Substrat de saphir carré ultra-large 310 × 310 × 1 mm pour applications dans les semi-conducteurs et l'aérospatiale

Substrate de saphir carré ultra-grand 310 × 310 × 1 mm pour les applications dans le domaine des semi-conducteurs et de l'aérospatiale

Vue d'ensemble du produit

Le substrat de saphir ultra-grand carré de 310 × 310 × 1 mm représente la limite supérieure de la croissance actuelle des cristaux de saphir synthétique et de la technologie d'usinage de précision sur grande surface.99% d'oxyde d'aluminium monocristallin de haute pureté (Al2O3), cette plaque de saphir offre une planéité exceptionnelle, une stabilité thermique, une résistance chimique et une résistance mécanique sur une vaste surface.

Contrairement aux plaquettes de saphir rondes standard conçues pour la production directe de semi-conducteurs, ce produit est principalement conçu comme un substrat porteur, une plaque de base ou un panneau de saphir de grande surface.Il est largement utilisé dans le traitement épitaxial de GaN, environnements semi-conducteurs à haute température, systèmes optiques avancés et applications aérospatiales où la stabilité dimensionnelle et la durabilité sont essentielles.

Principales applications

• Plaques porteuses de plaquettes de semi-conducteurs

  • L'épitaxie du GaN sur le saphir (MOCVD)

  • Traitement des procédés à haute température

• Fenêtres et fenêtres optiques à grande surface

• fenêtres d'observation aérospatiales et sous vide

• Plaques de base pour les systèmes laser

• Substrats de liaison de précision

• Plateformes de saphir industrielles et de recherche sur mesure

Spécifications techniques

Principaux avantages

Capacité de format ultra-large

Maintient une excellente planéité et une uniformité d'épaisseur à l'échelle de 310 mm, ce qui permet une performance fiable dans les applications de grande surface.

Durabilité mécanique exceptionnelle

Avec une dureté de Mohs de 9, la surface de saphir résiste aux rayures et à l'usure lors de la manipulation et du traitement à haute charge.

Stabilité thermique supérieure

Conçus pour résister à des cycles de température élevée répétés couramment rencontrés dans les MOCVD et autres processus de croissance épitaxielle.

Qualité de surface de qualité optique

Le polissage à double face permet d'obtenir une rugosité de surface inférieure à un nanomètre, ce qui rend la plaque idéale pour les fenêtres optiques et les applications de collage à haute résistance.

Une résistance chimique exceptionnelle

Offre une durabilité nettement supérieure à celle du quartz fondu ou du verre dans des environnements de processus corrosifs et difficiles.

Fabrication et contrôle qualité

• Croissance de boules de saphir à grande échelle

• Découpe de précision et traitement de soulagement des contraintes

• Polissage à double face (DSP)

• Inspection de l'aplatissement par interférométrie sur toute la surface

• Inspection visuelle et dimensionnelle à 100% avant expédition

Questions fréquentes

Q1: Ce produit est-il une gaufre standard en saphir?
Non, ce produit est classé comme un substrat de saphir ultra-grand ou une plaque porteuse, pas une gaufre semi-conducteur standard.

Q2: Pouvez-vous fabriquer des tailles supérieures à 310 mm?
Notre capacité actuelle pour les substrats de saphir carrés varie de 250 mm à 310 mm par côté, selon l'orientation et l'épaisseur.

Q3: Est-il adapté à la croissance épitaxielle du GaN?
Ce substrat saphir est largement utilisé comme plaque porteuse pour les processus épitaxiaux GaN-sur-saphir, en particulier dans les systèmes MOCVD à haut débit.

Q4: Comment la planéité est-elle garantie sur une si grande surface?
Nous utilisons un équipement de polissage à double face grand format et vérifions chaque plaque par interférométrie laser pour assurer une planéité λ/10 à 633 nm.

Q5: Comment le substrat est-il emballé pour l'expédition?
Chaque plaque est emballée dans un emballage sous vide hautement propre et absorbant les chocs, conçu pour éviter tout dommage lors du transport international.