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Substrat de saphir carré 10×10×1mm, plan C, DSP, monocristal de haute pureté Al₂O₃

Nom De Marque:	ZMSH
MOQ:	10
Délai De Livraison:	2-4 semaines
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shanghai

Matériel:

Haute pureté > 99,99 %, monocristal Al₂O₃

Dimension:

10 × 10 mm

Épaisseur:

1 mm (autres épaisseurs disponibles sur demande)

Orientation:

Plan C (0001) à M (1-100) 0,2° ± 0,1° de réduction

Paramètre de trellis:

a = 4,785 Å, c = 12,991 Å

Densité:

30,98 g/cm3

Coefficient de dilatation thermique:

6,66×10⁻⁶ /°C (‖C-axe), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-axe)

Résistance diélectrique:

4,8 × 10⁵ V/cm

Constante diélectrique:

11,5 (‖axe C), 9,3 (⊥axe C) à 1 MHz

Tangente de perte diélectrique:

< 1×10⁻⁴

Conductivité thermique:

40 W/(m·K) à 20°C

Mettre en évidence:

Avion Sapphire Substrate de C

Substrate de saphir monocristallin

Substrat de saphir carré

Description de produit

Substrat de saphir (DSP)Aperçu

Le substrat de saphir poli double face (DSP) est fabriqué à partir d'oxyde d'aluminium (Al₂O₃) monocristallin de haute pureté (>99,99 %). Avec les deux faces polies avec précision pour une planéité au niveau atomique (Ra < 0,3 nm), ce matériau offre une excellente transparence optique, une résistance mécanique et une stabilité thermique. Il est largement utilisé dans les fenêtres optiques, les composants laser, l'épitaxie des semi-conducteurs et les applications de recherche scientifique.

Substrat de saphir (DSP)Spécifications clés

Paramètre	Spécification
Matériau	Haute pureté >99,99 %, Al₂O₃ monocristallin
Dimension	10 × 10 mm
Épaisseur	1 mm (autres épaisseurs disponibles sur demande)
Orientation	Plan C (0001) à M (1-100) 0,2° ± 0,1° hors axe
Paramètre de réseau	a = 4,785 Å, c = 12,991 Å
Densité	3,98 g/cm³
Coefficient de dilatation thermique	6,66×10⁻⁶ /°C (\|\| axe C), 5×10⁻⁶ /°C (⊥ axe C)
Résistance diélectrique	4,8×10⁵ V/cm
Constante diélectrique	11,5 (\|\| axe C), 9,3 (⊥ axe C) @ 1 MHz
Tangente de perte diélectrique	< 1×10⁻⁴
Conductivité thermique	40 W/(m·K) à 20°C
Qualité de surface	Double face polie (DSP), Ra < 0,3 nm (AFM) sur les deux faces
Planéité	≤ λ/10 @ 633 nm (typique)
Parallélisme	< 10 secondes d'arc

Substrat de saphir (DSP)Caractéristiques et avantages

Polissage optique double face pour une excellente planéité et un excellent parallélisme
Haute transparence des régions UV aux IR
Dureté supérieure (Mohs 9) et résistance aux rayures
Stabilité thermique et chimique exceptionnelle
Excellentes performances diélectriques et isolantes
Tailles et orientations personnalisées disponibles sur demande

Substrat de saphir (DSP)Applications

Fenêtres optiques et protections
Spectroscopie infrarouge et UV
Optique laser et composants photoniques
Substrat de croissance épitaxiale GaN/AlN
Dispositifs électroniques haute puissance et RF
Laboratoires de recherche et tests de semi-conducteurs

Étiquettes:

Plaquette micro-via TGV saphir de petite taille pour le prototypage en laboratoire, les dispositifs MEMS et les applications de micro-structures optiques

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