Plaquette de saphir hors axe C vers plan M 20° Al2O3 Diamètre 2"3"4"6"8" Orientation personnalisée

Wafer de saphir hors axe C vers le plan M20°Je vous en prie.2O3 diamètre 2 "/3"/4"/6"/8", orientation personnalisée

Cette gaufre de saphir ultra-haute pureté se démarque de l'axe C vers le M-Plane20°orientation avec 99,999% (5N) de pureté Al2O3, conçu pour une croissance épitaxienne avancée et des applications spécialisées en semi-conducteurs.Disponible en diamètres standard (2" à 8") avec orientations et épaisseurs personnalisables, il offre une précision cristallographique exceptionnelle, une densité de défaut ultra-faible et une stabilité thermique/chimique supérieure.,Il est donc idéal pour les LED haute performance, les diodes laser, l'électronique de puissance et les filtres SAW/BAW.

Caractéristiques essentielles de la gaufre en saphir

Orientation de précision hors coupure:

20° de l'axe C vers le plan M , ce qui réduit les défauts d'assemblage par étapes et améliore l'uniformité de la couche épitaxienne.

Des angles de découpe personnalisés (0,2°-5°) sont disponibles pour des applications spécialisées.

Une pureté extrêmement élevée (5N Al2O3):

99Purification de 0,999% avec des traces d'impuretés (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, assurant des pertes électriques/optiques minimales.

Dimensions et orientations personnalisables:

Diamètres: 2", 3", 4", 6", 8"

Épaisseur: de 100 μm à 1 000 μm (tolérance ± 5 μm).

Orientations alternatives: plan A (1120), plan R (1102) ou coupes mixtes sur demande.

Qualité supérieure de la surface:

Polissage prêt à l'épidémiologie: Ra < 0,5 nm (versant avant) pour un dépôt de film mince sans défaut.

Le polissage à double face (DSP): Ra < 0,3 nm pour les applications optiques.

Propriétés exceptionnelles du matériau:

Stabilité thermique: point de fusion ~ 2,050°C, adapté aux procédés MOCVD/MBE.

Transparence optique: > 85% de transmission (UV à infrarouge moyen: 250 000 nm).

Robustesse mécanique: dureté de 9 Mohs, résistant à l'usure chimique ou abrasive.

Applications deUne gaufre de saphir.

Optoélectronique:

LED/diodes laser à base de GaN: LED bleues/UV, micro-LED et lasers émettant des bords.

Fenêtres laser: composants laser à haute puissance CO2 et excimer.

Électronique de puissance et RF:

HEMT (transistors à haute mobilité électronique): amplificateurs de puissance 5G/6G et systèmes radar.

Filtres SAW/BAW: l'orientation en plan M améliore les performances piézoélectriques.

Industrie et défense:

Fenêtres infrarouges et dômes de missiles: transparence élevée dans des environnements extrêmes.

Capteurs en saphir: couvertures résistantes à la corrosion pour les conditions difficiles.

Les technologies quantiques et de recherche:

Substrats pour les qubits supraconducteurs (informatique quantique).

Optique non linéaire: cristaux SPDC pour les études d'intrication quantique.

Semi-conducteurs et MEMS:

Des plaquettes SOI (Silicon-on-Insulator) pour les circuits intégrés avancés.

Résonateurs MEMS: Stabilité à haute fréquence avec coupures en plan M.

Les spécifications

Questions et réponses

Quatrième question:Pourquoi choisir un20° de l'axe C vers le plan M Pour l'épitaxie?
R1: Je suis désolé.La coupe hors axe M améliore la mobilité des atomes pendant la croissance, réduisant les défauts et améliorant l'uniformité des films GaN pour les appareils à haute puissance.

Q2: Quelle est la différence?Puis-je demander d'autres directions déconnectées (par exemple, axe A)?
R2: Je ne sais pas.Les orientations personnalisées (plan A, plan R ou coupes mixtes) sont disponibles avec une tolérance de ± 0,1°.

Quatrième question: Quel est l'avantage du DSP pour les applications laser?

A3: Je ne sais pas.DSP fournit une rugosité de < 0,3 nm des deux côtés, réduisant les pertes de dispersion pour les optiques laser haute puissance.