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Détails des produits

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Gaufrette de nitrure de gallium
Created with Pixso. Gaufrette Sapphire Template Epi Wafers de nitrure de gallium de 2 pouces

Gaufrette Sapphire Template Epi Wafers de nitrure de gallium de 2 pouces

Nom De Marque: ZMSH
Numéro De Modèle: 2inch GaN-SUR-saphir GaN Template
MOQ: 5pcs
Prix: usd150.00
Délai De Livraison: 1-4week ;
Conditions De Paiement: T/T, Western Union
Informations détaillées
Lieu d'origine:
La Chine
Certification:
rohs
Matériel:
epi-gaufrettes de GaN-SUR-saphir
Substrat:
Saphir
Taille:
2-6inch
Surface:
SSP/DSP
MOQ OEM:
8pcs
Épaisseur:
430um pour 2inch
épaisseur d'epi:
1-5um
Application:
HEMT épitaxial
Adapté aux besoins du client:
OK
Détails d'emballage:
conteneur de gaufrette ou boîte simple de la cassette 25pcs sous la pièce 100cleaning
Capacité d'approvisionnement:
1000PCS/Month
Mettre en évidence:

Gaufrettes d'Epi de calibre

,

Gaufrette d'arséniure de gallium d'Epi

,

Nitrure Sapphire Substrates de gallium

Description de produit

le bleu de GaN-SUR-saphir de 2inch 4inch 6inch a mené les gaufrettes vertes de l'epi-gaufrette PSS de LED

epi-gaufrettes de calibre de 2inch 4inch uGaN/nGaN/pGaN-on-Sapphire

En tant qu'un principaux fabricant et fournisseur des gaufrettes d'epi de GaN (nitrure de gallium), nous offrons 2-6inch GaN sur des gaufrettes d'epi de saphir pour des applications de l'électronique de micro-onde avec une épaisseur de 2 sur pouce des substrats 430um de saphir de C-avion, 4 pouces 520um, 650um et 6 pouces 1000-1300um, la valeur normale d'une couche de tampon de GaN sont 2-4um ; nous pouvons également fournir les structures et les paramètres adaptés aux besoins du client selon les besoins des clients.

GaN sur Sapphire Templates

GaN sur des calibres de saphir sont disponible de diamètre de 2" jusqu'à 6" et se composent d'une couche mince de GaN cristallin développée par HVPE sur un substrat de saphir. calibres Epi-prêts maintenant disponibles

En tant qu'un principaux fabricant et fournisseur des gaufrettes d'epi de GaN (nitrure de gallium), nous offrons 2-6inch GaN sur des gaufrettes d'epi de saphir pour des applications de l'électronique de micro-onde avec une épaisseur de 2 sur pouce des substrats 430um de saphir de C-avion, 4 pouces 520um, 650um et 6 pouces 1000-1300um, la valeur normale d'une couche de tampon de GaN sont 2-4um ; nous pouvons également fournir les structures et les paramètres adaptés aux besoins du client selon les besoins des clients.

Spéc. pour le calibre d'uGaN/nGaN/pGaN-on-Sapphire
Le semi-conducteur de ZMKJ est commis pour produire les matériaux de haute qualité d'uGaN/nGaN/pGaN sur planaire
Substrats de saphir ou PSS avec la taille diverse de gaufrette de 2 pouces à 6inch. La qualité de gaufrette rencontre
Spéc. suivantes :
Articles

Gaufrette Sapphire Template Epi Wafers de nitrure de gallium de 2 pouces 0

Pour plus d'information, visitez svp notre site Web l'autre page ;
envoyez-nous l'email chez eric-wang@galliumnitridewafer.com

ZMSH est un principal fabricant de matériel de semi-conducteur en Chine. ZMSH développe des technologies avancées de cristallogénèse et d'épitaxie, des processus de fabrication, des substrats machinés et des dispositifs de semi-conducteur. Nos technologies permettent une plus haute performance et une fabrication plus peu coûteuse de gaufrette de semi-conducteur.

Vous pouvez obtenir notre service libre de technologie de l'enquête à après le service basé sur nos expériences 10+ de ligne de semi-conducteur.

Étiquettes: 

calibre gan  

substrat gan  

calibre d'aln