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Substrat de carbure de silicium 4H pour l'électronique de puissance, les dispositifs RF et l' optoélectronique UV

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November 20, 2025
Catégorie Connexion: Sic substrat
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#sic gaufrette #sic substrat #substrat de carbure de silicium
Dossier: Dans cette vidéo, nous explorons le substrat en carbure de silicium 4H, mettant en valeur sa structure monocristalline de haute pureté et sa très faible densité de défauts. Regardez comment nous mettons en évidence ses applications dans l'électronique de puissance, les dispositifs RF et l' optoélectronique UV, ainsi que son polissage CMP de précision et ses performances thermiques.
Caractéristiques Du Produit Connexes:
  • Matériau monocristallin 4H-SiC de haute pureté avec une densité de défauts ultra-faible.
  • Polissage CMP de précision pour des surfaces prêtes pour l'épitaxie avec Ra ≤ 0,5 nm.
  • Excellente conductivité thermique (490 W/m*K) et capacité à haute température (jusqu'à 600 °C).
  • Propriétés électriques stables avec une résistivité de 0,01-0,1 Ω*cm.
  • Haute résistance mécanique avec une dureté Vickers de 28-32 GPa.
  • Idéal pour l'électronique de puissance, les dispositifs RF et l'optoélectronique UV.
  • Disponible en tailles, épaisseurs et niveaux de dopage personnalisables.
  • Convient pour la R&D, le prototypage et la production à petite échelle.
FAQ:
  • Quel est le principal avantage du 4H-SiC par rapport au 6H-SiC ?
    Le 4H-SiC offre une mobilité électronique plus élevée, une résistance à l'état passant plus faible et des performances supérieures dans les dispositifs haute puissance et haute fréquence, ce qui en fait le matériau préféré pour les MOSFET et les diodes.
  • Fournissez-vous des substrats en SiC conducteurs ou semi-isolants ?
    Oui, nous proposons du 4H-SiC conducteur de type N pour l'électronique de puissance et du 4H-SiC semi-isolant pour les applications RF, micro-ondes et détecteurs UV, avec des niveaux de dopage personnalisables.
  • Le substrat peut-il être utilisé directement pour l'épitaxie ?
    Oui, nos substrats 4H-SiC prêts pour l'épitaxie présentent des surfaces face-Si polies par CMP avec une faible densité de défauts, adaptés à la croissance épitaxiale MOCVD, CVD et HVPE de couches de GaN, AlN et SiC.
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