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Détails des produits

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Sic substrat
Created with Pixso. Wafer SiC de type 6H-N: substrat de 2 pouces, épaisseur 350 μm ou 650 μm

Wafer SiC de type 6H-N: substrat de 2 pouces, épaisseur 350 μm ou 650 μm

Nom De Marque: ZMSH
Numéro De Modèle: 6h-n 2 pouces
MOQ: 3pcs
Prix: by case
Délai De Livraison: 2 semaines
Conditions De Paiement: T/T, Union occidentale
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Certification:
ROHS
Matériel:
SIC en cristal
Taille:
2 pouces
Épaisseur:
350um ou 330um
Surface:
CMP chez si-face,c-face mp
Couleur:
Transparent
Taper:
6H-N
Résistivité:
0.015~0.028ohm.cm
RA:
<0,2 nm si-face
Détails d'emballage:
boîte simple de gaufrette
Capacité d'approvisionnement:
5000 pièces/mois
Mettre en évidence:

Substrate de 2 pouces pour une plaque SiC de type 6H-N

,

Substrate SiC d'une épaisseur de 350 μm

,

Wafer SiC d'une épaisseur de 650 μm

Description de produit
Description du produit: Solution de plaquettes en carbure de silicium (SiC)
Vue d'ensemble du produit

À mesure que les marchés des transports, de l'énergie et de l'industrie évoluent, la demande d'électronique de puissance fiable et haute performance continue de croître.Pour répondre aux exigences relatives à l'amélioration des performances des semi-conducteurs, les fabricants d'appareils se tournent vers des matériaux semi-conducteurs à large bande, tels que nos plaquettes 4H-SiC Prime Grade (4H-type n-type carbure de silicium).Ces plaquettes offrent une qualité cristalline exceptionnelle et une faible densité de défauts., ce qui les rend idéales pour des applications exigeantes.

Principales caractéristiques
  • Optimisation des performances et des coûts

    Des diamètres de plaquette plus grands permettent des économies d'échelle dans la fabrication de semi-conducteurs, réduisant ainsi le coût total de possession.

  • Compatibilité

    Conçus pour assurer la compatibilité mécanique avec les procédés de fabrication de dispositifs existants et émergents.

  • Personnalisation

    Peut être adapté pour répondre à des exigences spécifiques en matière de performance et de coût pour la conception des dispositifs.

  • Assurance qualité

    Des plaquettes à faible densité de défaut sont disponibles (MPD ≤ 0,1 cm−2, TSD ≤ 400 cm−2, BPD ≤ 1 500 cm−2).

Spécifications techniques
Paramètre 4H-SiC (crystal unique) 6H-SiC (crystal unique)
Paramètres de la grille a=3,076Å, c=10,053Å a=3,073Å, c=15,117Å
Séquence d'empilement Le code ABC Le numéro de série
Dureté de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densité 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Coefficient de dilatation thermique 4 à 5*10−6/K 4 à 5*10−6/K
Indice de réfraction @750 nm n0 est égal à 2.61, ne = 2.66 n0 est égal à 2.60, ne = 2.65
Constante diélectrique c~9.66 c~9.66
Conductivité thermique (type N) a ~ 4,2 W/cm·K @ 298K C ~ 3,7 W/cm·K @ 298K
Conductivité thermique (semi-isolant) a ~ 4,9 W/cm·K @ 298K c~3,9 W/cm·K @298K
- Une bande. 3.23 eV 30,02 eV
Décomposition du champ électrique 3-5*106 V/cm 3-5*106 V/cm
Vitesse de dérive de saturation 2.0*105 m/s 2.0*105 m/s

Wafer SiC de type 6H-N: substrat de 2 pouces, épaisseur 350 μm ou 650 μm 0Wafer SiC de type 6H-N: substrat de 2 pouces, épaisseur 350 μm ou 650 μm 1Wafer SiC de type 6H-N: substrat de 2 pouces, épaisseur 350 μm ou 650 μm 2

 

Série de produits
  • Waffles de 2 pouces

    Disponible en épaisseurs de 0,33 mm ou 0,43 mm.

  • Substrats à base de SiC 6H-N/4H-N

    Structures monocristallines de haute pureté pour l'électronique de puissance.

  • Waffles de 150 mm

    permettent d'améliorer les économies d'échelle par rapport à la fabrication de dispositifs de 100 mm.

Services de personnalisation

Nous offrons une gamme complète d'options de personnalisation, notamment:

  • Spécifications du matériau (résistance, type de dopage, etc.).
  • Optimisation de la taille de la gaufre (150 mm et plus).
  • Personnalisation du traitement de surface.
  • Les revêtements spéciaux (p. ex. revêtements optiques).
Produits d'inventaire
Taille Épaisseur Le type Grade
2 pouces 330 μm 4H-N/4H-Semi/6H-Semi le mannequin/la recherche/la production
3 pouces 350 μm 4H-N/4H-Semi HPSI le mannequin/la recherche/la production
4 pouces 350 μm 4H-N/500 μm HPSI le mannequin/la recherche/la production
6 pouces 350 μm 4H-N/500μm 4H-Semi le mannequin/la recherche/la production
Appui technique

Pour les spécifications techniques détaillées, veuillez consulter notre PDF technique de plaquette en carbure de silicium de 150 mm.

Questions fréquemment posées
  • Méthodes de transport

    Si vous avez votre propre compte de messagerie avec DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS ou SF Express, nous pouvons agir comme votre agent d'expédition.

  • Méthodes de paiement

    T/T, PayPal, Western Union, MoneyGram, lettre de crédit. Frais bancaires: ≤ USD1000 pour Western Union; T/T supérieur à USD1000 nécessite un virement télégraphique.

  • Délai de livraison
    • Produits en stock: 5 jours ouvrables.
    • Produits sur mesure: 7 à 25 jours ouvrables (selon le volume de la commande).
  • Capacités de personnalisation

    Nous pouvons personnaliser les spécifications des matériaux, les paramètres de taille et les revêtements optiques pour répondre à vos besoins spécifiques.