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Détails des produits

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Équipement de semi-conducteur
Created with Pixso. Équipement de polissage à face unique de haute précision pour les plaquettes Si/SiC/saphir

Équipement de polissage à face unique de haute précision pour les plaquettes Si/SiC/saphir

Nom De Marque: ZMSH
Numéro De Modèle: ​​High-Precision Single-Side Polishing Equipment
MOQ: 3
Prix: by case
Délai De Livraison: 3-6 months
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Place of Origin:
CHINA
Certification:
rohs
Ability:
50mm/100mm/150mm/200mm
Power voltage:
3×16+2*10 (㎜²)
Compressed air source:
0.5-0.6MPa
Optimum Machining Size:
50-100 (mm)/50-150 (mm)/150-200 (mm)/200 (mm)
Materials​​:
Si Wafers/SiC/Sapphire
Packaging Details:
package in 100-grade cleaning room
Mettre en évidence:

équipement de polissage à face unique pour les plaquettes de Si

,

Machines de polissage de plaquettes au SiC

,

équipement de polissage de matières saphir

Description de produit

Résumé de l'équipement de polissage à une face de haute précision

 

 

Équipement de polissage à face unique de haute précision pour les plaquettes Si/SiC/saphir

 

 

 

L'équipement de polissage à face unique de haute précision est un outil d'usinage de précision spécialisé conçu pour les matériaux durs et fragiles (par exemple, des plaquettes de silicium semi-conducteurs, du carbure de silicium, de l'arsenure de gallium,Il obtient une finition de surface ultra-haute avec une planéité ≤ 0,01 mm et une rugosité de surface Ra ≤ 0,4 nm grâce à un broyage rotatif unidirectionnel et une synergie chimique.Cet équipement est largement utilisé dans l'amincissement des plaquettes de semi-conducteurs, le polissage des lentilles optiques, le traitement des composants d'étanchéité en céramique, et prend en charge à la fois le traitement en pièce unique et en lots, améliorant considérablement l'efficacité et la cohérence.

 

 

 

Équipement de polissage à face unique de haute précision pour les plaquettes Si/SiC/saphir 0Équipement de polissage à face unique de haute précision pour les plaquettes Si/SiC/saphir 1

 

 


 

Paramètres techniques des équipements de polissage à face unique de haute précision

 

 

Catégories Nom de l'article
Disque polluant Diamètre 820 (mm) 914 (mm) 1282 (mm) 1504 (mm)
Plaques en céramique Diamètre 305 (mm) 360 (mm) 485 (mm) D'une longueur de 5 mm
  Taille optimale de l'usinage 50 à 100 mm 50 à 150 mm 150 à 200 mm 200 mm)
Le pouvoir Disque polluant 11 11 18.5 30
  Outil polluant / 0.75×4 2.2×4 2.2
Taux de rotation Disque polluant 80 65 65 50
  Outil polluant / 65 65 50
Capacité 50 mm 72 / / /
  100 mm 20 28 56 /
  150 mm / 12 24 /
  200 mm / 4 12 20
Voltage de puissance 3 × 16 + 2 × 10 (mm2)
Source d'air comprimé 00,5-0,6 MPa
Taille / Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être égale ou supérieure à: Pour les appareils à commande numérique Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être égale ou supérieure à: Pour les véhicules à moteur électrique
Le poids / 2 000 kg 3500 kg 7500 kg 11826 kg

 

 


 

Principes de fonctionnement de l'équipement de polissage à face unique de haute précision


Équipement de polissage à face unique de haute précision pour les plaquettes Si/SiC/saphir 2

1. broyage mécanique:

  • Le disque de polissage supérieur tourne à 0 ̊90 RPM (réglable), combiné à des abrasifs (diamant, carbure de silicium) pour polisser la surface de la pièce par friction, en éliminant les couches d'oxydation et les micro-défects.

 

2Contrôle de pression:

  • Les soupapes et les bouteilles proportionnelles électro-pneumatiques permettent un réglage précis de la pression (15 à 1500 kg) et s'adaptent à une dureté de matériau variable.

 

3. refroidissement et lubrification:

  • Un système d'eau de refroidissement à recirculation (0,1 ∼0,2 MPa) maintient une température constante (10 ∼25 °C) pour supprimer la déformation thermique tout en fournissant une suspension de polissage pour une meilleure élimination des matériaux.

Je suis désolée.

4Contrôle du mouvement:

  • Le moteur à fréquence variable entraîne la rotation du disque inférieur.

 

 


 

Caractéristiques de l'équipement de polissage à une face de haute précision

 
 

Je suis désolée.Catégorie des caractéristiques

 

Détails techniques

 

Cadre à haute rigidité

Je suis désolée.

Structure de coulée-forge intégrée, capacité anti-déformation supérieure de 50%; système hydraulique à quatre points assure une vibration < 0,01 mm à grande vitesse.

 

Les composantes internationales

 

Les pièces de base (par exemple, boîtes de vitesses, roulements) utilisent l'Allemagne SEW, le Japon THK, la Suisse SKF, atteignant une précision de transmission de <0,005 mm; Siemens PLC + onduleur Schneider pour une régulation de vitesse sans pas de 0 ̊180 RPM.

 

Interface intelligente

 

L'écran tactile industriel de 10 pouces prend en charge les recettes prédéfinies (polissage brut, polissage fin, réparation de disque), la surveillance en temps réel (pression/température/vitesse) et les alarmes d'arrêt automatique (taux de défaut < 0)..05%).

 

Configuration flexible

 

tailles de disques de polissage de φ300 mm à φ1900 mm, pouvant accueillir des pièces de 3 ̊1850 mm; options de puissance allant d'un moteur unique (7,5 kW) à plusieurs moteurs (total 30 kW),d'une hauteur n'excédant pas 10 mm.

 

 

 


 

Applications de l'équipement de polissage à face unique de haute précision

Équipement de polissage à face unique de haute précision pour les plaquettes Si/SiC/saphir 3

 

1Industrie des semi-conducteurs

  • L' éclaircissement des plaquettes:L'élasticité de la plaque de carbure de silicium avec une tolérance d'épaisseur de ± 0,5 μm pour les plaques de 8 pouces.
  • Polissage à l'arsenure de gallium/saphir bleu:Roughness de surface Ra < 0,4 nm pour les LED et les appareils laser.

 

2Optique et appareils de précision:

  • Je suis désolée.Lentilles optiques ou à quartz:Finition en forme de miroir (λ/20 pour λ=632,8 nm) pour les lentilles de caméra et les objectifs de microscope.
  • Anneaux d'étanchéité en céramiquePlateur < 0,035 mm pour les pompes hydrauliques à haute pression et les vannes nucléaires.

Je suis désolée.

3Électronique et nouvelle énergie:

  • Les composants suivants sont utilisés:Consistance d'épaisseur < 3 μm pour améliorer la dissipation thermique.
  • électrodes de batterie au lithium:Roughness Ra < 10 nm pour réduire la résistance interne et la production de chaleur.

Je suis désolée.

4Aérospatiale et Défense:

  • Les roulements en acier au tungstène et les joints en titane:Les caractéristiques suivantes sont utilisées:
  • Vitres à infrarouge:Propriétés de faible diffusion pour télescopes et systèmes de guidage de missiles.

 

 

Équipement de polissage à face unique de haute précision pour les plaquettes Si/SiC/saphir 4

 

 


 

Équipement de polissage à une face de haute précisionQuestions fréquentes

 

 

Je suis désolée.1. Q: Quels sont les principaux avantages de votre équipement de polissage à un seul côté de haute précision?

R: Réalise une précision sous micron avec une efficacité élevée, idéale pour les plaquettes de silicium, le SiC et le saphir dans la fabrication de semi-conducteurs.

 

 

2Q: Quels sont les matériaux semi-conducteurs que cette machine de polissage à une seule face peut traiter?

R: Spécialement conçu pour les plaquettes de silicium, le carbure de silicium (SiC) et les substrats de saphir.

 

 


Je ne sais pas.Équipement de polissage à une face de haute précision# Personnalisé #Si Wafers/SiC/Matériaux en saphir