Plaquette de carbure de silicium SiC 10x10x0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

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Plaquette de carbure de silicium SiC 10x10x0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

sic crystal

September 09, 2022

Catégorie Connexion: Sic substrat

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Substrat SiC de qualité en provenance de Chine.
http://www.galliumnitridewafer.com/china-10x10x0_5mm_sic_2sp_4h_semi_4h_n_sic_silicon_carbide_wafer-34008278.html
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD, fabricant de qualité en Chine.
Nous pouvons fournir :
Plaquette de nitrure de gallium : http://www.galliumnitridewafer.com/supplier-gallium_nitride_wafer-248923.html
Plaquette de saphir : http://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sapphire_wafer-247991.html
Substrat SiC : http://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sic_substrate-248805.html
Bienvenue sur notre site officiel : http://www.galliumnitridewafer.com

Étiquettes:

#sic gaufrette #sic substrat #substrat de carbure de silicium

Dossier: Découvrez la plaquette de carbure de silicium SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC de 10x10x0,5 mm, conçue pour l'électronique de puissance haute performance. Cette plaquette offre une haute qualité cristalline, de faibles densités de défauts et des options personnalisables pour répondre à vos besoins de fabrication de dispositifs. Idéale pour les marchés du transport, de l'énergie et de l'industrie.

Caractéristiques Du Produit Connexes:

Haute qualité cristalline pour les applications d'électronique de puissance exigeantes.
Faible densité de défauts assurant des performances fiables.
Personnalisable pour répondre aux besoins spécifiques de fabrication du dispositif.
Plaquettes de grand diamètre pour une meilleure économie d'échelle.
Produit à l'aide de techniques de croissance de transport physique de vapeur (PVT) de pointe.
Caractéristiques mécaniques cohérentes pour une compatibilité avec les procédés de fabrication.
Optimise les performances et le coût total de possession des appareils de nouvelle génération.
Disponible en 150 mm pour une efficacité de production accrue.

FAQ:

Quelles sont les principales caractéristiques de la galette 4H-SiC?

La gaufre présente une haute qualité cristalline, une faible densité de défauts et des options personnalisables pour la fabrication de dispositifs, ce qui la rend idéale pour l'électronique de puissance.
Comment est produite la gaufre en SiC?

La gaufre est produite en utilisant des techniques de croissance de transport de vapeur physique (PVT) propriétaires de pointe et des processus de fabrication avancés.
La galette peut-elle être personnalisée pour des besoins spécifiques?

Oui, la plaque peut être personnalisée pour répondre aux exigences de performance et de coût, avec des options pour une faible densité de défaut et des tolérances spécifiques.
Quelles industries bénéficient de cette plaquette ?

Des industries telles que le transport, l'énergie et les marchés industriels bénéficient des capacités de haute performance de la gaufre en électronique de puissance.