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Maison > PRODUITS > Équipement de semi-conducteur > Équipement de liaison des plaquettes Température de pièce Bondin Liant hydrophile Si-SiC Si-Si Liant 2 -12 pouces

Équipement de liaison des plaquettes Température de pièce Bondin Liant hydrophile Si-SiC Si-Si Liant 2 -12 pouces

Détails de produit

Lieu d'origine: Chine

Nom de marque: ZMSH

Certification: rohs

Numéro de modèle: Équipement de liaison des plaquettes

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 2

Prix: by case

Délai de livraison: 5 à 10 mois

Conditions de paiement: T/T

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Équipement de liaison de plaquettes à température ambiante

,

Équipement hydrophile de liaison de plaquettes

Méthodes de liaison::
Liens à température ambiante
Tailles de gaufres compatibles::
≤ 12 pouces, compatibles avec des échantillons de forme irrégulière
Matériaux compatibles::
Saphir, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamant, verre, etc. Ils sont utilisés pour la fabrication de produits
Pression maximale du système de presse::
100 KN
Méthode d'alignement et précision::
précision d'alignement des bords: ≤ ± 50 μm; précision d'alignement des marques: ≤ ± 2 μm
Résistance à la liaison::
≥ 2,0 J/m2 @ température ambiante (pour la liaison directe Si-Si)
Méthodes de liaison::
Liens à température ambiante
Tailles de gaufres compatibles::
≤ 12 pouces, compatibles avec des échantillons de forme irrégulière
Matériaux compatibles::
Saphir, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamant, verre, etc. Ils sont utilisés pour la fabrication de produits
Pression maximale du système de presse::
100 KN
Méthode d'alignement et précision::
précision d'alignement des bords: ≤ ± 50 μm; précision d'alignement des marques: ≤ ± 2 μm
Résistance à la liaison::
≥ 2,0 J/m2 @ température ambiante (pour la liaison directe Si-Si)
Équipement de liaison des plaquettes Température de pièce Bondin Liant hydrophile Si-SiC Si-Si Liant 2 -12 pouces

 

Équipement de liaison de gaufre Température de pièce Bondin Liant hydrophile Si-SiC Si-Si Liant 2 -12 pouces


 

Vue d'ensemble du système de liaison des plaquettes

 

 

L'équipement de liaison des plaquettes est un équipement de liaison haut de gamme spécialement conçu pour la fabrication de dispositifs de puissance au carbure de silicium (SiC), prenant en charge les spécifications des plaquettes de 2 à 12 pouces.L'équipement de liaison des plaquettes intègre des technologies avancées de liaison directe à température ambiante et de liaison activée par surface, avec une optimisation spéciale pour les processus de liaison hétérogènes SiC-SiC et SiC-Si.d'une haute précision et d'un débit de sortie supérieur à 100 W,, il assure la haute résistance à l'adhésion (≥ 2 J/m2) et une uniformité d'interface supérieure requise pour la fabrication de dispositifs de semi-conducteurs de puissance.

 

 


 

Spécifications techniques du système de liaison des plaquettes

 

 

Paramètres fonctionnels de base:

 

Processus de liaison: Prend en charge la liaison directe et la liaison activée par plasma
Compatibilité des plaquettes: Traitement complet des plaquettes de 2 à 12 pouces
Combinaisons de matériaux: Liens hétérostructurés Si-SiC/SiC-SiC
Système d'alignement Alignement optique de très haute précision (≤ ± 0,5 μm)
Régulation de la pression: Réglable de précision de 0 à 10 MPa
Plage de température: RT-500°C (module de préchauffage ou de recuit en option)
Niveau de vide: Environnement à vide ultra-haut (≤ 5×10−6 Torr)

 

 

Système de contrôle intelligent:

 

·HMI tactile de qualité industrielle

·≥ 50 recettes de procédé stockées

·Réaction en boucle fermée pression-température en temps réel

 

 

Système de protection de la sécurité:

 

·Protection contre le triple verrouillage (pression/température/vide)

·Système de freinage d'urgence

·Compatibilité avec les salles blanches de la classe 100

 

 

Fonctions étendues:

 

·Manipulation robotique optionnelle des plaquettes

·Support du protocole de communication SECS/GEM

·Module d'inspection intégré en ligne

 

 

L'équipement de liaison de plaquettes est spécialement conçu pour la R&D et la production en série de semi-conducteurs de troisième génération.L'architecture modulaire de l'équipement de liaison des plaquettes permet une liaison de haute fiabilité pour les appareils électriques à base de SiCLa technologie innovante de prétraitement au plasma améliore considérablement la résistance de liaison entre les interfaces (≥ 5 J/m2), tandis que l'environnement de vide ultra-haute garantit des interfaces de liaison exemptes de contaminants.Le système intelligent de régulation de la température et de la pression, combinée à une précision d'alignement sous-micronique, fournit des solutions de liaison au niveau des plaquettes pour HEMT, SBD et autres appareils.

 

 


 

Une photo

 

Équipement de liaison des plaquettes Température de pièce Bondin Liant hydrophile Si-SiC Si-Si Liant 2 -12 pouces 0Équipement de liaison des plaquettes Température de pièce Bondin Liant hydrophile Si-SiC Si-Si Liant 2 -12 pouces 1
 
 

 

Matériaux compatibles

 

 

Équipement de liaison des plaquettes Température de pièce Bondin Liant hydrophile Si-SiC Si-Si Liant 2 -12 pouces 2

 

 


 

Applications

 

 

· Emballage du dispositif MEMS: l'équipement de liaison de plaquettes convient au scellage hermétique des systèmes microélectromécaniques (MEMS) tels que les accéléromètres et les gyroscopes.

 

· Capteurs d'image CIS: l'équipement de liaison des plaquettes permet une liaison à basse température entre les plaquettes CMOS et les substrats de verre optique.

 

· Intégration de circuits intégrés 3D: l'équipement de liaison des plaquettes prend en charge la liaison d'empilement à température ambiante pour les plaquettes à travers le silicium (TSV).

 

· Dispositifs à semi-conducteurs composés: l'équipement de liaison à wafer facilite le transfert de couche épitaxielle pour les dispositifs de puissance GaN/SiC.

 

· Fabrication de puces biologiques: les équipements de liaison de plaquettes fournissent des solutions d'emballage à basse température pour les puces microfluidiques.

 

 


 

Effets de l'usinageJe ne sais pas.Liens entre une plaque LiNbO 3 et une plaque SiC

 

 

(a) Photographie de plaquettes LiNbO3/SiC collées à température ambiante. (b) Photographie de copeaux découpés en dés de 1 × 1 mm.)

 

 

Équipement de liaison des plaquettes Température de pièce Bondin Liant hydrophile Si-SiC Si-Si Liant 2 -12 pouces 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(a) Image TEM en section transversale de l'interface de liaison LiNbO3/SiC (b) Vue grossie de (a)

 

 

Équipement de liaison des plaquettes Température de pièce Bondin Liant hydrophile Si-SiC Si-Si Liant 2 -12 pouces 4

 

 


 

Questions et réponses

 

 

1Q: Quels sont les avantages de la liaison à température ambiante par rapport à la liaison thermique?
R: La liaison à température ambiante empêche le stress thermique et la dégradation du matériau, permettant la liaison directe de matériaux différents (par exemple, SiC-LiNbO3) sans limitation à haute température.

 

 

2Q: Quels matériaux peuvent être liés à l'aide de la technologie de liaison des plaquettes à température ambiante?
R: Il prend en charge la liaison de semi-conducteurs (Si, SiC, GaN), d'oxydes (LiNbO3, SiO2) et de métaux (Cu, Au), idéal pour les MEMS, les circuits intégrés 3D et l'intégration optoélectronique.

 

 


Tag: # Équipement de liaison de plaquette, # SIC, # 2/4/6/8/10/12 pouces liaison, # Système de liaison à température ambiante, # Si-SiC, # Si-Si, # LiNbO 3 -SiC

 

 

 

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