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Forneau de recuit rapide à double cavité semi-conducteur automatique compatible avec les équipements de traitement thermique des plaquettes de 6 pouces 8 pouces 12 pouces 200-1300 °C

Détails de produit

Place of Origin: CHINA

Nom de marque: ZMSH

Certification: rohs

Model Number: Automatic double cavity fast annealing furnace

Conditions de paiement et d'expédition

Minimum Order Quantity: 1

Prix: by case

Payment Terms: T/T

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Mettre en évidence:
Temperature range::
1300℃
Heating rate::
Up to 100°C/ s
Degree of automation::
Fully automatic control system
Application::
SIC,GaN and other third generation semiconductor field
Temperature range::
1300℃
Heating rate::
Up to 100°C/ s
Degree of automation::
Fully automatic control system
Application::
SIC,GaN and other third generation semiconductor field
Forneau de recuit rapide à double cavité semi-conducteur automatique compatible avec les équipements de traitement thermique des plaquettes de 6 pouces 8 pouces 12 pouces 200-1300 °C

Forneau de recuit rapide à double cavité semi-conducteur automatique compatible avec les équipements de traitement thermique des plaquettes de 6 pouces 8 pouces 12 pouces 200-1300 °C 0

Description du produit

 

 

Un four de recuit rapide à double cavité automatique compatible avec les équipements de traitement thermique des plaquettes de 6 pouces, 8 pouces et 12 pouces à 200 à 1300 °C.

 

 

Le four à recuit rapide à double chambre automatique est un équipement de traitement thermique de haute précision conçu pour les matériaux semi-conducteurs,qui utilise une structure à double chambre pour obtenir un processus de chauffage et de refroidissement rapide efficace et uniformeDans l'industrie des matériaux semi-conducteurs, l'appareil est principalement utilisé pour les procédés de traitement thermique des plaquettes, des semi-conducteurs composés (tels que GaN, SiC) et des matériaux à film mince,optimisation des propriétés électriques et structurelles des matériaux grâce à un contrôle précis de la température et du temps, améliorant les performances et le rendement des appareils.

 

 


 

Caractéristiques du matériel

 

Forneau de recuit rapide à double cavité semi-conducteur automatique compatible avec les équipements de traitement thermique des plaquettes de 6 pouces 8 pouces 12 pouces 200-1300 °C 1
1.Plage de température:température ambiante à 1300°C (une température plus élevée peut être personnalisée).

 

2.Taux de chauffage:jusqu'à 100°C/s.

 

3.Nombre de chambres:Conception à double chambre, support de traitement parallèle, amélioration de l'efficacité de la production.

 

4.Contrôle de l'atmosphère:Soutenir l'azote, l'argon, l'hydrogène et d'autres atmosphères pour répondre aux différentes exigences du procédé.

 

5.Uniformité:Uniformité du champ de température ≤ ± 1°C pour assurer l'uniformité du traitement du matériau.

 

6.Niveau d'automatisation:Système de commande automatique, paramètre de processus de support prédéfini et surveillance à distance.

 

 


 

Application principale du procédé

 

Forneau de recuit rapide à double cavité semi-conducteur automatique compatible avec les équipements de traitement thermique des plaquettes de 6 pouces 8 pouces 12 pouces 200-1300 °C 2
· Les semi-conducteurs à base de silicium:Utilisé pour le recuit thermique rapide (RTA) des plaquettes de silicium pour activer les ions dopés et réparer les défauts de réseau.

 

· Composé de semi-conducteurs:Il convient au traitement thermique du GaN, du SiC et d'autres matériaux semi-conducteurs à large bande pour améliorer la qualité des cristaux et les caractéristiques d'interface.

 

· Matériau de film:Utilisé pour le recuit de film métallique et de film d'oxyde (comme le milieu à haute k) pour optimiser la conductivité et la stabilité du film.

 

· Implantation ionique/réchauffement par contact


· Réchauffement à haute température


· Diffusion à haute température


· Alliages métalliques


· Traitement par oxydation thermique

 

 


Forneau de recuit rapide à double cavité semi-conducteur automatique compatible avec les équipements de traitement thermique des plaquettes de 6 pouces 8 pouces 12 pouces 200-1300 °C 3

Principaux domaines d'application
 

 

- Fabrication de plaquettes:pour l'activation par dopage, le recuit aux oxydes et le recuit à la métallisation et d'autres procédés clés.

 

- Dispositif de puissance:Convient pour le traitement thermique du SiC, du GaN et d'autres dispositifs semi-conducteurs de puissance afin d'améliorer les performances et la fiabilité du dispositif.

 

- Emballage avancé:pour le recuit thermique dans les procédés TSV (à travers le silicium) et RDL (couche redistribuée).

 

- Matériaux photoélectriques:adapté au procédé de recuit des LED, des lasers et d'autres matériaux photoélectriques, optimiser l'efficacité lumineuse et la cohérence des longueurs d'onde.

 

 


 

Nos services

 

 

XKH fournit des services personnalisés pour les fours à recuit rapide à double chambre entièrement automatiques, y compris l'ajustement des spécifications de l'équipement,Optimisation des paramètres de processus et soutien technique pour s'assurer que l'équipement répond aux besoins spécifiques des clientsEn outre, XKH fournit des services de formation à l'installation, d'entretien régulier et de mise à niveau des processus pour aider les clients à maximiser les performances des équipements et l'efficacité de la production,contribuer au développement de haute qualité du traitement des matériaux semi-conducteurs.

 

 

 

 


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