Aperçu Produits Gaufrette de phosphure d'indium

2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

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2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

Image Grand : 2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	LA CHINE
Nom de marque:	zmkj
Numéro de modèle:	InP-2INCH

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	3pcs
Prix:	by case
Détails d'emballage:	caisse simple de gaufrette
Délai de livraison:	3-4Weeks
Capacité d'approvisionnement:	1000pcs/month

Contact

Description de produit détaillée

Matériaux:	Monocristal d'INP	Industrie:	substrats de semi-conducteur, dispositif,
Couleur:	Noir	Type:	type semi-
Diamètre:	100mm 4inch	Épaisseur:	625um ou 350um
Paquet:	caisse simple de gaufrette
Mettre en évidence:	gaufrette de phosphure d'indium de 50mm , Gaufrette semi isolante de phosphure d'indium , type gaufrette de n d'INP

gaufrette principale factice de type n de phosphure d'indium d'INP de catégorie de 2inch dia50.8mm

gaufrette semi-isolante d'INP de phosphure d'indium 4inch pour la diode laser de LD, gaufrette de semi-conducteur, gaufrette d'INP 3inch, substrats d'INP du monocristal wafer2inch 3inch 4inch pour l'application de LD, gaufrette de semi-conducteur, gaufrette d'INP, gaufrette de monocristal

L'INP présentent

Monocristal d'INP

la croissance (méthode modifiée de Czochralski) est employée pour tirer un simple

cristal par un liquide borique d'oxyde encapsulant à partir d'une graine.

Le dopant (Fe, S, Sn ou Zn) est ajouté au creuset avec le polycrystal. La haute pression est appliquée à l'intérieur de la chambre pour empêcher la décomposition de la société de l'indium Phosphide.he a développé un processus pour rapporter la pureté entièrement stoechiométrique et grande et le bas monocristal d'INP de densité de dislocation.

La technique de tCZ s'améliore sur les mercis de méthode de LEC

à une technologie thermique de cloison en liaison avec un numérique

modélisation des états thermiques de croissance. le tCZ est un rentable

technologie mûre avec la reproductibilité de haute qualité du boule au boule

Spécifications

Le Fe a enduit l'INP

Caractéristiques semi-isolantes d'INP

Note : D'autres caractéristiques peut-être disponibles sur demande

n- et INP de type p

Caractéristiques semi-conductrices d'INP

Méthode de croissance	VGF
Dopant	de type n : S, Sn ET non dopé ; de type p : Zn
Forme de gaufrette	Rond (diamètre : 2", 3", ET 4")
Orientation extérieure	(100) ±0.5°

Orientations de *Other peut-être disponibles sur demande

Dopant	S et Sn (de type n)	Non dopé (de type n)	Zn (de type p)
Concentration en transporteur (cm-3)	(0.8-8) × 1018	× 1015 (de 1-10)	(0.8-8) ×1018
Mobilité (cm2/V.S.)	× 103 (de 1-2.5)	× 103 (de 3-5)	50-100
Densité de lancement gravure à l'eau forte (cm2)	100-5,000	≤ 5000	≤ 500

Diamètre de gaufrette (millimètres)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3
Épaisseur (µm)	350±25	625±25	625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 15	≤ 15
CHAÎNE (µm)	≤ 15	≤ 15	≤ 15
DE (millimètres)	17±1	22±1	32.5±1
DE/SI (millimètres)	7±1	12±1	18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Note : D'autres caractéristiques peut-être disponibles sur demande

Traitement de gaufrette d'INP

Chaque lingot est coupé en gaufrettes qui sont enroulées, poli et surface préparée pour l'épitaxie. Le processus global est détaillé ci-dessous.

Spécifications et identification plates	L'orientation est indiquée sur les gaufrettes par deux appartements (longtemps plats pour l'orientation, le petit appartement pour l'identification). Habituellement la norme d'E.J. (entre l'Europe et le Japon) est employée. La configuration plate alternative (États-Unis) est en grande partie employée pour Ø 4" des gaufrettes.

Orientation du boule	Des gaufrettes précises (100) ou misoriented sont offertes.

Exactitude de l'orientation de DE	En réponse aux besoins de l'industrie optoélectronique, nous gaufrettes d'offres avec l'excellente exactitude du de l'orientation : < 0="">

Profil de bord	Il y a deux Spéc. communes : bord chimique traitant ou traitant mécanique de bord (avec une broyeur de bord).

Polonais	Des gaufrettes sont polies au moyen d'un processus produit-mécanique ayant pour résultat une surface plate et sans dommage. nous fournit les deux (avec l'arrière enroulé et gravé à l'eau-forte) gaufrettes polies polies et du côté simple du côté double.

Préparation de la surface et emballage finaux	Les gaufrettes passent par beaucoup d'étapes chimiques pour éliminer l'oxyde produit pendant le polissage et pour créer une surface propre avec la couche stable et uniforme d'oxyde qui est prête pour la croissance épitaxiale - la surface epiready et celle ramène des oligoéléments à extrêmement - les niveaux bas. Après inspection finale, les gaufrettes sont empaquetées d'une manière dont maintient la propreté extérieure. Les instructions spécifiques pour le retrait d'oxyde sont disponibles pour tous les types de technologies épitaxiales (MOCVD, MBE).

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Paquet et livraison

FAQ :

Q : Quel est votre MOQ et délai de livraison ?

: (1) pour l'inventaire, le MOQ est 5 PCs.

(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10-30 PCs.

(3) pour les produits adaptés aux besoins du client, le délai de livraison dans 10days, taille custiomzed pour 2-3weeks

Produit Tag:

Personne à contacter: Mr. Wang

Téléphone: +8615801942596

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Taille: 2inch 3inch 4inch

Épaisseur: Pour les appareils de traitement des données, les valeurs de référence sont les suivantes:

orientation: Le taux de change

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Matériaux:: Monocristal de GE

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Tolérances de diamètre:: +/--0,1

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Épaisseur:: 0.5 mm

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Le secteur industriel: sous-produits semi-conducteurs, appareil,

Couleur: Blanc

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