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Détails des produits

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Gaufrette de silicium d'IC
Created with Pixso. Des plaquettes de silicium personnalisées de 4 pouces (100 mm): épaisseur de 350 μm, orientation <100, DSP/SSP, dopage de type N/P

Des plaquettes de silicium personnalisées de 4 pouces (100 mm): épaisseur de 350 μm, orientation <100, DSP/SSP, dopage de type N/P

Nom De Marque: ZMSH
Numéro De Modèle: GAUFRETTE DE SI
Délai De Livraison: 4-6 semaines
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Matériel:
Si à cristal unique
Taille:
4 pouces
Épaisseur:
350 mm
Orientation cristalline:
Le taux de change
Densité:
2,4 g/cm3
Type de dopage:
Type P ou type N
Description de produit
Description de la galette au Si

Les plaquettes de silicium sont des disques fins et plats fabriqués à partir de silicium monocristallin hautement purifié, largement utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs.Ces plaquettes servent de substrat fondamental pour la production de circuits intégrés et de divers appareils électroniques.

Les plaquettes de silicium ont généralement un diamètre de 50 mm à 300 mm, avec une épaisseur de 200 μm à 775 μm selon la taille.Ils sont fabriqués selon les méthodes Czochralski (CZ) ou Float-Zone (FZ) et sont polies pour obtenir une surface miroir avec une rugosité minimale.Le dopage avec des éléments tels que le bore (pour le type P) ou le phosphore (pour le type N) modifie leurs propriétés électriques.

Les principales propriétés des plaquettes de silicium comprennent une conductivité thermique élevée, un faible coefficient de dilatation thermique et une excellente résistance mécanique.Ils peuvent également comporter des couches épitaxiennes ou des couches minces de dioxyde de silicium pour améliorer les propriétés électriques et l'isolationCes plaquettes sont traitées et manipulées dans des environnements de salle blanche pour maintenir leur pureté, ce qui garantit un rendement élevé et une fiabilité dans la fabrication de semi-conducteurs.

Des plaquettes de silicium personnalisées de 4 pouces (100 mm): épaisseur de 350 μm, orientation <100, DSP/SSP, dopage de type N/P 0Des plaquettes de silicium personnalisées de 4 pouces (100 mm): épaisseur de 350 μm, orientation <100, DSP/SSP, dopage de type N/P 1

 

Vue d'ensemble du produit

Les plaquettes de silicium, également appelées substrats de silicium, sont disponibles dans diverses orientations cristallines (y compris <100>, <110> et <111>) et des tailles standard allant de 1 pouce à 4 pouces.Ces substrats de silicium monocristallin sont produits avec une pureté élevée et peuvent être personnalisés selon des exigences de conception spécifiques.

Principales caractéristiques

  • Fabriqué à partir de silicium monocristallin de haute pureté (99,999%)
  • Prend en charge les dessins et les illustrations personnalisés
  • La résistance varie selon le type de dopage
  • Disponible en type P (dopé au bore) ou en type N (dopé au phosphore/arsenic)
  • Largement utilisé dans les circuits intégrés (CI), les photovoltaïques et les dispositifs MEMS

Description détaillée

Les plaquettes de silicium sont des disques plats ultra-minces fabriqués à partir de silicium monocristallin hautement raffiné.Ils servent de substrats fondamentaux dans la fabrication de semi-conducteurs pour la production de circuits intégrés et de composants électroniquesLes diamètres standard varient de 50 mm à 300 mm, avec des épaisseurs variant entre 200 μm et 775 μm.les plaquettes sont polissées avec précision pour obtenir des surfaces miroir avec une rugosité minimaleLe dopage avec des éléments tels que le bore (type P) ou le phosphore (type N) permet des caractéristiques électriques sur mesure.et résistance mécanique robusteLes couches épitaxielles ou les revêtements au dioxyde de silicium peuvent améliorer les performances.

Spécifications techniques

Les biens immobiliers Détails
Méthode de croissance Czochralski (CZ), zone flottante (FZ)
Structure cristalline Pour les produits chimiques
La différence de bande 1.12 eV
Densité 2.4 g/cm3
Point de fusion 1420°C
Type de dopant Non dopé, de type P
Résistance > 10000 Ω·cm
DPE < 100/cm2
Contenu en oxygène ≤ 1 × 1018/cm3
Contenu en carbone ≤ 5 × 1016/cm3
Épaisseur 150 μm, 200 μm, 350 μm, 500 μm ou sur mesure
Polissage Polissage à une ou deux faces
L'orientation cristalline Le point de contact doit être situé à l'extérieur de l'angle de contact.
Roughness de la surface Ra ≤ 5Å (5 μm × 5 μm)

Des échantillons de la galette de Si

Wafer en Si de 4 pouces avec un diamètre de 100 mm, une épaisseur de 350 μm, une orientation <100>, des options DSP/SSP et des variantes personnalisées de type N ou P.

Si vous avez d'autres exigences, n'hésitez pas à nous contacter pour la personnalisation.

À propos de nous

Notre société, ZMSH, est spécialisée dans la recherche, la production, le traitement et la vente de substrats de semi-conducteurs et de matériaux cristallins optiques.,Nous disposons d'équipements de traitement de précision et d'instruments d'essai, nous possédons de solides capacités dans le traitement de produits non standard.et de concevoir divers nouveaux produits selon les besoins des clients. Adhérant au principe de "centré sur le client, basé sur la qualité", nous nous efforçons de devenir une entreprise de haute technologie de premier plan dans le domaine des matériaux optoélectroniques.

Des plaquettes de silicium personnalisées de 4 pouces (100 mm): épaisseur de 350 μm, orientation <100, DSP/SSP, dopage de type N/P 2

 

Questions fréquentes
  1. Q: Quelle est la différence entre les plaquettes Si de type P et de type N?
    R: Les plaquettes de silicium de type P ont des trous comme principaux porteurs de charge, tandis que les plaquettes de type N ont des électrons.
  2. Q: Quelles sont les principales différences entre les plaquettes Si, les plaquettes SiO2 et les plaquettes SiC?
    R: Les plaquettes de silicium (Si) sont des substrats de silicium pur principalement utilisés dans les appareils semi-conducteurs.Les plaquettes en carbure de silicium (SiC) sont composées d'un composé de silicium et de carbone, offrant une plus grande conductivité thermique et une plus grande durabilité, ce qui les rend adaptés aux applications à haute puissance et à haute température.