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Wafer en saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan

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Wafer en saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan

Sapphire Wafer 6'' Dia 150mm±0.1mm Thickness 1000um C-Plane
Sapphire Wafer 6'' Dia 150mm±0.1mm Thickness 1000um C-Plane Sapphire Wafer 6'' Dia 150mm±0.1mm Thickness 1000um C-Plane Sapphire Wafer 6'' Dia 150mm±0.1mm Thickness 1000um C-Plane Sapphire Wafer 6'' Dia 150mm±0.1mm Thickness 1000um C-Plane

Image Grand :  Wafer en saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: zmsh
Certification: rohs
Numéro de modèle: Plaquette de saphir 6'' Dia 150mm±0.1mm Épaisseur 1000um
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 20
Prix: 5
Détails d'emballage: Carton Box
Délai de livraison: 3-4 semaine
Conditions de paiement: T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 10000 Par mois
Description de produit détaillée
Matériel: > 99,99% Saphir Les orientations: C-plan ((0001)
Diamater: 150 ± 0,2 mm Épaisseur: 1000 ± 10 μm
La distorsion.: ≤ 20um Faites une fleur.: -15um≤BOW≤0
TTV: < 10="" um=""> Polissés: ssp ou dsp
Mettre en évidence:

La plaque de saphir est de 6'

,

Plaquettes en saphir de 1000um

Plaquette de saphir 6" Dia 150mm±0.1mm Épaisseur 1000um Plan C 99.99% pur

 

Nos plaquettes de saphir de 6 pouces de diamètre sont des substrats monocristallins d'Al₂O₃ de précision conçus pour les applications exigeantes de semi-conducteurs. Avec un contrôle strict du diamètre à 150,0±0,1 mm et une épaisseur standard de 1000±15μm, ces plaquettes orientées plan C (0001) offrent des performances exceptionnelles pour :

  • La production de LED et de dispositifs de puissance à base de GaN
  • Composants RF haute fréquence
  • Systèmes optiques avancés

 

Wafer en saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 0

 


 

 

Spécifications

 

Paramètre

Spécification

Diamètre 150,0 ±0,1 mm
Épaisseur 1000 ±10 μm
Orientation (0001) ±0,15°
TTV <10 μm
Voile ≤20 μm
Bombement -15um≤BOMBEMENT≤0
Voile <10 μm

 


 

Applications des plaquettes de saphir

 

Plaquettes de saphir en optoélectronique

  • Écrans Micro-LED
  • Dispositifs de stérilisation UV
  • Éclairage haute luminosité

 

Plaquettes de saphir en électronique de puissance

  • HEMT GaN pour 5G/6G
  • Modules d'alimentation EV
  • Systèmes radar

 

Plaquettes de saphir dans les technologies émergentes

  • Dispositifs à points quantiques
  • Résonateurs MEMS
  • Capteurs photoniques

 

 

Wafer en saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 1

 


 

CARACTÉRISTIQUES CLÉS de Plaquette de saphir

 

1. Performances thermiques supérieures des plaquettes de saphir

  • Haute conductivité thermique : 35 W/m·K @25°C
  • Faible CTE : 5,3 × 10⁻⁶/K (25-500°C)
  • Résistant aux chocs thermiques : résiste à ΔT >500°C

 

2. Excellence optique des plaquettes de saphirTransmission à large bande : 85 %@250 nm → 92 %@450 nm → 90 %@4000 nm

  • Birefringence minimale :
  • <3 nm/cm @633 nmPolissage de qualité laser : PV
  • <λ/4 @633 nm3. Robustesse mécanique des plaquettes de saphir

 

 

Dureté extrême : 2000 HV (Mohs 9)Résistance à la flexion élevée : 700±50 MPa

  • Module de Young : 400 GPa
  • 4. Avantages de fabrication des plaquettes de saphir
  • Contrôle du diamètre : 150,0±0,1 mm (compatible avec les outils 6")

 

Options d'épaisseur : 430-1000 µm disponiblesProfilage des bords : encoche ou marquage laser selon les normes SEMI

  • Processus de fabrication des plaquettes de saphir
  • 1. Orientation : Localisez avec précision la position de la tige de cristal de saphir sur la machine de découpe, afin de faciliter le traitement de découpe précis 
  • 2. Découpe : Coupez la tige de cristal de saphir en fines plaquettes

 


 

3. Meulage : Retirez la couche endommagée par la découpe des copeaux causée par la découpe et améliorez la planéité de la plaquette

 

4. Chanfreinage : Coupez le bord de la plaquette en un arc de cercle pour améliorer la résistance mécanique du bord de la plaquette afin d'éviter les défauts causés par la concentration de contraintes


Wafer en saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 2

 

5. Polissage : Améliorez la rugosité de la plaquette pour atteindre la précision de la plaquette épitaxiale

 

Wafer en saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 3
 

6. Nettoyage : Retirez les contaminants sur la surface de la plaquette (tels que les particules de poussière, les métaux, les contaminants organiques)

 

Wafer en saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 4

 

7. Inspection de la qualité : La qualité de la plaquette (planéité, particules de poussière de surface, etc.) doit être inspectée avec des instruments de test de haute précision pour répondre aux exigences du client

 

Wafer en saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 5

 

 

Wafer en saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 6

 

 

 

 

Coordonnées
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Personne à contacter: Mr. Wang

Téléphone: +8615801942596

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