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Détails des produits

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Équipement de semi-conducteur
Created with Pixso. Forneau de frittage au SiC ¥ Carbonisation à haute température et solution de liaison uniforme

Forneau de frittage au SiC ¥ Carbonisation à haute température et solution de liaison uniforme

Nom De Marque: ZMSH
MOQ: 1
Délai De Livraison: 2-4 SEMAINES
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shanghai, Chine
Taille de la chambre du four:
Personnalisable par taille de plaquette
Plage de température:
100–1 600 °C (personnalisable)
Précision de la température:
±1 °C
Plage de pression:
0 à 5 MPa
Taux de montée/descente:
1 à 10 °C/min
Niveau de vide:
≤10⁻² Pa
Description de produit

Four à frittage SiC – Carbonisation à haute température et solution de liaison uniforme


Aperçu du produit


Le four de frittage SiC est conçu pour le frittage et la carbonisation à haute température des plaquettes, des graines de SiC, du papier graphite et des plaques de graphite. Lorsqu'il est associé à la machine de liaison par pulvérisation entièrement automatique SiC, il garantit des produits liés en SiC sans bulles, pressés uniformément et de haute précision.

Le four permet de régler la température, la pression et le temps de frittage, garantissant une carbonisation complète de l'adhésif et une liaison chimique stable. Il est idéal pour les environnements à haute température, à haute résistance et corrosifs, offrant un processus de production stable et à haut rendement (>90 %) pour la liaison des graines de SiC, la préparation des plaquettes de semi-conducteurs et la liaison de matériaux de haute précision.


Forneau de frittage au SiC ¥ Carbonisation à haute température et solution de liaison uniforme 0


Technologie de base


  1. Frittage et carbonisation à haute température

    • Les plaquettes liées, les graines de SiC, le papier graphite et les plaques de graphite subissent un traitement à haute température contrôlé.

    • Les couches adhésives sont entièrement carbonisées et durcies, formant une liaison chimique stable.

  2. Pressage uniforme

    • Une pression réglable assure une liaison uniforme sur toute l'interface, empêchant le gauchissement local ou les vides.

    • Les fonctions d'assistance par le vide et de détection des bulles permettent d'obtenir un frittage sans bulles.

  3. Paramètres de processus programmables

    • La température, la pression, les profils de montée/descente en température et le temps de maintien sont entièrement programmables.

    • S'adapte aux différentes caractéristiques des matériaux et aux exigences du processus, garantissant une résistance et une fiabilité de liaison constantes.


Caractéristiques du système


  • Contrôle de la température de haute précision: Température uniforme du four pour des résultats de liaison constants.

  • Système de pression réglable: Assure une compression uniforme de l'interface.

  • Assistance par le vide: Élimine les bulles d'air pour une liaison sans défaut.

  • Contrôle de processus programmable: Cycles automatiques de montée en température, de maintien et de refroidissement, avec plusieurs recettes stockées.

  • Conception modulaire: Entretien facile et évolutivité future.

  • Fonctions de sécurité: Protection contre la surchauffe et la surpression, verrouillages de fonctionnement.

Forneau de frittage au SiC ¥ Carbonisation à haute température et solution de liaison uniforme 1


Spécifications techniques


Paramètre Spécification Remarques
Taille de la chambre du four Personnalisable selon la taille des plaquettes Prend en charge les plaquettes simples ou multiples
Plage de température 100–1600 °C (personnalisable) Convient à différents matériaux de liaison SiC
Précision de la température ±1 °C Assure un frittage uniforme
Plage de pression 0–5 MPa Réglable pour un pressage uniforme
Taux de montée/descente en température 1–10 °C/min Réglable par processus
Niveau de vide ≤10⁻² Pa Élimine les bulles d'air internes, améliore le rendement de liaison
Alimentation électrique 220V / 380V Selon les exigences du client
Temps de cycle 30–180 min Réglable en fonction de l'épaisseur du matériau et du processus


Applications typiques


  • Liaison des graines de SiC: Frittage et carbonisation à haute température pour une liaison solide et uniforme.

  • Préparation des plaquettes de semi-conducteurs: Frittage de plaquettes de SiC monocristallines ou multicristallines.

  • Matériaux résistants aux hautes températures et à la corrosion: Céramiques haute performance et composites à base de graphite.

  • R&D et production pilote: Frittage de matériaux en petits lots et de haute précision.


Principaux avantages


  • Rendement élevé: Lorsqu'il est combiné à la machine de liaison par pulvérisation automatisée, le rendement de liaison dépasse 90 %.

  • Haute stabilité: La température, la pression et le vide réglables garantissent des résultats de frittage constants.

  • Haute fiabilité: Les composants clés répondent aux normes internationales pour un fonctionnement stable à long terme.

  • Évolutif: La conception modulaire permet des plaquettes multiples ou des tailles de plaquettes plus grandes.

  • Fonctionnement convivial: L'interface programmable automatise l'ensemble du cycle de frittage.


FAQ – Questions fréquemment posées


Q1 : Quels matériaux le four de frittage SiC peut-il traiter ?
R1 : Plaquettes, graines de SiC, papier graphite, plaques de graphite et autres matériaux résistants aux hautes températures et à la corrosion.


Q2 : La température et la pression sont-elles réglables ?
R2 : Oui. La température varie de 100–1600 °C et la pression de 0–5 MPa. Les deux sont entièrement réglables en fonction des exigences du matériau et du processus.


Q3 : Comment le frittage sans bulles est-il assuré ?
R3 : Le four intègre l'évacuation assistée par le vide et le pressage uniforme, garantissant une liaison sans bulles et complète.


Q4 : Plusieurs plaquettes peuvent-elles être traitées en même temps ?
R4 : Oui. La chambre peut être personnalisée pour des plaquettes simples ou multiples.


Q5 : Quel est le temps de cycle de frittage typique ?
R5 : Réglable, généralement 30–180 minutes, selon l'épaisseur du matériau et les paramètres du processus.