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Détails des produits

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Sic substrat
Created with Pixso. Substrats en SiC 6H de qualité industrielle pour l'électronique haute température, UV et de précision

Substrats en SiC 6H de qualité industrielle pour l'électronique haute température, UV et de précision

Nom De Marque: ZMSH
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shanghai, Chine
Matériel:
SiC 6H monocristallin
Structure cristalline:
Hexagonale (6H)
Diamètre / Taille:
25 mm (2″), 50 mm (4″), 100 mm (4″), 150 mm (6″), 200 mm (8″), 300 mm (12″) ; tailles carrées ou per
Épaisseur:
350 à 1 000 µm (personnalisable)
Finition superficielle:
CMP Epi-ready, poli double face (DSP), poli simple face (SSP)
Variation totale de l'épaisseur (TTV):
≤5 µm typique
Vue d' orbite.:
≤40 µm (6″ typique)
Conductivité:
Options de type N (conducteur), semi-isolant (SI)
Description de produit

Substrats SiC 6H de qualité industrielle pour l'électronique haute température, UV et de précision


Présentation du produit


Les substrats en carbure de silicium (SiC) 6H sont des tranches monocristallines de haute qualité conçues pour les applications optoélectroniques spécialisées à haute température et haute tension. Contrairement au SiC 4H, le 6H offre un polytype hexagonal différent avec une mobilité électronique légèrement inférieure mais une excellente stabilité thermique, résistance mécanique et rentabilité pour des utilisations de niche telles que les LED UV, les capteurs haute température et l'électronique industrielle.



Substrats en SiC 6H de qualité industrielle pour l'électronique haute température, UV et de précision 0Substrats en SiC 6H de qualité industrielle pour l'électronique haute température, UV et de précision 1

Principales fonctionnalités


  • Structure cristalline hexagonale 6H :Assure la stabilité dimensionnelle et la robustesse mécanique pendant le traitement des plaquettes.

  • Propriétés électriques :Mobilité électronique modérée adaptée aux appareils à haute température et haute tension ; prend en charge des empreintes d'appareil plus petites.

  • Conductivité thermique (~390-450 W/m·K) :Dissipation thermique efficace dans les modules de puissance et les environnements difficiles.

  • Résistance mécanique et résistance chimique :Haute dureté et résistance à la corrosion pour une fiabilité à long terme.

  • Options de surface épi-prêtes :Compatible avec la croissance épitaxiale, y compris le recuit à l'hydrogène et le polissage CMP.

  • Tailles et épaisseurs personnalisables :Disponible en diamètres standards ou sur mesure pour des besoins de production spécifiques.


Applications


  • Dispositifs et capteurs à semi-conducteurs haute température

  • LED UV et optoélectronique spécialisée

  • L'électronique aérospatiale et automobile exposée à des conditions extrêmes

  • Electronique industrielle nécessitant des composants compacts et robustes

  • Recherche et développement dans les semiconducteurs à large bande interdite


Spécifications techniques (typiques et personnalisables)



Paramètre Spécification
Matériel SiC 6H monocristallin
Structure cristalline Hexagonale (6H)
Diamètre / Taille 25 mm (2″), 50 mm (4″), 100 mm (4″), 150 mm (6″), 200 mm (8″), 300 mm (12″) ; tailles carrées ou personnalisées disponibles
Épaisseur 350 à 1 000 µm (personnalisable)
Finition de surface CMP Epi-ready, poli double face (DSP), poli simple face (SSP)
Variation d'épaisseur totale (TTV) ≤5 µm typique
Arc / Chaîne ≤40 µm (6″ typique)
Densité des microtuyaux <0,1 cm⁻² cible industrielle ; qualités premium <0,01 cm⁻²
Densité de luxation <10⁴ cm⁻² (objectif de rendement haute tension)
Conductivité Options de type N (conducteur), semi-isolant (SI)
Prêt pour l'épi Oui — compatible avec la croissance épitaxiale


Avantages du substrat carré


  • Capteurs haute température et LED UV :Les substrats carrés assurent un alignement précis des électrodes et des bases de boîtier.

  • Electronique industrielle :Permet une conception compacte avec une intégration élevée, réduisant ainsi les écarts entre l'emballage et le substrat.

  • Circuits RF et hyperfréquences (option SI) :Perte de signal réduite pour les applications haute fréquence.

Processus de fabrication

  1. Synthèse de poudre : matière première SiC de haute pureté.

  2. Montage des graines : graines 6H attachées dans une ampoule de croissance.

  3. Croissance à haute température : la sublimation à 2 300–2 500 °C forme une boule de SiC.

  4. Tranchage : Le fil diamanté scie les tranches de plaquettes.

  5. Polissage et inspection : polissage CMP ou diamant pour une surface épi-prête ; métrologie et certificat d’analyse (CoA) fournis.

Applications et cas d'utilisation clés

  • Electronique haute température et capteurs industriels

  • Optoélectronique UV

  • Electronique aérospatiale et de défense dans des conditions extrêmes

  • Appareils électriques compacts de haute fiabilité pour les marchés de niche

  • R&D et production pilote de dispositifs semi-conducteurs à large bande interdite


FAQ


1.Qu'est-ce qui différencie les substrats SiC 6H du 4H ?


Le SiC 6H présente un polytype hexagonal différent, une mobilité électronique inférieure et des avantages rentables pour les applications spécialisées et à haute température, tandis que le 4H est la norme pour les dispositifs électriques à haute vitesse et à haut rendement.


2.Le SiC 6H peut-il résister à des températures élevées ?


Oui, il maintient la stabilité mécanique et électrique dans des environnements thermiques extrêmes.


3.Les substrats SiC 6H sont-ils personnalisables ?


Oui, le diamètre, l'épaisseur, la finition de surface et la conductivité peuvent être adaptés aux besoins de R&D ou de production.


4. Quelles industries utilisent des substrats SiC 6H ?


Capteurs haute température, LED UV, électronique aérospatiale, automobile et industrielle qui nécessitent des performances robustes dans des conditions extrêmes.