Wafer DSP en saphir de 6 pouces Diamètre 150 mm Épaisseur 350 μm Pour l'électronique électrique

Wafer DSP en saphir de 6 pouces Diamètre 150 mm Épaisseur 350 μm Pour l'électronique électrique

La gaufre en saphir de 6 pouces est un substrat optique de grand format fabriqué à partir d'oxyde d'aluminium monocristallin (α-Al2O3) à l'aide de méthodes de croissance alimentée par film (EFG) ou de Kyropoulos (KY) définies par Edge,d'un diamètre de 150 mm ± 0Comme substrat essentiel pour les semi-conducteurs de troisième génération, leUne gaufre en saphir de 6 poucescombine une transmission optique élevée (> 85% dans le spectre visible), un faible décalage de réseau (13% avec GaN) et une stabilité mécanique exceptionnelle, ce qui le rend idéal pour la fabrication de LED de haute luminosité,Micro-LED, et les appareils électroniques de puissance. Son format de grande surface améliore considérablement l'efficacité de la production épitaxielle tout en réduisant les coûts par puce,les progrès réalisés dans les industries de l'optoélectronique et des semi-conducteurs.

 

Caractéristiques principales

 

1.6 pouces de gaufre en saphirQualité cristalline supérieure:

· Densité de dislocation < 103 cm−2 avec rugosité de surface Ra< 0,3 nm (polie en plan C), répondant aux exigences de planéité au niveau atomique pour l'épitaxie du GaN.

· Précision d'orientation des cristaux ± 0,1° (disponible dans les orientations C, R et A).

 

 

2.6 pouces de gaufre en saphirPerformance optique:

• 85% de transmission dans le spectre visible (400-800 nm) et > 80% dans la gamme UV (250-400 nm), adapté aux appareils photoniques UV.

· Des structures personnalisables à double face polissées (DSP) ou à substrat de saphir à motifs (PSS) pour améliorer l'efficacité d'extraction de la lumière LED de plus de 30%.

 

 

3.6 pouces de gaufre en saphirStabilité thermique/mécanique:

· Point de fusion 2040°C avec CTE correspondant (5,3×10−6/°C à GaN), minimisant les fissures par contrainte thermique lors de l'épitaxie.

· Résistant au plasma pour les processus de dépôt MOCVD/PECVD.

 

 

4.6 pouces de gaufre en saphirAvantages de grande surface:

• 50% de plus de surface utilisable de la puce par tranche de 6 pouces par rapport aux équivalents de 4 pouces, ce qui réduit considérablement les coûts de production unitaires.

 

 

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Paramètres techniques

 

 

 

 

Les biens immobiliers	6 pouces
Diamètre	150 ± 0,1 mm
Épaisseur	350 ± 15 μm
	500 ± 15 μm
	1000 ± 15 μm
Roughness (graisseuse)	Ra ≤ 0,2 nm
La distorsion.	≤ 15um
TTV	≤ 10 μm
Détection/excavation	20/10
Polonais	DSP (double face polissée); SSP ((single face polissée)
Forme	Ronde, plate 16 mm;OF longueur 22 mm;OF longueur 30/32,5 mm;OF longueur 47,5 mm;NOTCH;NOTCH
Forme de bordure	45°C, forme
Matériel	Le cristal de saphir, quartz fondu JGS1/JGS2; BF33, D263; verre EXG.
Les commentaires	Toutes les spécifications ci-dessus peuvent être personnalisées à votre demande

Applications principales

1. Fabrication de LED:
Une gaufre en saphir de 6 pouces.En tant que substrat principal pour l'épitaxie du GaN, les plaquettes de saphir de 6 pouces permettent une production de haute puissance de LED de haute luminosité et de puces d'affichage Mini/Micro-LED, prenant en charge les écrans ultra-HD de nouvelle génération.

2Électronique électrique:
Une gaufre en saphir de 6 pouces estutilisés dans les dispositifs HEMT GaN-sur-saphir pour les stations de base 5G et les onduleurs de puissance des véhicules électriques nécessitant un fonctionnement à haute fréquence/haute puissance.

3.Je vous en prie.Composants optiques:
Quand il est poli avec précision,Une gaufre en saphir de 6 pouces.Servent de fenêtres dans des environnements extrêmes (engin spatial) ou de substrats de capteurs UV résistants aux rayonnements.

4.Séquipement de semi-conducteurs:
Une gaufre en saphir de 6 pouces.utilisées comme plaques porteuses résistantes à la corrosion et à haute isolation (résistivité > 1014 Ω·cm) pour les systèmes d'incorporation d'ions et de gravure.