type de 2inch 3inch 4inch 6inch N gaufrette de germanium de GE avec bas EPD

type de 2inch 3inch 4inch 6inch N gaufrette de germanium de GE avec bas EPD

Gaufrette de GE

Le germanium est le matériel pour faire des dispositifs de semi-conducteur et des circuits optiques infrarouges. Il joue un rôle important dans le développement de la physique solide et de l'électronique à semi-conducteur. Le germanium a une densité de fonte de 5.32g/cm 3, le germanium peut être classifié comme métal dispersé mince, stabilité chimique de germanium, n'agit pas l'un sur l'autre avec de la vapeur d'air ou d'eau à la température ambiante, mais au ℃ 600~700, du bioxyde de germanium est rapidement produit. Ne travaille pas avec de l'acide chlorhydrique, acide sulfurique dilué. Quand l'acide sulfurique concentré est chauffé, le germanium se dissoudra lentement. Dans l'acide nitrique et l'aqua regia, le germanium est facilement dissous. L'effet de la solution alcaline sur le germanium est très faible, mais l'alcali fondu en air peut faire le germanium se dissoudre rapidement. Le germanium ne fonctionne pas avec le carbone, ainsi il est fondu dans un creuset de graphite et ne sera pas souillé par le carbone. Le germanium a de bonnes propriétés de semi-conducteur, telles que la mobilité des électrons, mobilité de trou et ainsi de suite. Le développement du germanium a toujours le grand potentiel.

Spécifications

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Méthode de croissance

La méthode de croissance de substrat de germanium comporte les étapes suivantes : fournissant un substrat de soutien, le substrat de soutien est un matériel en cristal ; La couche en cristal du premier germanium est développée par la première épitaxie de la température sur la surface du substrat de soutien. La couche en cristal du deuxième germanium est développée par la deuxième épitaxie de la température sur la surface de la couche en cristal du premier germanium, et la première température est inférieure à la deuxième température. Les avantages de la présente invention est de proposer un genre de procédé de la croissance épitaxiale de germanium de basse température, tout d'abord, une couche d'une couche de germanium, germanium de croissance de basse température le taux de croissance qu'épitaxial est bas, caractéristiques bidimensionnelles d'une croissance et relaxation complète, cette couche mince d'une couche de germanium à la basse température a beaucoup de défauts, à effort enclin détendu et l'annihilation de dislocation, plus tard, puis une couche d'une couche épitaxiale de germanium à hautes températures de croissance, de la vitesse de croissance de couche, de la couche de germanium de monocristal avec la masse en cristal élevée et de relaxation complète peuvent être obtenues.