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Équipements laser microfluidiques pour le traitement des plaquettes à semi-conducteurs

Détails de produit

Lieu d'origine: Chine

Nom de marque: ZMSH

Certification: rohs

Numéro de modèle: Équipement laser microfluidique

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 1

Prix: by case

Délai de livraison: 5 à 10 mois

Conditions de paiement: T/T

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Objectifs::
Équipement laser microfluidique
Volume du comptoir::
300*300*150
Réglage de la température:
+/-5
Résistance à la compression de l'air:
+/-2
Type de commande numérique::
DPSS Nd:YAG
Wavelength::
532/1064
Objectifs::
Équipement laser microfluidique
Volume du comptoir::
300*300*150
Réglage de la température:
+/-5
Résistance à la compression de l'air:
+/-2
Type de commande numérique::
DPSS Nd:YAG
Wavelength::
532/1064
Équipements laser microfluidiques pour le traitement des plaquettes à semi-conducteurs

Équipements laser microfluidiques pour le traitement des plaquettes à semi-conducteurs 0

Résumé de méquipement de technologie laser icrojet

 

Équipements laser microfluidiques pour le traitement des plaquettes à semi-conducteurs


 

La technologie laser microjet est une technologie de traitement des composites avancée et largement utilisée qui combine un jet d'eau " aussi fin qu'un cheveu " avec un faisceau laser,et guide le laser avec précision vers la surface de la pièce usinée par réflexion interne totale de manière similaire aux fibres optiques traditionnellesLe jet d'eau refroidit continuellement la zone de coupe et élimine efficacement la poudre produite par le traitement.

 

 

En tant que technologie de traitement laser à froid, propre et contrôlée, la technologie laser à microjet résout efficacement les problèmes majeurs associés aux lasers à sec, tels que les dommages thermiques, la contamination, ladéformation, dépôt de détritus, oxydation, microcraqueries et conique.

 

 

 

 


 

Description de base de l'usinage au laser au microjet

Équipements laser microfluidiques pour le traitement des plaquettes à semi-conducteurs 1

 

1. type laser
Laser Nd:YAG à l'état solide pompé à la diode. Le temps de largeur d'impulsion est us/ns et la longueur d'onde est de 1064 nm, 532 nm ou 355 nm.

 

 


2Système à jet d'eau
L'eau filtrée désionisée pure à basse pression. La consommation d'eau du jet d'eau ultrafin est de seulement 1 litre/heure à une pression de 300 bar. La force résultante est négligeable (< 0,1 N).

Équipements laser microfluidiques pour le traitement des plaquettes à semi-conducteurs 2

 

 


3- Une bouteille.
La taille de la buse varie de 30 à 150 mm, le matériau de la buse est le saphir ou le diamant.

 

 


4Système auxiliaire
Pompes haute pression et systèmes de traitement de l'eau.

 

 

 

 

 


 

Spécifications techniques

 

Volume du comptoir 300*300*150 400*400*200
Axe linéaire XY Moteur linéaire. Moteur linéaire.
Axe linéaire Z 150 200
Précision de positionnement μm +/-5 +/-5
Précision de positionnement répétée μm +/-2 +/-2
Accélération G 1 0.29
Contrôle numérique Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où elles sont utilisées. Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où elles sont utilisées.
Type de commande numérique DPSS Nd:YAG DPSS Nd:YAG
Longueur d'onde nm Pour les produits de la catégorie 532 Pour les produits de la catégorie 532
Puissance nominale W 50/100/200 50/100/200
Jet d'eau 40 à 100 40 à 100
Barre de pression de la buse 50 à 100 50 à 600
Dimensions (machine à outils) (largeur * longueur * hauteur) mm 1445*1944*2260 1700*1500*2120
Taille (armoire de commande) (W * L * H) 700*2500*1600 700*2500*1600
Poids (équipement) T 2.5 3
Poids (armoire de commande) en kg 800 800

Capacité de traitement

Roughness de surface Ra≤1,6um

Vitesse d'ouverture ≥ 1,25 mm/s

Coupe de circonférence ≥ 6 mm/s

Vitesse de coupe linéaire ≥ 50 mm/s

Roughness de surface Ra≤1,2 mm

Vitesse d'ouverture ≥ 1,25 mm/s

Coupe de circonférence ≥ 6 mm/s

Vitesse de coupe linéaire ≥ 50 mm/s

 

Pour les cristaux de nitrure de gallium, les matériaux semi-conducteurs à bande ultra large (diamants/oxyde de gallium), les matériaux spéciaux de l'aérospatiale, le substrat en céramique de carbone LTCC, les photovoltaïques,transformation de cristaux de scintillateurs et autres matériaux.

Note: La capacité de traitement varie en fonction des caractéristiques du matériau

 

 

 


 

Application de l'équipement de technologie laser à microjet

Équipements laser microfluidiques pour le traitement des plaquettes à semi-conducteurs 3

1. Coupe des galettes (dissécation)
Matériaux: silicone (Si), carbure de silicium (SiC), nitrure de gallium (GaN) et autres matériaux durs et fragiles.
Application: remplacer la lame traditionnelle de diamant, réduire la rupture des bords (rupture des bords < 5 μm, coupe de lame généralement > 20 μm).
La vitesse de coupe a augmenté de 30% (par exemple, la vitesse de coupe des plaquettes SiC jusqu'à 100 mm/s).
Disjonction furtive: modification au laser à l'intérieur de la wafer, séparation assistée par jet liquide, adaptée aux wafers ultra-minces (< 50 μm).

 

 

2Forage de copeaux et traitement de micro-trous
Application: par forage au silicium (TSV) pour les circuits intégrés 3D. Traitement thermique de la matrice de micro-trous pour les appareils électriques tels que les IGBT.
Paramètres techniques:
Plage d'ouverture: 10 μm à 200 μm, rapport profondeur/largeur jusqu'à 10:1.
La rugosité de la paroi des pores (Ra) < 0,5 μm est meilleure que celle de l'ablation laser directe (Ra> 2 μm).

 

Équipements laser microfluidiques pour le traitement des plaquettes à semi-conducteurs 4

3Emballage avancé
Application: RDL (Rewiring layer) Ouverture de fenêtre: laser + jet élimine la couche de passivation, couche exposante.
Emballage au niveau des plaquettes (WLP): plastiques de moulage époxy (EMC) pour les emballages à ventilation.
Avantages: éviter la déformation des copeaux causée par des contraintes mécaniques et augmenter le rendement à plus de 99,5%.

 

 

4. Traitement des semi-conducteurs composés
Matériau: GaN, SiC et autres semi-conducteurs à large bande.
Application: Gravure à l'encoche de la porte des dispositifs HEMT: le jet de liquide contrôle l'énergie laser pour éviter la décomposition thermique du GaN.
Le recuit au laser: chauffage local par microjet pour activer la zone d'implantation ionique (comme la source MOSFET SiC).

 

 

5Réparation des défauts et réglage
Application: fusion laser de circuits redondants dans la mémoire (DRAM/NAND).
Amélioration des réseaux de microlentilles pour les capteurs optiques tels que ToF.
précision: précision de régulation de l'énergie ± 1%, erreur de position de réparation < 0,1 μm.

 

 


 

Cas de traitement

 

 

Équipements laser microfluidiques pour le traitement des plaquettes à semi-conducteurs 5

 

 


 

Questions et réponses

 

1Q: À quoi sert la technologie laser microjet?
R: La technologie laser à microjet est utilisée pour la découpe, le forage et la structuration de semi-conducteurs (par exemple, wafers SiC, forage TSV) et d'emballages avancés de haute précision et à faible dommage thermique.

 

 

2Q: Comment le laser microjet améliore-t-il la fabrication de semi-conducteurs?
R: Il permet une précision sous-micronique avec des dommages thermiques presque nulles, remplaçant les lames mécaniques et réduisant les défauts des matériaux fragiles comme le GaN et le SiC.

 

 


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