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August 22, 2024

Catégorie Connexion: Sic substrat

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#sic gaufrette #sic substrat #substrat de carbure de silicium

Dossier: Avec un diamètre de 10 mm et une épaisseur de 5 mm, cette plaque de SiC est idéale pour la haute fréquence,appareils électroniques à haute puissancePersonnalisable et durable, il est parfait pour les applications industrielles et scientifiques.

Caractéristiques Du Produit Connexes:

Haute dureté, jusqu'à 9,2 Mohs, deuxième seulement au diamant.
Excellente conductivité thermique, adapté aux environnements à haute température.
Caractéristiques de large bande passante pour les appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance.
Personnalisable avec des illustrations pour répondre à des exigences spécifiques.
Fabriqué à partir de monocristal de SiC avec une structure cristalline hexagonale (4H SiC).
Faibles concentrations de porteurs et propriétés d'isolation élevées pour les applications haute puissance.
Convient pour les MOSFET, les diodes de puissance, les amplificateurs de puissance RF et les capteurs photoélectriques.
Disponible en qualité prime et en qualité factice avec des spécifications précises.

FAQ:

Quel est le processus de fabrication des lames de coupe en SiC 4H-Semi ?

La fabrication de lames de découpe en carbure de silicium (SiC) à semi-isolation 4H nécessite une série d'étapes de processus complexes, notamment la croissance des cristaux, la découpe, le meulage et le polissage.
Quelles sont les perspectives d'avenir du SiC 4H-SEMI ?

Les perspectives d'avenir du 4H-SEMI SiC semblent prometteuses en raison de ses propriétés uniques et de la demande croissante de matériaux semi-conducteurs haute performance dans diverses industries.
Pour quelles applications les plaquettes SiC 4H-SEMI sont-elles adaptées?

Les plaquettes 4H-SEMI SiC conviennent aux applications d'électronique de puissance, de radiofréquence et de micro-ondes, aux dispositifs optoélectroniques et aux applications à haute température et haute pression en raison de leur haute résistance à la tension et de leur conductivité thermique.

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