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High-Purity Sapphire Wafer for LED, Semiconductor, Laser, and Optical Devices

Nom De Marque:	ZMSH
Numéro De Modèle:	2 à 12 pouces tous disponibles
MOQ:	5
Prix:	by case
Délai De Livraison:	2-4 semaines
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Chine

Lieu d'origine:

Chine

Matériel:

99,999% Al2O3

Industrie:

Verre mené et optique, gaufrette eli-prête

Application:

Gaufrette de Semicondutor, puce menée, vitrail optique, céramique électronique

Couleur:

blanc ou rouge ou bleu

transmissivité spécifique de lumière de vision:

85%

advantagement:

hauts hardness9.0, la résistance à l'usure

taper:

Monocristal

Détails d'emballage:

Les conteneurs fermés sous vide avec de l'azote remblayent dans un environnement de la classe 100

Description de produit

Product Description

Our sapphire wafers are made of single crystal aluminum oxide (Al₂O₃) with a hexagonal lattice structure, commonly available in C-plane, A-plane, and R-plane orientations. With broad optical transparency from near-ultraviolet (190 nm) to mid-infrared, these wafers are ideal for optical components, infrared devices, high-strength laser windows, and mask materials. Sapphire’s high hardness, thermal stability, corrosion resistance, high melting point (2045°C), and excellent transparency make it a reliable material for demanding applications, though it requires precision processing.

For LED manufacturing, sapphire wafers are essential for high-quality GaN epitaxial growth, as their surface processing directly affects the brightness and uniformity of white, blue, and green LEDs. The minimal lattice mismatch between sapphire C-plane substrates and III-V/II-VI thin films ensures excellent alignment with high-temperature epitaxy processes, making sapphire wafers indispensable for advanced optoelectronic devices.

High-Purity Sapphire Wafer for LED, Semiconductor, Laser, and Optical Devices 0

Étiquettes:

Wafer de carbure de silicium de type N de 4 pouces avec plusieurs options d'épaisseur pour les groupes motopropulseurs de VE et les entraînements de moteur haute densité

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Anneau SiC CVD de haute pureté pour la gravure au plasma à semi-conducteurs de diamètre 370 mm et conductivité thermique 120 ‰ 200 W/m·K

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Gaufrette de saphir

Sic substrat

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Gaufrette de silicium d'IC

Le fil a vu la machine

Saphir synthétique Rod

Plat de quartz fondu

Pièces de saphir

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Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

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substrat en céramique

Emballage de laboratoire

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Gaufrette de GaAs