Résumé du four d'oxydation LPCVD
Forneau d'oxydation LPCVD de 6 pouces 8 pouces 12 pouces pour dépôt uniforme de film fin
Les systèmes LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) servent d'équipements de dépôt de films minces essentiels dans la fabrication de semi-conducteurs, principalement utilisés pour la culture du polysilicium, du nitrure de silicium,et films d'oxyde de siliciumLes principaux avantages de cette technologie sont les suivants:
1) Environnement à basse pression (0,1 à 10 Torr) assurant une uniformité exceptionnelle du film à ±1,5%;
2) conception verticale du réacteur permettant un traitement à haut débit de 150 à 200 plaquettes par lot;
3) Dépôt activé thermiquement à 300-800°C sans dommages induits par plasma, ce qui le rend particulièrement adapté à des procédés de précision tels que la formation diélectrique de porte.
Cette technologie a été largement adoptée dans la fabrication de nœuds avancés (5 nm et au-delà) pour les puces logiques et les périphériques de mémoire.
The LPCVD process operates under reduced pressure conditions where the extended mean free path of gas molecules (significantly greater than at atmospheric pressure) contributes to superior film uniformityL'aménagement vertical des plaquettes permet non seulement de maximiser la capacité des lots, mais aussi d'améliorer l'efficacité de la production, ce qui rend le système idéal pour la fabrication de semi-conducteurs à l'échelle industrielle.
Forneau d'oxydation LPCVDLes spécifications
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TÉchnologie
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Élément d'essai LP-SiN |
Contrôle |
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Dépôt de nitrites
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Particule ((EA)
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Particule de transfert |
< 15EA (> 0,32 μm) |
| Particule de procédé |
un débit de sortie de l'appareil inférieur à 60 EA (> 0,32 μm),
< 80EA (> 0,226 μm)
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Épaisseur ((A)
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NIT1500 |
1500 ± 50 |
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L'uniformité
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à l'intérieur de la galette < 2,5%
Wafer à wafer < 2,5%
Cours à courir < 2%
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Taille de la galette
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Wafer de 6/8/12 pouces |
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Plage de température du procédé
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500°C à 900°C |
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Longueur de la zone de température constante
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≥ 800 mm |
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Précision du contrôle de la température
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± 1°C |
Caractéristiques du produit de l'équipement LPCVD:
*Fonctionnement automatisé avec manipulation de plaquettes de haute précision
*Chambre de procédé ultra-propre avec une contamination minimale par les particules
*Uniformité supérieure de l'épaisseur du film
*Contrôle de température intelligent avec réglage en temps réel
*Support de plaquette SiC pour réduire le frottement et la production de particules
*Régulation automatique de la pression pour des performances de processus cohérentes
*Configurations personnalisables pour les différentes exigences de processus
Principe de dépôt du LPCVD:
1Introduction des gaz: les gaz réactifs sont introduits dans le tube, en maintenant un environnement à basse pression dans le tube nécessaire à la réaction, généralement compris entre 0,25 et 1 Torr.
2Transport de surface des réactifs: sous des conditions de basse pression, les réactifs peuvent se déplacer librement sur la surface de la plaque.
3. Adsorption des réactifs sur la surface du substrat: les réactifs adhèrent à la surface du substrat.
4Réaction chimique à la surface de la gaufre: Les réactifs subissent une décomposition thermique ou une réaction à la surface de la gaufre, formant des produits.
5. Retrait des gaz non produits: Les gaz autres que les produits de réaction sont retirés de la surface pour maintenir l' environnement à basse pression et éviter les interférences avec le processus de dépôt.
6. Accumulation de produits de réaction pour former un film: Les produits de réaction s' accumulent sur la surface pour former un film solide.
Application du procédé d'oxydation
Les processus d'oxydation du silicium sont fondamentaux dans l'ensemble du processus de fabrication des semi-conducteurs.
1Couche d'oxyde de blindage: elle agit comme une barrière pour empêcher la contamination de la plaque de silicium en bloquant la photorésistance,Il peut également disperser les ions avant qu'ils ne pénètrent dans le silicium monocristallin pour réduire les effets de canalisation..
2. Couche d'oxyde de silicium: Cette couche est utilisée pour réduire la tension entre le silicium et le nitrure de silicium.la force de traction allant jusqu'à 10^10 dyn/cm2 des couches de nitrure de silicium LPCVD pourrait provoquer des fissures ou même des ruptures dans les plaquettes de silicium .
3. Couche d'oxyde de porte: servant de couche diélectrique dans les structures MOS, elle permet des voies de conduction du courant et contrôle l'effet du champ.
Classification des systèmes LPCVD: configurations verticales ou horizontales
L'équipement LPCVD est classé en types verticaux et horizontaux, la nomenclature dérivée de l'orientation de la chambre de four ou, équivalemment, de la direction de placement du substrat.Ces deux configurations de systèmes de dépôt de vapeur chimique à basse pression (LPCVD) sont principalement différenciées par leur disposition du substrat et la dynamique du débit de gaz..
Systèmes verticaux de détection des déchets de décharge:
Dans le LPCVD vertical, les gaz de procédé sont généralement introduits du haut de la chambre de réaction et coulent vers le bas à travers les substrats avant d'être évacués du fond.Cette conception aide à assurer un débit de gaz uniforme à travers chaque substrat, ce qui permet d'obtenir un dépôt de film mince constant.
Systèmes horizontaux de détection des débris:
Les systèmes LPCVD horizontaux sont conçus pour permettre aux précurseurs de circuler d'une extrémité du substrat à l'autre, ce qui crée un flux continu de gaz de l'entrée à la sortie,qui peuvent contribuer à la formation uniforme du filmCependant, il peut également entraîner un dépôt plus épais près du côté de l'entrée de gaz par rapport à l'extrémité opposée.
Effets de l'usinageForneau d'oxydation LPCVD
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