Détails de produit
Place of Origin: CHINA
Nom de marque: ZMSH
Certification: rohs
Model Number: Sic raw material synthesis furnace
Conditions de paiement et d'expédition
Minimum Order Quantity: 1
Prix: by case
Delivery Time: 5-10months
Payment Terms: T/T
Purpose:: |
Sic raw material synthesis furnace |
Les dimensions (L × W × H):: |
4000 x 3400 x 4300 mm ou personnaliser |
Loading capacity:: |
50kg |
Heating method:: |
Induction heating |
Température maximale du four:: |
2400℃ |
Heating power supply:: |
2×40kW |
Purpose:: |
Sic raw material synthesis furnace |
Les dimensions (L × W × H):: |
4000 x 3400 x 4300 mm ou personnaliser |
Loading capacity:: |
50kg |
Heating method:: |
Induction heating |
Température maximale du four:: |
2400℃ |
Heating power supply:: |
2×40kW |
Le four de synthèse de matières premières au carbure de silicium est un type d'équipement spécialement utilisé pour la préparation de matières premières au carbure de silicium (SiC) de haute pureté.le carbure de silicium est largement utilisé dans l'électronique de puissance, appareils à haute température, matériaux résistants à l'usure et appareils optiques.Le four de synthèse convertit les matières premières en silicium (Si) et en carbure de silicium (C) par une réaction chimique à haute température, et est un équipement clé dans la chaîne industrielle du carbure de silicium.
- Capacité à haute température: il peut fournir un environnement à haute température supérieur à 1600°C pour répondre aux besoins de synthèse du carbure de silicium.
- Synthèse de haute pureté: grâce à des matières premières de haute pureté et à un contrôle de l'atmosphère inerte, du carbure de silicium de haute pureté est synthétisé.
- Haute stabilité: la structure de l'équipement est stable, adaptée au travail continu à long terme.
- Faible pollution: des matériaux de haute pureté et une atmosphère inerte sont utilisés pour réduire l'impact des impuretés sur les matières premières synthétiques.
Spécification | Détails |
---|---|
Les dimensions (L × P × H) | Pour les appareils à commande numériqueou personnaliser |
Diamètre de la chambre du four | Pour les véhicules à moteur |
Capacité de chargement | 50 kg ou plus |
Le degré de vide limite | 10-2Pa ((2h après le démarrage de la pompe moléculaire) |
Taux d'augmentation de la pression dans la chambre | ≤ 10 Pa/h (après calcination) |
Traction de levage du couvercle inférieur du four | Unité de mesure |
Méthode de chauffage | Chauffage par induction |
Température maximale dans le four | 2400°C |
Énergie de chauffage | 2X40 kW |
Mesure de la température | Mesure de température infrarouge bicolore |
Plage de température | 900 à 3000 °C |
Précision du contrôle de la température | ± 1°C |
Plage de pression de réglage | 1 à 700mbar |
Précision du contrôle de la pression | 1 à 5mbar±0.1mbar; 5 à 100mbar±0.2mbar; 100 à 700mbar±0.5mbar |
Méthode de chargement | une charge inférieure; |
Configuration facultative | Deux points de mesure de température, déchargement du chariot élévateur. |
1. Une grande quantité de chargement, peut réaliser 1 équipement à plusieurs longs fours de cristal, améliorer l'efficacité de la production;
2. Utilisant 1 à 2 alimentations avec la même fréquence, peut contrôler efficacement le gradient de température axiale;
3. Le haut et le bas peuvent être équipés de mesure de température infrarouge, ce qui est pratique pour la surveillance du champ de température et le débogage des processus;
4. Vacuum élevé, précision de contrôle haute pression, précision de contrôle haute température, pour répondre à la synthèse de matières premières de carbure de silicium de haute pureté:
5. adopter le mode de chargement et de déchargement, qui est sûr et fiable, et peut être configuré avec le chariot élévateur à chargement;
6. l'utilisation d'une soupape papillon de haute précision et d'un débitmètre de masse pour contrôler la pression dans le four, assurant une atmosphère de processus stable;
7Les équipements peuvent être disposés côte à côte, ce qui permet d'économiser de l'espace et d'améliorer l'utilisation de l'usine.
L'utilisation d'un four de synthèse de matières premières au carbure de silicium permet de préparer efficacement des matières premières au carbure de silicium de haute pureté, dont la pureté est supérieure ou égale à 99,999%.pour répondre aux exigences strictes de l'industrie des semi-conducteurs pour les matériauxLa matière première du carbure de silicium synthétique est utilisée pour produire des cristaux simples de haute qualité et pour fabriquer des appareils électriques (tels que les MOSFET et les diodes) à haute tension.caractéristiques de faible perte et de fréquence élevée, améliorant considérablement les performances des véhicules électriques, des onduleurs solaires et d'autres applications.la poudre de carbure de silicium synthétisée peut également être utilisée dans les céramiques haute performance et les dispositifs optiques, élargissant encore son champ d'application.
ZMSH fournit des services de processus complets, de la conception et de la fabrication du four de synthèse de matières premières au carbure de silicium à l'assistance après-vente, y compris la personnalisation de l'équipement,optimisation des processus et formation techniqueGrâce à une technologie de pointe et à une riche expérience de l'industrie, nous assurons une haute efficacité, une stabilité et une faible consommation d'énergie des équipements,tout en fournissant une réponse rapide et un soutien technique en tout temps pour aider les clients à réaliser une production à grande échelle de matières premières de carbure de silicium de haute qualité.
1Q: À quoi sert un four de synthèse de matières premières au carbure de silicium?
R: Il est utilisé pour produire des matières premières de carbure de silicium (SiC) de haute pureté par des réactions à haute température, essentielles pour la fabrication de semi-conducteurs, de céramiques et d'appareils optiques.
2Q: Pourquoi un four de synthèse de carbure de silicium est-il important pour la production de semi-conducteurs?
R: Il permet la production de matières premières SiC ultra-pures, qui sont essentielles pour la culture de cristaux SiC de haute qualité utilisés dans l'électronique de puissance et les appareils à haute fréquence.
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