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Wafer de saphir SSP de 4 pouces pour l'épitaxie de GaN / III-nitrure

Nom De Marque:	ZMSH
MOQ:	10 pièces
Prix:	Pricing is subject to market fluctuations
Délai De Livraison:	2-4 semaines
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Chine

Lieu d'origine:

Chine

Diamètre:

100 mm/4 pouces

Épaisseur:

650 ± 15 microns

Orientation:

Plan C (0001) ± 0,3°

Arc:

<15>

Rugosité de la surface avant:

<0,2 nm

Résistance à la chaleur:

>1500°C

Détails d'emballage:

Personnalisable

Capacité d'approvisionnement:

1000 pièces/mois

Description de produit

Description du produit

Tranche de saphir SSP C-Plane de 4 pouces pour épitaxie GaN / III-Nitrure

Aperçu

Nous produisonsPureté 5N (99,999%)Al₂O₃ monocristallin pour des applications avancées en semi-conducteurs, optoélectronique et optique.

Ces substrats sont polis sur une seule face pour une excellente douceur de surface (Ra ≤ 0,2 nm). Ces substrats offrent une stabilité thermique exceptionnelle (>1500 °C), une transmission optique élevée (~86–89% à 550 nm) et une uniformité d'épaisseur serrée (TTV ≤20 µm). Ils sont idéaux pour la croissance épitaxiale de LED, les dispositifs semi-conducteurs GaN et III-nitrures, et les applications à haute température ou optiques.

Wafer de saphir SSP de 4 pouces pour l'épitaxie de GaN / III-nitrure 1

Caractéristiques principales

Haute pureté [Pureté 5N (99,999%)Saphir monocristallin (Al₂O₃)
Orientation plan C (0001) avec une tolérance serrée de ±0,3°
Surface polie sur une seule face (SSP), Ra avant < 0,2 nm
Excellente planéité et faible déformation (<15 µm)
Haute stabilité thermique et chimique pour environnements difficiles
Axe, diamètre et épaisseur personnalisables disponibles

Spécifications

Paramètre	Spécification
Diamètre	100 mm ± 0,3 mm (4 pouces)
Orientation	Plan C (0001), ±0,3°
Épaisseur	650 µm ± 15 µm
Déformation	<15 µm
Surface avant	Polie sur une seule face (Ra < 0,2 nm)
Rugosité du côté arrière	1,0 ± 0,2µm
TTV (Variation totale d'épaisseur)	≤ 20 µm
LTV (Variation locale d'épaisseur)	≤ 20 µm
Torsion	≤ 20 µm
Matériau	Al₂O₃ de haute pureté >99,999%

Propriétés mécaniques et thermiques

Dureté Mohs : 9 (deuxième seulement après le diamant)
Conductivité thermique : 25 W/m·K
Point de fusion : 2045°C
Faible dilatation thermique assurant la stabilité dimensionnelle

Applications

Substrat pour croissance épitaxiale GaN, AlN, et III-V ou II-VI
Production de LED bleues, vertes, blanches et UV
Substrats de diodes laser (LD)
Composants et fenêtres optiques infrarouges (IR)
Optiques et microélectronique de haute précision
Verres de montre/couvercles de smartphone

Pourquoi choisir le saphir plan C ?

Le substrat de saphir est idéal pour les applications optiques et électroniques de haute performance. Le saphir offre une dureté exceptionnelle (Mohs 9), une stabilité thermique élevée jusqu'à environ 1500 °C, et une excellente résistance chimique, un choix parfait pour les environnements exigeants tels que lors des procédures de croissance cristalline MOCVD et MBE. Sa structure en plan C est également raisonnablement compatible avec la structure cristalline des III-nitrures, facilitant l'alignement épitaxial et la croissance cristalline uniforme.

Emballage et expédition

25 tranches dans une boîte cassette par sac sous vide ou méthode personnalisée sur demande

FAQ

Q : Quelle est la plage de transmission optique ?
R : Transparent d'environ 200 nm (UV) à environ 5000 nm (IR moyen).

Q : La tranche est-elle conductrice ?
R : Non — le saphir est un isolant, idéal pour prévenir les courants de fuite dans l'électronique.

Q : La tranche peut-elle être personnalisée ?

R : Oui, nous acceptons les diamètres, épaisseurs et orientations d'axe personnalisés selon les spécifications du client.

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