Détails des produits

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Substrate à base de carbure de silicium dopant de type N de qualité supérieure de 300 mm de diamètre 4H polytype pour appareils à haute puissance

Nom De Marque:	ZMSH
MOQ:	50
Délai De Livraison:	2-4 SEMAINES
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shanghai, Chine

Polytype:

Type de dopage:

Type N

Diamètre:

300 ± 0,5 mm

Épaisseur:

Vert : 600 ± 100 μm / Transparent : 700 ± 100 μm

Orientation extérieure:

4° vers <11-20> ± 0,5°

Le premier appartement:

Encoche / Rond complet

Profondeur d'encoche:

1 à 1,5 mm

Variation totale de l'épaisseur (TTV):

≤ 10 μm

Densité des microtuyaux (MPD):

≤ 5 pièce/cm²

Mettre en évidence:

Substrat SiC de 300 mm de diamètre

Substrat en carbure de silicium polytype 4H

Plaquette SiC de 12 pouces à dopage de type N

Description de produit

Solution de substrat de carbure de silicium (SiC) de qualité supérieure de 12 pouces (300 mm)

Substrats de carbure de silicium 4H-N de haute qualité (12 pouces/300 mm) pour appareils à haute puissance

Introduction complète du produit

Le substrat en carbure de silicium (SiC) de 12 pouces (300 mm) représente la frontière actuelle de la technologie des semi-conducteurs à large bande (WBG).Au fur et à mesure que l'industrie mondiale passe à une plus grande efficacité et à une plus grande densité d'énergie, cette plateforme cristalline de grand diamètre fournit la base essentielle de la prochaine génération d'électronique de puissance et de systèmes RF.

Principaux avantages stratégiques

Le débit massif:Comparé aux plaquettes conventionnelles de 150 mm (6 pouces) et 200 mm (8 pouces), le format 300 mm offre respectivement plus de 2,2 fois et 1,5 fois la surface utilisable.
Optimisation des coûts:Réduit considérablement le "coût par matériau" en maximisant le nombre de puces produites par cycle de fabrication.
Compatibilité avancée:Entièrement compatible avec les lignes de fabrication de semi-conducteurs modernes et entièrement automatisées de 300 mm (Fabs), améliorant l'efficacité opérationnelle globale.

Offres de catégories de produits

4H SiC de type N de qualité de production:Conçue pour la fabrication de dispositifs électriques commerciaux à haut rendement.
4H SiC de type N de qualité factice:Une solution rentable pour les essais mécaniques, l'étalonnage des équipements et la validation des processus thermiques.
4H SiC semi-isolant (SI) de qualité de production:Conçu spécifiquement pour les applications RF, radar et micro-ondes nécessitant une résistivité extrême.

Caractéristiques détaillées du matériau

Carbure de silicium 4H-N (type conducteur)

Le polytype 4H-N est une structure cristalline hexagonale dopée d'azote connue pour ses propriétés physiques robustes.

Champ électrique à haute décomposition:Permet la conception de dispositifs de haute tension plus minces et plus efficaces.
Conductivité thermique supérieure:Permet aux modules à haute puissance de fonctionner avec des systèmes de refroidissement simplifiés.
Stabilité thermique extrême:Maintient des paramètres électriques stables même dans des environnements difficiles supérieurs à 200 °C.
Faible résistance:Optimisé pour les structures de puissance verticales telles que les MOSFET SiC et les SBD.

Carbure de silicium 4H-SI (type semi-isolant)

Nos substrats SI se caractérisent par une résistivité exceptionnellement élevée et des défauts cristallins minimes.

Excellente isolation électrique:Élimine la conduction parasitaire du substrat.
Intégrité du signal:Idéal pour les applications de micro-ondes à haute fréquence où une faible perte de signal est essentielle.

Processus avancé de croissance et de fabrication de cristaux

Notre processus de fabrication est intégré verticalement pour assurer un contrôle total de la qualité de la matière première à la gaufre finie.

La croissance par sublimation (méthode PVT):Les cristaux de 12 pouces sont cultivés à l'aide de la méthode de transport de vapeur physique (PVT).La poudre de SiC de haute pureté est sublimée à des températures supérieures à 2000 °C sous vide et gradient thermique contrôlés avec précision, se recristallant en un cristal de graines de haute qualité.
Découpe de précision et profilage des bords:Après la croissance, les lingots de cristal sont coupés en plaquettes à l'aide d'une scie à diamants à fils multiples.Le traitement des bords implique une camérisation de précision pour éviter les éclats et améliorer la robustesse mécanique lors de la manutention.
Ingénierie de surface (CMP):En fonction de l'application, nous utilisons le polissage chimique mécanique (CMP) sur la surface de Si. Ce processus permet d'obtenir une surface "Epi-Ready" avec une douceur à l'échelle atomique,éliminer tous les dommages sous-terrestres pour faciliter une croissance épitaxienne de haute qualité.

Spécifications techniques et matrice de tolérance

Nom de l'article	Production du type N	Démon de type N	Production selon le type SI
Polytypes	4 heures	4 heures	4 heures
Type de dopage	L'azote (de type N)	L'azote (de type N)	à haute résistance à la corrosion
Diamètre	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm
Épaisseur (vert/trans)	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm
Orientation de la surface	4.0° vers <11-20>	4.0° vers <11-20>	4.0° vers <11-20>
Précision de l'orientation	± 0,5°	± 0,5°	± 0,5°
Le premier appartement	Encastrement / Ronde complète	Encastrement / Ronde complète	Encastrement / Ronde complète
Profondeur d'encoche	1.0 à 1,5 mm	1.0 à 1,5 mm	1.0 à 1,5 mm
Plateur (TTV)	≤ 10 μm	N/A	≤ 10 μm
Densité des micropipes (MPD)	≤ 5 Ea/cm2	N/A	≤ 5 Ea/cm2
Finition de surface	Prêt à l' épi (CMP)	Le broyage de précision	Prêt à l' épi (CMP)
Traitement des bords	Chamfer arrondi	Pas de Chamfer	Chamfer arrondi
Inspection des fissures	Aucun (3 mm à l'exclusion)	Aucun (3 mm à l'exclusion)	Aucun (3 mm à l'exclusion)

Substrate à base de carbure de silicium dopant de type N de qualité supérieure de 300 mm de diamètre 4H polytype pour appareils à haute puissance 1

Assurance qualité et métrologie

Nous utilisons un protocole d'inspection en plusieurs étapes pour garantir des performances constantes dans votre chaîne de production:

Métrologie optique:Mesure automatique de la géométrie de surface pour TTV, arc et distorsion.
Évaluation cristalline:Inspection de la lumière polarisée pour les inclusions de polytypes et analyse des contraintes.
Scanner des défauts de surface:Lumière de haute intensité et diffusion laser pour détecter les rayures, les trous et les puces.
Caractérisation électrique:Cartographie de résistance sans contact à travers les zones centrales de 8 pouces et de 12 pouces.

Applications de pointe dans le secteur

Véhicules électriques (VE):Critical pour les onduleurs de traction, les piles de charge rapide 800V et les chargeurs embarqués (OBC).
Énergie renouvelable:Invertisseurs photovoltaïques à haut rendement, convertisseurs d'énergie éolienne et systèmes de stockage d'énergie (ESS).
Réseau intelligent:Transmission en courant continu haute tension (HVDC) et moteurs industriels.
Télécommunications:Les stations macro 5G/6G, les amplificateurs de puissance RF et les liaisons par satellite.
Aérospatiale et défense:Des sources d'alimentation de haute fiabilité pour les environnements aérospatiaux extrêmes.

Questions fréquemment posées

Q1: Comment le substrat SiC de 12 pouces améliore-t-il mon ROI?

R: En fournissant une surface beaucoup plus grande, vous pouvez fabriquer beaucoup plus de puces par wafer. Cela réduit les coûts fixes de traitement et de main-d'œuvre par puce,rendre vos produits semi-conducteurs finaux plus compétitifs sur le marché.

Q2: Quel est l'avantage de l'orientation de 4 degrés hors axe?

R: L'orientation de 4° vers le plan <11-20> est optimisée pour une croissance épitaxienne de haute qualité, ce qui aide à prévenir la formation de polytypes indésirables et à réduire les dislocations du plan basal (BPD).

Q3: Pouvez-vous fournir un marquage laser personnalisé pour la traçabilité?

R: Oui, nous offrons un marquage laser sur mesure sur le côté C (face en carbone) selon les normes SEMI ou les exigences spécifiques du client pour assurer la traçabilité complète du lot.

Q4: La qualité "Dummy Grade" est-elle adaptée au recuit à haute température?

R: Oui, la qualité N-type Dummy partage les mêmes propriétés thermiques que la qualité de production, ce qui la rend parfaite pour tester les cycles thermiques, l'étalonnage du four et les systèmes de manutention.

Étiquettes:

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de silicium d'IC

Le fil a vu la machine

Saphir synthétique Rod

Plat de quartz fondu

Pièces de saphir

Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de phosphure d'indium

substrat en céramique

Emballage de laboratoire

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