| Nom De Marque: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Délai De Livraison: | 2-4 semaines |
| Conditions De Paiement: | T/T |
4 pouces C-Plane SSP Sapphire Substrate Al2O3 pour les applications LED et optiques
Résumé
Nos substrats de saphir SSP (polissé à une face unique) de 4 pouces sont des plaquettes Al2O3 monocristallines de haute pureté conçues pour des applications de semi-conducteurs, optoélectroniques et optiques avancées.D'une résistance mécanique exceptionnelle, stabilité thermique et transparence optique, ces plaquettes sont idéales pour la croissance épitaxielle de GaN, AlN et d'autres composés III-V ou II-VI utilisés dans les LED, les diodes laser,et composants optiques de haute précision.
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Principales caractéristiques
Saphir monocristallin de haute pureté (Al2O3)
Orientation du plan C (0001) avec une tolérance étroite de ±0,3°
Surface polissée d'un seul côté (SSP), face avant Ra < 0,2 nm
Excellente planéité et faible inclinaison (< 15 μm)
Haute stabilité thermique et chimique dans des environnements difficiles
Axe, diamètre et épaisseur personnalisables
Les spécifications
| Paramètre | Spécification |
|---|---|
| Diamètre | 100 mm ± 0,3 mm (4 pouces) |
| Les orientations | Le niveau d'humidité doit être supérieur ou égal à 0,3°. |
| Épaisseur | 650 μm ± 15 μm |
| Faites une fleur. | < 15 μm |
| Surface avant | Polissage à une face (Ra < 0,2 nm) |
| Surface arrière | Le sol fin (Ra 0,8 ∼ 1,2 μm) |
| TTV (variation totale de l'épaisseur) | ≤ 20 μm |
| LTV (variation de l'épaisseur locale) | ≤ 20 μm |
| La distorsion. | ≤ 20 μm |
| Matériel | > 99,99% d'Al2O3 de haute pureté |
Propriétés mécaniques et thermiques
Dureté de Mohs: 9 (seconde après le diamant)
Conductivité thermique: 25 W/m·K
Point de fusion: 2045°C
Une faible expansion thermique assure une stabilité dimensionnelle
Propriétés optiques et électroniques
Transparence optique: 190 nm 5500 nm
Indice de réfraction: ~ 1.76
Résistance intrinsèque: 1E16 Ω·cm
Excellent isolant à faible perte diélectrique
Applications
Substrate pour GaN, AlN et croissance épitaxielle III-V ou II-VI
Production de LED bleu, vert et blanc
Substrats à diodes laser (LD)
Composants et fenêtres optiques infrarouges (IR)
Optique et microélectronique de haute précision
Appareils SOS (Silicon-on-Sapphire) et RFIC
Pourquoi choisir C-Plane Sapphire?
Le saphir de plan C présente une anisotropie élevée, une excellente résistance aux rayures et une faible perte diélectrique, ce qui le rend idéal pour les applications de semi-conducteurs, d'optique et de microélectronique.Sa structure cristalline permet une croissance épitaxielle de haute qualité avec un décalage de réseau minimal pour les LED à base de GaN et autres appareils à film mince.
Emballage et expédition
Emballage standard pour les salles blanches (classe 100), une seule gaufre ou une cassette
Fermé sous vide pour la livraison sans contamination
Emballage sur mesure disponible sur demande
Questions fréquentes
- Je ne sais pas.Quelle est la différence entre les plaquettes de saphir SSP et DSP?
A: Je suis désolé.Le SSP est poli d'un seul côté, adapté à la croissance épitaxielle du côté poli; le DSP est poli à double face, fournissant des surfaces ultra-plates des deux côtés pour des applications optiques haut de gamme.
- Je ne sais pas.La galette peut-elle être personnalisée?
A: Je suis désolé.Oui, nous acceptons les diamètres, épaisseurs et orientation d'axe personnalisés selon les spécifications du client.
- Je ne sais pas.Quelles sont les applications courantes des plaquettes en saphir de plan C de 4 pouces?
A: Je suis désolé.Ils sont largement utilisés pour les substrats GaN LED, les substrats de diodes laser, les fenêtres IR, les dispositifs SOS et d'autres applications optoélectroniques ou semi-conducteurs de haute précision.
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