​​Plaquette SiC HPSI 2-12 pouces de qualité optique pour lunettes IA/RA​​

Plaquette HPSI SiC 2-12 pouces de qualité optique pour lunettes IA/RA

Les plaquettes SiC de type HPSI (carbure de silicium semi-isolant de haute pureté) servent de matériaux optiques de base dans les lunettes IA et RA. Avec leur indice de réfraction élevé (2,6–2,7 @ 400–800 nm) et leurs faibles caractéristiques d'absorption optique, elles résolvent des problèmes tels que les « effets arc-en-ciel » et une transmission de la lumière insuffisante dans les matériaux traditionnels en verre ou en résine pour les guides d'ondes RA. Par exemple, les lunettes RA Orion de Meta utilisent des lentilles à guide d'ondes HPSI SiC, atteignant un champ de vision (FOV) ultra-large de 70°–80° avec une épaisseur de lentille monocouche de seulement 0,55 mm et un poids de 2,7 g, améliorant considérablement le confort de port et l'immersion.

Principales caractéristiques et avantages des plaquettes HPSI SiC

Propriétés des matériaux, performances optiques et valeur d'application

1. Indice de réfraction : 2,6–2,7

• Cet indice de réfraction élevé permet de remplacer les structures optiques multicouches par une lentille monocouche, réduisant ainsi la perte de lumière et améliorant la luminosité et la précision des couleurs. Par conséquent, il permet des affichages visuels plus purs, élimine les effets arc-en-ciel et prend en charge une intégration transparente avec les Micro LED haute résolution.

2. Conductivité thermique : 490 W/m·K

• Le matériau dissipe rapidement la chaleur générée par les Micro LED haute puissance, empêchant la déformation des lentilles et prolongeant la durée de vie de l'appareil. Cela garantit des performances stables, même dans des environnements à haute température, comme une utilisation en extérieur.

3. Dureté Mohs : 9,5

• Avec une résistance exceptionnelle aux rayures, le matériau résiste à l'usure quotidienne. Cela réduit les besoins de maintenance et prolonge la durée de vie des lentilles, améliorant ainsi la convivialité à long terme.

4. Semi-conducteur à large bande interdite

• Sa compatibilité avec les procédés CMOS permet la lithographie et la gravure à l'échelle nanométrique pour une fabrication précise de réseaux optiques. Cela facilite la production à l'échelle des plaquettes de composants optiques avancés tels que les guides d'ondes diffractifs et les micro-résonateurs.

Principales applications des plaquettes HPSI SiC

Plaquette HPSI SiCParamètre clé

Comparaison des spécifications des substrats SiC semi-isolants de 4 et 6 pouces
Paramètre	Qualité	Substrat de 4 pouces	Substrat de 6 pouces
Diamètre	Qualité Z / Qualité D	99,5 mm - 100,0 mm	149,5 mm - 150,0 mm
Polytype	Qualité Z / Qualité D	4H	4H
Épaisseur	Qualité Z	500 µm ± 15 µm	500 µm ± 15 µm
	Qualité D	500 µm ± 25 µm	500 µm ± 25 µm
Orientation de la plaquette	Qualité Z / Qualité D	Sur l'axe : <0001> ± 0,5°	Sur l'axe : <0001> ± 0,5°
Densité des micropores	Qualité Z	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
	Qualité D	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Résistivité	Qualité Z	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
	Qualité D	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Orientation du plat principal	Qualité Z / Qualité D	(10-10) ± 5,0°	(10-10) ± 5,0°
Longueur du plat principal	Qualité Z / Qualité D	32,5 mm ± 2,0 mm	Encoche
Longueur du plat secondaire	Qualité Z / Qualité D	18,0 mm ± 2,0 mm	-
Exclusion des bords	Qualité Z / Qualité D	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Voile / Gauche	Qualité Z	≤ 2,5 µm / ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 30 µm	≤ 2,5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm
	Qualité D	≤ 10 µm / ≤ 15 µm / ≤ 25 µm / ≤ 40 µm	≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 80 µm
Rugosité	Qualité Z	Polissage Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polissage Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
	Qualité D	Polissage Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polissage Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Fissures de bord	Qualité D	Surface cumulée ≤ 0,1 %	Longueur cumulée ≤ 20 mm, simple ≤ 2 mm
Zones polytypiques	Qualité D	Surface cumulée ≤ 0,3 %	Surface cumulée ≤ 3 %
Inclusions visuelles de carbone	Qualité Z	Surface cumulée ≤ 0,05 %	Surface cumulée ≤ 0,05 %
	Qualité D	Surface cumulée ≤ 0,3 %	Surface cumulée ≤ 3 %
Rayures de surface en silicium	Qualité D	5 autorisées, chacune ≤ 1 mm	Longueur cumulée ≤ 1 x diamètre
Éclats de bord	Qualité Z	Aucun autorisé (largeur et profondeur ≥ 0,2 mm)	Aucun autorisé (largeur et profondeur ≥ 0,2 mm)
	Qualité D	7 autorisés, chacun ≤ 1 mm	7 autorisés, chacun ≤ 1 mm
Désalignement de la vis de filetage	Qualité Z	-	≤ 500 cm²
Emballage	Qualité Z / Qualité D	Cassette multi-plaquettes ou conteneur pour plaquette unique	Cassette multi-plaquettes ou conteneur pour plaquette unique

 

 

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Services ZMSH

 

 

ZMSH, en tant qu'entité de fabrication et de commerce intégrée, fournit des solutions de bout en bout pour les produits SiC :

 

• Intégration verticale : Les fours de croissance cristalline internes produisent des plaquettes de type 4H-N, 4H-HPSI, 6H-P et 3C-N (2–12 pouces), avec des paramètres personnalisables (par exemple, concentration de dopage, résistance à la flexion).

• Traitement de précision :

1. Découpe au niveau de la plaquette : Le découpage laser et le polissage chimico-mécanique (CMP) permettent d'obtenir une rugosité de surface < 0,3 nm.
2. Formes personnalisées : Produit des prismes, des plaquettes carrées et des réseaux de guides d'ondes pour l'intégration de modules optiques RA.

• Contactez-nous : Échantillons et consultations techniques disponibles. Support complet, de la validation de la conception à la production de masse.

 

 

 

 

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Produits SiC de ZMSH

 

 

Plaquettes SiC 4H-Semi

 

 

1. Plaquettes SIC 4H-Semi haute pureté de 4 " de qualité supérieure, substrats EPI pour semi-conducteurs, qualité optique pour lunettes RA

 

 

 

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Plaquettes SiC 4H-N

 

 

2. Substrat en carbure de silicium SiC 4H-N de 4 pouces, diamètre 100 mm, type N, qualité supérieure, qualité factice, épaisseur 350 um, personnalisé

 

 

 

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Autres types d'échantillons SiC

 

 

 

Q1 : Pourquoi la plaquette HPSI SiC est-elle essentielle pour les lunettes RA ?

R1 : L'indice de réfraction élevé (2,6–2,7) et la faible absorption optique de la plaquette HPSI SiC éliminent les effets arc-en-ciel dans les écrans RA tout en permettant des guides d'ondes ultra-minces (par exemple, les lentilles de 0,55 mm de Meta Orion).

Q2 : En quoi le HPSI SiC diffère-t-il du verre traditionnel dans l'optique RA ?

R2 : Le HPSI SiC offre un indice de réfraction 2x plus élevé que le verre (~2,0), ce qui permet un FOV plus large et des guides d'ondes monocouches, ainsi qu'une conductivité thermique de 490 W/m·K pour gérer la chaleur des Micro LED.

Q3 : Le HPSI SiC est-il compatible avec d'autres matériaux semi-conducteurs ?

R3 : Oui, il s'intègre avec le GaN et le silicium dans les systèmes hybrides, mais sa stabilité thermique et ses propriétés diélectriques le rendent supérieur pour l'optique RA haute puissance.

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