Plaquette de silicium dopé N de 4 pouces (100) avec film mince de 100 nm de Ti + 200 nm de Cu sur plaquette de silicium Ti/Cu

Aperçu du produit

Cette plaquette de silicium dopé N de 4 pouces (100 mm), d'orientation cristalline <100> est recouverte d'une couche d'adhérence de titane (Ti) de 100 nm et d'une couche conductrice de cuivre (Cu) de 200 nm.

La couche de Ti sert de tampon d'adhérence et de barrière de diffusion solides, améliorant la fixation du film de Cu et la stabilité thermique. La couche de Cu offre une conductivité électrique élevée, ce qui rend cette plaquette adaptée à la microélectronique, aux dispositifs MEMS, aux capteurs et aux applications de recherche.

La plaquette est polie sur une seule face (SSP) et fournie dans un emballage en salle blanche pour garantir une manipulation sans contamination pour les applications de précision.

La structure en film mince est optimisée pour obtenir une épaisseur uniforme, des performances électriques constantes et une adhérence fiable. La plaquette est idéale pour les applications nécessitant une interface Cu/Ti de haute qualité sur des substrats en silicium.

Spécificationsons

Applications

• Couches d'interconnexion de semi-conducteurs

• Microstructures et électrodes MEMS

• Dispositifs de capteurs et plots de contact

• Recherche et développement en électronique à couches minces

• Plaquettes de test à haute conductivité pour la microfabrication

Principales caractéristiques

• La couche d'adhérence en Ti assure une forte liaison Cu-Si

• La couche de Cu de 200 nm fournit un chemin conducteur à faible résistance

• La couche de Ti agit comme une barrière de diffusion pour améliorer la stabilité thermique

• Le dépôt PVD assure une épaisseur et une qualité de surface constantes

• L'emballage en salle blanche maintient la propreté et l'intégrité de la plaquette

Notes d'utilisation et de stockage

• Manipuler en salle blanche ou dans un environnement à faible poussière

• Pour les traitements à haute température, optimiser les conditions pour éviter l'interdiffusion Cu/Si

• Conserver dans un environnement sec et à faible contrainte pour maintenir l'intégrité du film mince

• Éviter le contact direct avec la surface revêtue

FAQ

1. Quelle est l'uniformité des films minces de Cu/Ti sur la plaquette ?
La couche d'adhérence en Ti et la couche conductrice en Cu sont déposées à l'aide de techniques PVD à vide poussé, assurant une épaisseur uniforme sur la plaquette de 4 pouces. L'épaisseur du film de Cu est de 200 nm et la couche de Ti est de 100 nm, avec une variation minimale adaptée à la microélectronique et aux applications de recherche.

2. Cette plaquette peut-elle être utilisée dans des procédés à haute température ?
Oui, mais des précautions sont recommandées. La couche de Ti agit comme une barrière de diffusion pour empêcher le Cu de diffuser dans le substrat de silicium. Il est conseillé d'optimiser la température et les conditions de traitement pour maintenir l'intégrité et l'uniformité du film.

3. Comment la plaquette doit-elle être stockée et manipulée ?
La plaquette doit être manipulée dans une salle blanche ou dans un environnement à faible poussière pour éviter toute contamination. Conserver dans un environnement sec et à faible contrainte. Éviter de toucher directement la surface revêtue. Chaque plaquette est fournie dans un sac en plastique de classe 100 à l'intérieur d'un emballage de salle blanche de classe 1000.

Produits connexes

Plaquettes de silicium plaquées or Si 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Matériaux de revêtement métallique Au