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4 épaisseur de la gaufrette 0.5mm de H-N As-Cut Silicon Carbide pour l'électronique de puissance

Détails de produit

Lieu d'origine: La Chine

Nom de marque: zmsh

Numéro de modèle: 6inch

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 1pcs

Prix: by case

Détails d'emballage: par cas adapté aux besoins du client

Délai de livraison: 15days en dedans

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Mettre en évidence:

substrat de carbure de silicium

,

sic substrat

Industrie:
substrat de semi-conducteur
Matériaux:
sic cristal
Application:
5G, matériel de dispositif, MOCVD, l'électronique de puissance
Type:
4H-N, semi, aucun enduit
Couleur:
vert, bleu, blanc
Hardeness:
9,0
Industrie:
substrat de semi-conducteur
Matériaux:
sic cristal
Application:
5G, matériel de dispositif, MOCVD, l'électronique de puissance
Type:
4H-N, semi, aucun enduit
Couleur:
vert, bleu, blanc
Hardeness:
9,0
4 épaisseur de la gaufrette 0.5mm de H-N As-Cut Silicon Carbide pour l'électronique de puissance

6inch sic substrats, sic substrats sic en cristal 2inch 3inch 4inch 6inch 4h de semi-conducteur de bloc sic en cristal de lingots de lingot sic aucune gaufrette enduite

nous pouvons fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) à l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est un matériel de semi-conducteur de prochaine génération, avec les propriétés électriques uniques et les excellentes propriétés thermiques, comparées à la gaufrette de silicium et à la gaufrette de GaAs, sic gaufrette est plus appropriée à l'application de dispositif de puissance à hautes températures et élevée. Sic la gaufrette peut être fournie de diamètre 2 -6inch, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.

application 1.material et advantagement

Applications :

• Dispositif d'épitaxie de GaN
• Dispositif optoélectronique
• Dispositif à haute fréquence
• Dispositif de puissance élevée
• Dispositif à hautes températures
• Diodes électroluminescentes

• Basse disparité de trellis
• Conduction thermique élevée
• Consommation de puissance faible
• Excellentes caractéristiques passagères
• Espace de bande élevé

PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM
Polytype
Monocristal 4H
Monocristal 6H
Paramètres de trellis
a=3.076 Å
a=3.073 Å
c=10.053 Å
c=15.117 Å
Empilement de l'ordre
ABCB
ABCACB
Bande-Gap
eV 3,26
eV 3,03
Densité
3,21 · 103 kg/m3
3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coefficient d'expansion
4-5×10-6/K
4-5×10-6/K
Index de réfraction
aucun = 2,719
aucun = 2,707
Ne = 2,777
Ne = 2,755
Constante diélectrique
9,6
9,66
Conduction thermique
490 W/mK
490 W/mK
Champ électrique de panne
2 – 4 · 108 V/m
2 – 4 · 108 V/m
Vitesse de dérive de saturation
2,0 · 105 m/s
2,0 · 105 m/s
Mobilité des électrons
800 cm2/V·S
400 cm2/V·S
mobilité de trou
115 cm2/V·S
90 cm2/V·S
Dureté de Mohs
~9
2. Describtion matériel de taille
4 épaisseur de la gaufrette 0.5mm de H-N As-Cut Silicon Carbide pour l'électronique de puissance 0
3.productes
4 épaisseur de la gaufrette 0.5mm de H-N As-Cut Silicon Carbide pour l'électronique de puissance 1

4 épaisseur de la gaufrette 0.5mm de H-N As-Cut Silicon Carbide pour l'électronique de puissance 2

FAQ :

Q : Quel est votre MOQ et délai de livraison ?

A : (1) pour l'inventaire, le MOQ est 3pcs. si 5-10pcs il est meilleur dans 10-30days

(2) pour 6inch a adapté des produits aux besoins du client, le MOQ est 10pcs dans 30-50days

Q : Quelle est la manière de l'expédition et du coût ?

A : (1) nous acceptons DHL, Fedex, SME etc.

(2) il est très bien si vous avez votre propre compte exprès, sinon, nous pourrions vous aider à les embarquer et le fret est conforme au règlement réel.

Q : Comment payer ?

A : T/T, 100%

Q : Avez-vous les produits standard ?

A : il n'y a pas de 6inch nos produits standard en stock.

mais comme comme l'épaisseur 2sp des substrats 4inch 0.33mm en ayez en stock

Thanks~~~
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