Plaquette de saphir 8'' Dia 200mm±0.2mm Épaisseur 725Um Plan C SSP,DSP dureté 9.0

8 pouces de plaquette de saphir de diamètre 200 mm (± 0,2 mm), épaisseur 725 μm, SSP C-Plane, DSP

Cette plaque de saphir de haute pureté de 8 pouces (200 mm) présente une précision dimensionnelle exceptionnelle (diamètre ± 0,2 mm, épaisseur 725 μm) et une orientation cristallographique (plan C),ce qui le rend idéal pour des applications optoélectroniques et semi-conducteurs exigeantesAvec une pureté de 99,99% et une stabilité mécanique/thermique supérieure, la plaque sert de substrat optimal pour la fabrication de LED, de diodes laser et de dispositifs RF.Sa finition de surface uniforme et son inerté chimique assurent sa fiabilité dans des environnements difficiles, tandis que son grand diamètre permet une production de masse rentable.

Caractéristiques essentielles des plaquettes de saphir

La géométrie de précision de la gaufre de saphir:

• Diamètre: 200 mm ± 0,2 mm, assurant la compatibilité avec les outils semi-conducteurs standard.
• Épaisseur: 725 μm ± 25 μm, optimisée pour la résistance mécanique et la stabilité du processus.

Des galettes de saphirUne pureté extrêmement élevée:

• > 99,99% (4N) de pureté, minimisant les impuretés qui affectent les performances optiques/électriques.

Des galettes de saphirPropriétés matérielles robustes:

• Dureté: 9 Mohs, résistant aux rayures pour une durabilité de manipulation.
• Stabilité thermique: point de fusion ~ 2,050°C, adapté aux procédés à haute température.
• Transparence optique: 85%+ dans les spectres visibles à proche IR (350 nm ∼4 500 nm).

Des galettes de saphirQualité de la surface:

• Polissage prêt à l'épitaxie: Ra < 0,3 nm pour un dépôt de film mince sans défaut.
• Le polissage à double face est facultatif sur demande.

Applications des images des plaquettes de saphir

Wafer en saphir en optoélectronique:

Substrate pour les LED bleu/vert/blanc (épitaxie InGaN/GaN).

Diodes laser (émetteurs de bord/VCSEL) dans les écrans et les communications.

Wafer en saphir électronique de puissance:

Appareils RF (5G/6G antennes, amplificateurs de puissance) en raison de la faible perte diélectrique.

Transistors à haute mobilité électronique (HEMT) pour véhicules électriques.

Wafer en saphir Industrie et défense:

fenêtres IR, dômes de missiles (transparence du saphir à mi-IR).

Couvercles de protection pour les capteurs dans des environnements corrosifs ou abrasifs.

Wafer en saphir Les technologies émergentes:

"Software" destiné à être utilisé pour la fabrication ou la fabrication d'appareils électroniques ou d'appareils électroniques.

Écrans de dispositifs portables (couvertures résistantes aux rayures).

Les spécifications

Équipement d'usine