Film diamanté à base de silicium ultra-mince pour la gestion thermique avancée des semi-conducteurs

Ultra-Thin Silicon-Based Diamond Film is an advanced thermal management material fabricated by directly growing polycrystalline diamond on silicon substrates using Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition (MPCVD) technologyAvec une épaisseur de couche de diamant inférieure à 1 μm et une conductivité thermique exceptionnelle, ce matériau fournit une solution efficace de propagation de chaleur à proximité de jonction pour les appareils semi-conducteurs de nouvelle génération.

Contrairement aux matériaux d'interface thermique conventionnels, le film diamanté est intégré directement sur la plaque de silicium.permettant la dissipation de la chaleur à la source avant que l'accumulation thermique n'affecte les performances du dispositifLa technologie est entièrement compatible avec les processus de fabrication de semi-conducteurs existants, permettant une intégration transparente dans les applications RF, électronique de puissance, photonique et d'emballage avancée.

Principales caractéristiques

Conductivité thermique exceptionnelle

Le diamant est le matériau de plus haute conductivité thermique connu aujourd'hui, permettant une propagation latérale rapide de la chaleur et réduisant considérablement la formation de points chauds.

Couche de diamants ultra-mince

L'épaisseur du diamant peut être contrôlée en dessous de 1 μm tout en maintenant une excellente performance thermique et une stabilité structurelle.

Intégration au niveau des plaquettes

Le dépôt direct sur des plaquettes de silicium élimine le besoin de couches d'interface thermique supplémentaires et réduit la résistance thermique.

Compatibilité des procédés des semi-conducteurs

Compatible avec le traitement standard des plaquettes de silicium, facilitant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les lignes de production existantes.

Capacité des plaquettes de grande surface

Disponible sur des substrats en silicium de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces pour supporter diverses exigences de fabrication de semi-conducteurs.

Amélioration de la fiabilité de l'appareil

Des températures de fonctionnement plus basses contribuent à améliorer la stabilité des performances, à prolonger la durée de vie des appareils et à améliorer la densité de puissance.

Spécifications techniques

Avantages par rapport aux diffuseurs de chaleur classiques

Applications

Dispositifs RF

Idéal pour les amplificateurs RF GaN, les appareils à micro-ondes et les systèmes de communication haute fréquence où le chauffage localisé limite les performances.

Semi-conducteurs de puissance

Convient pour les appareils de puissance Si, SiC et GaN nécessitant une dissipation thermique efficace en fonctionnement à haute puissance.

Circuits intégrés photoniques

Améliore la gestion thermique des émetteurs-récepteurs optiques, des lasers, des modulateurs et des composants de la photonique au silicium.

L'IA et l'informatique haute performance

Prend en charge le contrôle thermique dans les processeurs avancés, les accélérateurs et les architectures informatiques à haute densité.

Emballage avancé

Peut être intégré dans l'intégration hétérogène, les architectures chiplet et les solutions avancées d'emballage de semi-conducteurs.

Capacité de fabrication

Notre plateforme MPCVD avancée prend en charge:

• Films de diamants à base de silicium de 4 pouces
• Films de diamants à base de silicium de 6 pouces
• Des films de diamants à base de silicium de 8 pouces
• couches de diamants ultra-minces inférieures à 1 μm
• Spécifications personnalisées des plaquettes
• Capacité de production en volume

Un contrôle strict du processus garantit une excellente uniformité du film, une cohérence des performances thermiques et une fabrication évolutive pour les applications industrielles.

Pourquoi choisir notre film diamanté à base de silicium?

• Épaisseur de diamant inférieure à 1 μm
• Support de plaquette de 4", 6" et 8" de grande surface
• Solution thermique directe au niveau des plaquettes
• Couche de diamant à haute conductivité thermique
• Compatible avec les procédés de semi-conducteurs
• Convient pour les appareils de haute puissance et haute fréquence de nouvelle génération
• Assistance technique personnalisée disponible

Questions fréquentes

1: Quel est le principal avantage du film de diamant à base de silicium ultra-mince?

L'avantage principal est sa capacité à fournir une chaleur proche de la jonction se répandant directement sur la surface de la gaufre,réduire la résistance thermique et améliorer les performances du dispositif avant que la chaleur ne s'accumule à l'intérieur de la puce.

2: Le film diamanté peut-il être intégré dans les lignes de production de semi­conducteurs existantes?

La technologie est conçue pour être compatible avec le traitement conventionnel des plaquettes de silicium et peut être intégrée dans les flux de travail de fabrication de semi-conducteurs existants.

3: Quelles tailles de galettes sont disponibles?

Actuellement, les films de diamants à base de silicium sont disponibles sur des plaquettes de silicium de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces, avec des spécifications personnalisées disponibles sur demande.