Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance

Solution de semi-conducteurs haute performance pour l'électronique avancée

Le...Substrate de carbure de silicium (SiC) de type 4H-N de 10 × 10 mmest un matériau semi-conducteur haute performance basé sur la technologie SiC de troisième génération.Transport physique de vapeur (PVT)ouDépôt de vapeur chimique à haute température (HTCVD), il offre des propriétés thermiques, électriques et mécaniques exceptionnelles.± 0,05 mmet rugosité de surfaceRa < 0,5 nmIl est idéal pour le prototypage de dispositifs de puissance, de composants RF et de systèmes optoélectroniques.4H-SiCou6H-SiCles polytypes, avec des options de dopage de type N ou de type P, et subissent des inspections de qualité rigoureuses (par exemple, XRD, microscopie optique) pour assurer une fiabilité de niveau semi-conducteur.

Tableau 1: Paramètres clés du substrat SiC de type 10 × 10 mm 4H-N

• Gestion thermique supérieure: avec une conductivité thermique de490 W/m·K(3 fois plus élevé que le silicium), le substrat permet une dissipation de chaleur efficace, réduisant les températures de fonctionnement de l'appareil et améliorant la longévité du système.

• Tolérance à la haute tension: une intensité de champ de rupture de2 ̊4 MV/cmLa vitesse de dérive de saturation d'électrons (2 × 107 cm/s) bénéficie aux conceptions à haute fréquence.

• Robustesse mécanique: dureté de Vickers de28 ∼ 32 GPaet résistance à la flexion >400 MPaoffrent une durée de vie 5×10 fois plus longue que les matériaux classiques.

• Stabilité environnementale: températures de fonctionnement jusqu'à600°Cet un faible coefficient de dilatation thermique (4.0×10−6/K) assurent des performances dans des conditions extrêmes.

Tableau 2: Principaux domaines d'application des substrats SiC de 10 × 10 mm

• Géométrie: formes rondes, rectangulaires ou définies par l'utilisateur.

• Le dopage: de type N ou de type P avec des concentrations1015 à 1019 cm−3.

• Épaisseur: 100 ‰ 500 μm, avec métallisation arrière optionnelle pour une meilleure intégration.

Le substrat SiC de type 10×10 mm 4H-N combine des propriétés de matériaux avancés avec une flexibilité de conception, ce qui en fait un facteur essentiel pour l'électronique de nouvelle génération dans l'automobile, la communication,et les systèmes énergétiquesSa compatibilité avec les applications à haute température, haute fréquence et haute puissance le positionne comme une pierre angulaire de l'innovation des semi-conducteurs.

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