ou des tableaux hexagonales.
- Propriétés optiques:Grâce à la conception de la surface, la réflexion totale de la lumière à l'interface est réduite et l'efficacité de l'extraction de la lumière est améliorée.
- Performance thermique:Le substrat de saphir a une excellente conductivité thermique et convient aux applications de LED à haute puissance.
- Spécification de la taille:Les tailles les plus courantes sont de 2 pouces (50,8 mm), de 4 pouces (100 mm) et de 6 pouces (150 mm).
Nom de l'article |
Substrate en saphir à motifs |
||
Diamètre |
50.8 ± 0,1 mm |
100.0 ± 0,2 mm |
1500,0 ± 0,3 mm |
Épaisseur |
430 ± 25 μm |
650 ± 25 μm |
1000 ± 25 μm |
Orientation de la surface |
Le plan C (0001) est décalé vers l'axe M (10-10) 0,2 ± 0,1° |
||
Plan C (0001) hors angle vers l'axe A (11-20) 0 ± 0,1° |
|||
L'orientation principale est plate |
Le point de départ est le point de départ de l'appareil. |
||
Longueur plate primaire |
16.0 ± 1,0 mm |
30.0 ± 1,0 mm |
47.5 ± 2,0 mm |
R-Plane |
Il est 9 h. |
||
Finition de surface avant |
À motifs |
||
Finition de surface arrière |
Les résultats de l'analyse de l'efficacité de la méthode de dépistage de l'acide chlorhydrique sont les suivants: |
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Marque au laser |
À l'arrière |
||
TTV |
≤ 8 μm |
≤ 10 μm |
≤ 20 μm |
- Je vous en prie. |
≤ 10 μm |
≤ 15 μm |
≤ 25 μm |
Le WARP |
≤ 12 μm |
≤ 20 μm |
≤ 30 μm |
Exclusion des bords |
≤ 2 mm |
||
Spécification du modèle |
Structure de la forme |
Coupole, cône, pyramide |
|
Hauteur du modèle |
10,6 à 1,8 μm |
||
Diamètre du modèle |
20,75 à 2,85 μm |
||
Espace de motifs |
0.1 à 0,3 μm |
Spécifications de personnalisation:
* Substrate de saphir à motif nanométrique (NPSS).
* PSS en saphir de différentes orientations.
· Mettre en évidence l'efficacité de l'extraction:La conception de la surface réduit les pertes lumineuses et améliore considérablement l'efficacité lumineuse des LED.
· Excellentes propriétés du matériau:Le substrat de saphir a une dureté élevée, une résistance à haute température et une stabilité chimique, ce qui le rend adapté à des environnements de processus difficiles.
· Une forte compatibilité:Une correspondance élevée du réseau avec la couche d'épitaxie GaN (nitrure de gallium), adaptée à une croissance d'épitaxie de haute qualité.
· Longue durée de vie et fiabilité élevée:Le substrat en saphir est résistant à l'usure et à la corrosion, ce qui prolonge la durée de vie de l'appareil.
· Protection de l'environnement et économie d'énergie:Améliorer l'efficacité des LED, réduire la consommation d'énergie, conformément à la tendance de la fabrication verte.
1.Q: Quel rôle le substrat de saphir moulé (PSS) joue-t-il dans la fabrication de LED?
R: Le PSS réduit la perte de lumière à travers la structure micro-nanométrique de la surface et améliore l'efficacité d'extraction de la lumière, améliorant ainsi de manière significative la luminosité et l'efficacité lumineuse des LED.
2Q: Quels sont les avantages du substrat de saphir moulé (PSS)?
R: Le PSS a un haut rendement d'extraction de la lumière, une excellente résistance à la chaleur et une bonne stabilité chimique, et une bonne compatibilité avec la couche épitaxielle GaN, adaptée à la fabrication de LED haute performance.
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