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Substrat de saphir carré monocristallin (plan C, SSP) 10x10 mm poli simple face

Nom De Marque:	ZMSH
MOQ:	10
Délai De Livraison:	2-4 semaines
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shanghai

Matériel:

Haute pureté > 99,99 %, monocristal Al₂O₃

Dimension:

10 × 10 mm

Épaisseur:

1 mm (autres épaisseurs disponibles sur demande)

Orientation:

Plan C (0001) à M (1-100) 0,2° ± 0,1° de réduction

Paramètre de trellis:

a = 4,785 Å, c = 12,991 Å

Densité:

30,98 g/cm3

Coefficient de dilatation thermique:

6,66×10⁻⁶ /°C (‖C-axe), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-axe)

Résistance diélectrique:

4,8 × 10⁵ V/cm

Constante diélectrique:

11,5 (‖axe C), 9,3 (⊥axe C) à 1 MHz

Tangente de perte diélectrique:

< 1×10⁻⁴

Conductivité thermique:

40 W/(m·K) à 20°C

Polissage:

Poli sur une seule face (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM) ; face arrière finement moulue Ra = 0,8–1,2 μm

Mettre en évidence:

Substrat de saphir SSP

Substrat de saphir carré monocristallin

Substrat de saphir plan C

Description de produit

Substrat de saphir monocristallin carré (plan C, SSP) 10x10 mm poli simple face

Substrat de saphir carré (SSP) Description du produit

Le substrat de saphir carré (SSP) est fabriqué à partir d'Al₂O₃ monocristallin de haute pureté (>99,99%), offrant une excellente résistance mécanique, une stabilité thermique et une transparence optique. Avec une orientation plan C (0001) et une surface polie simple face (SSP), il est idéal pour la croissance épitaxiale, la production de LED à base de GaN, les composants optiques et les applications à haute température ou sous vide.

Principales spécifications du substrat de saphir carré (SSP)

Paramètre	Spécification
Matériau	Haute pureté >99,99%, Al₂O₃ monocristallin
Dimension	10 × 10 mm
Épaisseur	1 mm (autres épaisseurs disponibles sur demande)
Orientation	Plan C (0001) à M (1-100) décalé de 0,2° ± 0,1°
Paramètre de réseau	a = 4,785 Å, c = 12,991 Å
Densité	3,98 g/cm³
Coefficient de dilatation thermique	6,66×10⁻⁶ /°C (‖axe C), 5×10⁻⁶ /°C (⊥axe C)
Résistance diélectrique	4,8×10⁵ V/cm
Constante diélectrique	11,5 (‖axe C), 9,3 (⊥axe C) @ 1 MHz
Tangente de perte diélectrique	< 1×10⁻⁴
Conductivité thermique	40 W/(m·K) à 20°C
Polissage	Poli simple face (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM) ; dos finement rectifié Ra = 0,8–1,2 μm

Substrat de saphir carré (SSP) Caractéristiques et avantages

Stabilité chimique et thermique exceptionnelle
Haute transparence optique et planéité de surface
Faible perte diélectrique et conductivité thermique élevée
Excellente dureté mécanique et résistance aux rayures
Disponible en tailles, orientations et épaisseurs personnalisées

Substrat de saphir carré (SSP) Applications

Croissance épitaxiale GaN et AlN
Fabrication de LED et de diodes laser
Fenêtres optiques et infrarouges
Dispositifs RF et micro-ondes haute puissance
Recherche et tests de semi-conducteurs

Étiquettes:

verre fait sur commande de saphir