Détails des produits

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épaisseur typique 350 µm. Épaisseur personnalisée, polissage SSP/DSP disponible, onduleurs PV et de stockage d'énergie

Nom De Marque:	ZMSH
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shanghai, Chine

Matériau de base:

SIC

Taille:

Adapté aux besoins du client selon le dessin

Épaisseur:

Personnalisé

Forme:

Formes rondes, carrées ou sur mesure

Surface:

Poli ou selon application

Localisation des encoches:

Quantité, taille et position personnalisables

Description de produit

Ce substrat de carbure de silicium 4H de type N de haute pureté (4H-N SiC) est un monocristal fabriqué pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs de puissance nécessitant une tension de claquage élevée, une conductivité thermique élevée, des performances de large bande interdite, une inertie chimique et une faible densité de défauts. Le produit se caractérise par un corps monocristallin circulaire, un contrôle précis de l'épaisseur, une surface polie prête pour l'épitaxie, une orientation cristallographique hors axe contrôlée et un bord de plaquette soigneusement profilé.

Plutôt qu'un simple disque plat, la plaquette intègre plusieurs paramètres matériels précisément contrôlés qui peuvent assurer une croissance épitaxiale cohérente, des performances de dispositif fiables, des caractéristiques électriques uniformes et une gestion thermique stable au sein d'un processus de fabrication de semi-conducteurs. La surface prête pour l'épitaxie offre une base minimisant les défauts pour le dépôt épitaxial ultérieur, tandis que l'orientation hors axe contrôlée peut faciliter la croissance par flux d'étapes et maintenir une qualité cristalline définie sur la zone active du dispositif. épaisseur typique 350 µm. Épaisseur personnalisée, polissage SSP/DSP disponible, onduleurs PV et de stockage d'énergie

La spécification de la plaquette comprend plusieurs paramètres personnalisables et des contrôles de tolérance. Ceux-ci peuvent être conçus pour correspondre aux processus de fabrication de dispositifs correspondants, aux exigences de croissance épitaxiale, aux normes des équipements de lithographie ou aux objectifs de performance de l'application finale. Le diamètre, l'épaisseur, l'angle hors axe, la plage de résistivité, la concentration de dopage, la finition de surface, le profil du bord, la planéité (TTV) et le voile/cintrage peuvent tous être personnalisés selon les spécifications techniques du client.

Cette plaquette 4H-N SiC convient aux MOSFET de puissance, aux diodes à barrière Schottky, aux IGBT, aux transistors bipolaires à jonction et à d'autres dispositifs semi-conducteurs de puissance utilisés dans les onduleurs de traction de véhicules électriques, les convertisseurs d'énergie renouvelable (solaire et éolien), les variateurs de moteurs industriels, les alimentations sans interruption, les systèmes de commutation haute tension et les applications électroniques à haute température où les substrats en silicium conventionnels peuvent rencontrer des limites de tension de claquage, de conductivité thermique ou de fréquence de commutation.

Spécifications Techniques

Article	Spécification
Produit	Substrat / Plaquette 4H-N SiC
Matériau	Monocristal de carbure de silicium 4H de type N
Méthode de croissance	Transport de vapeur physique (PVT)
Structure cristalline	Hexagonal (Polytype 4H-SiC)
Diamètre	4" / 6" / 8" ou personnalisé
Épaisseur	Personnalisé (par exemple, 350 μm – 1000 μm)
Orientation	(0001) Face Si / Face C, angle hors axe personnalisable (typique 4° / 8° vers <11-20>)
Finition de surface	SSP (polie sur une seule face) / DSP (polie sur deux faces) / Rodée / Rectifiée
Qualité de surface	Rayures-Creux selon la norme SEMI (par exemple, 40/20, 20/10)
TTV (Variation totale d'épaisseur)	≤ 5 μm (ou selon les exigences du client)
Voile / Cintrage	Poli : ≤ 0,2 nm / Rodé : ≤ 0,5 μm
Rugosité (Ra)	Poli : ≤ 0,2 nm / Rodé : ≤ 0,5 μm
Type de bord	Biseauté / Arrondi selon les besoins
Longueur de la méplat	Personnalisé (selon la norme SEMI ou le dessin du client)
Profil du bord	Biseauté / Arrondi selon les besoins
Dopant / Pureté	Dopé à l'azote de type N, monocristal de haute pureté
Revêtement	Non revêtu / Revêtement fonctionnel personnalisé disponible sur demande
Application	MOSFET de puissance, SBD, onduleur de traction VE, convertisseur d'énergie renouvelable, alimentation industrielle, électronique à haute température

Pourquoi choisir les substrats 4H-N SiC pour les applications de semi-conducteurs de puissance ?

Les substrats 4H-N SiC sont des matériaux fondamentaux avancés à large bande interdite largement appliqués dans l'épitaxie de semi-conducteurs de puissance, la fabrication de dispositifs électroniques haute tension et les systèmes de traitement de puissance de nouvelle énergie. Servant de support optimal pour la croissance des couches épitaxiales de GaN et de SiC, ils fonctionnent dans des environnements de fabrication extrêmes caractérisés par une tension ultra-élevée, une commutation à haute fréquence, une charge de courant élevée et un fonctionnement à haute température de longue durée.

Comparés aux matériaux de substrats traditionnels en silicium, saphir et céramique courante, les substrats monocristallins 4H-N SiC de haute pureté intègrent des propriétés physiques et électriques complètes supérieures, ce qui les rend irremplaçables pour les processus industriels de semi-conducteurs de puissance haut de gamme et de nouvelle énergie. Les principaux avantages comprennent :

Stabilité à haute température extrême: Arborant un point de fusion allant jusqu'à 2830°C, il maintient une structure cristalline stable et des performances électriques sous épitaxie à haute température de longue durée, recuit et conditions de service du dispositif, évitant efficacement la défaillance du substrat et le emballement thermique des dispositifs de puissance. épaisseur typique 350 µm. Épaisseur personnalisée, polissage SSP/DSP disponible, onduleurs PV et de stockage d'énergie

Tension de claquage ultra-élevée: Présentant un champ électrique de claquage 10 fois supérieur à celui des matériaux en silicium, le 4H-N SiC prend en charge la conception de dispositifs à tension ultra-élevée, réduisant considérablement l'épaisseur de la puce a

nd a

chieving la miniaturisation des modules de haute puissance.

Conductivité thermique supérieure

: Avec une conductivité thermique 3 à 4 fois supérieure à celle du silicium, il dissipe rapidement la chaleur de fonctionnement des dispositifs de puissance, abaissant efficacement la température de jonction et améliorant la stabilité de fonctionnement continu de l'équipement.

Excellentes performances à haute fréquence

: Faible perte de commutation et faible capacité parasite permettent un fonctionnement stable dans des conditions de commutation à haute fréquence, améliorant considérablement l'efficacité de conversion d'énergie pour les équipements de haute puissance.Caractéristiques conductrices stables de type N

: Le dopage uniforme à l'azote fournit une conductivité à faible résistivité constante, assurant une excellente conduction de courant et des performances de mise à la terre pour les dispositifs de puissance verticaux.

Résistance chimique et au plasma supérieure: Il résiste à la corrosion par divers gaz de processus semi-conducteurs et environnements de gravure plasma puissants, maintenant un état de surface ultra-stable pendant l'épitaxie, la gravure et le dépôt de couches minces.

Fiabilité à long terme et résistance aux radiations: Doté d'une excellente stabilité structurelle et d'une capacité anti-radiations, il s'adapte aux conditions de travail difficiles des véhicules à énergie nouvelle, de l'aérospatiale et des équipements industriels de haute puissance, prolongeant la durée de vie des dispositifs.

Pour les raisons ci-dessus, les substrats 4H-N SiC sont devenus le matériau de choix pour les MOSFET de puissance de qualité automobile, les diodes Schottky, les onduleurs photovoltaïques, les modules d'alimentation de stockage d'énergie et d'autres composants semi-conducteurs de puissance à haute efficacité. épaisseur typique 350 µm. Épaisseur personnalisée, polissage SSP/DSP disponible, onduleurs PV et de stockage d'énergie

Fabrication personnalisée de substrats 4H-N SiCNous sommes spécialisés dans la fabrication de substrats 4H-N SiC personnalisés et standardisés pour les équipements de semi-conducteurs de puissance et optoélectroniques, en nous concentrant sur des solutions sur mesure de haute précision pour la production de masse industrielle et la R&D en laboratoire. Nous brisons les limites des spécifications standard fixes et personnalisons les substrats SiC entièrement conformément aux paramètres de processus d'épitaxie réels des clients, aux exigences de fabrication de plaquettes et aux normes de conception des dispositifs.

Les options de personnalisation complètes couvrent les paramètres de substrat de processus complet et les structures de support :

Paramètres de base du substrat 4H-N SiC

Diamètre de la plaquette (2/4/6/8 pouces et tailles personnalisées spéciales)

Épaisseur du substrat

Orientation cristalline (Face Si / Face C, angle hors axe personnalisable 0°–8°)

Plage de résistivité et concentration de dopage à l'azote

Forme du bord et spécifications de biseautage

Conception de positionnement de la méplat/encoche

Indicateurs de rugosité de surface, de planéité, de TTV et de voile/cintrage

Exigences de polissage double face/face unique (SSP/DSP)

Traitement de surface ultra-propre et processus de décharge de contrainte

Composants structurels correspondants

Personnalisation de la taille du support de plaquette

Traitement des trous et des rainures de positionnement

Base métallique correspondante et structure de manchon

Spécifications de l'interface de montage et de fixation

Assemblage intégré du substrat et des pièces auxiliaires

Nous pouvons fournir des composants intégrés finis assemblés avec des substrats 4H-N SiC et des pièces métalliques/céramiques correspondantes pour répondre aux besoins d'installation et d'utilisation directs des clients.

Service de remplacement et d'ingénierie inverse

Pour les substrats 4H-N SiC abandonnés, les plaquettes d'origine difficiles à trouver et les substrats personnalisés non standard pour les équipements de processus semi-conducteurs spéciaux, nous fournissons des services professionnels d'ingénierie inverse et de fabrication de remplacement. Les clients peuvent fournir les informations suivantes pour évaluation et devis :

Numéro de pièce de l'équipement d'origine

Dessins techniques détaillés et spécifications de paramètres

Photos claires du produit et échantillons physiques (neufs/usagés)

Données clés sur les dimensions, les cristaux et les paramètres électriques

Informations sur le modèle d'équipement d'épitaxie et le lot

Scénarios d'application spécifiques et paramètres de l'environnement de processus

Notre équipe d'ingénieurs professionnels effectuera une évaluation complète de la qualité du cristal du substrat, des performances électriques, de la difficulté de traitement et de la faisabilité de fabrication avant le devis formel. Tous les substrats SiC de remplacement personnalisés seront optimisés pour la compatibilité d'épitaxie et le rendement des dispositifs. Les performances de correspondance finales seront confirmées selon la configuration de l'équipement réel des clients et les normes de processus de production pour garantir un effet d'utilisation sans différence.

Contrôle qualité

Nous mettons en œuvre une inspection de qualité de précision sur l'ensemble du processus pour tous les substrats 4H-N SiC, et pouvons fournir des éléments d'inspection ciblés et des rapports de test complets selon les exigences du projet du client et les normes de l'industrie SEMI. Les principaux contenus d'inspection comprennent :

Inspection de précision dimensionnelle complète (diamètre, épaisseur, calibration des tolérances)

Détection de la précision de l'orientation cristalline et de l'angle hors axe

Tests d'uniformité de résistivité et de concentration de dopage

Tests de planéité de surface, TTV, voile/cintrage et rugosité

Inspection des défauts visuels (rayures, creux, fissures, inclusions de polytypes) épaisseur typique 350 µm. Épaisseur personnalisée, polissage SSP/DSP disponible, onduleurs PV et de stockage d'énergie

Détection de la propreté de surface et des contraintes internes

Inspection de précision d'assemblage et de tolérance de correspondance

Inspection d'emballage professionnel anti-collision et anti-poussière des plaquettes

Des rapports d'inspection formels avec des données de test complètes peuvent être fournis pour soutenir la vérification des matériaux entrants par le client et la traçabilité de la qualité de production.

Quelles informations devez-vous envoyer pour un devis ?

Afin d'assurer un devis précis et de raccourcir le cycle de livraison, veuillez fournir les informations détaillées suivantes lors de la consultation :

Dessins techniques complets du produit et feuilles de paramètres

Diamètre de la plaquette, épaisseur et exigences de tolérance

Orientation cristalline, angle hors axe et plage de résistivité

Finition de surface, grade de polissage et exigences de propreté

Paramètres des composants auxiliaires correspondants (le cas échéant)

Marque, modèle de l'équipement d'épitaxie et conditions de processus de support

Numéro de pièce OEM d'origine, si disponible

Quantité requise et demande de lot

Processus d'application spécifique et exigences environnementales extrêmes

Si aucun dessin technique complet n'est disponible, veuillez fournir des photos claires haute définition et des échantillons physiques du substrat SiC pour que notre équipe effectue des tests de paramètres et une évaluation du schéma.

FAQ

À quoi servent principalement les substrats 4H-N SiC ?

Les substrats 4H-N SiC sont des matériaux porteurs à large bande interdite essentiels pour la fabrication de semi-conducteurs de puissance, principalement utilisés dans les MOSFET SiC, les diodes à barrière Schottky, les modules de puissance haute tension, les systèmes de contrôle électrique des véhicules électriques à énergie nouvelle, les onduleurs photovoltaïques et éoliens, les alimentations industrielles à haute fréquence et les dispositifs électroniques à haute température aérospatiaux, adaptés aux processus d'épitaxie et de fabrication de puces à haute tension, haute fréquence et flux thermique élevé.

Pouvez-vous fournir des pièces d'assemblage de substrats SiC intégrées personnalisées ?

Oui. En plus des plaquettes de substrat 4H-N SiC individuelles, nous pouvons personnaliser divers gabarits de plaquettes correspondants, des bases métalliques, des composants de positionnement et des assemblages intégrés finis selon les dessins et les exigences des échantillons, réalisant une fourniture de support unique.

Pouvez-vous produire des substrats SiC de remplacement pour les équipements anciens et spéciaux ?

Oui. Nous prenons en charge la fabrication personnalisée complète, y compris la production basée sur des dessins et l'ingénierie inverse d'échantillons. Les clients peuvent fournir les numéros de pièce d'origine, les paramètres techniques, les échantillons physiques et les informations sur l'équipement, et notre équipe effectuera la correspondance des performances et la fabrication alternative.

Tous les paramètres de base des substrats 4H-N SiC peuvent-ils être personnalisés ?

Oui. Tous les paramètres clés, y compris la taille de la plaquette, l'épaisseur, l'orientation cristalline, l'angle hors axe, la résistivité, le traitement du bord, la rugosité de surface et la planéité, peuvent être entièrement personnalisés selon les exigences du processus d'épitaxie du client pour répondre aux besoins de R&D personnalisés et de production de masse.

Supportez-vous les commandes en petits lots et prototypes ?

Oui. Nous prenons entièrement en charge le développement de prototypes, les tests en petits lots en laboratoire, le remplacement de maintenance d'équipement et les commandes en lots de production de masse. Nous évaluerons le schéma de production et le devis en fonction des paramètres personnalisés et de la difficulté de traitement.

Étiquettes:

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