Carbide de silicium (SiC) Substrate 6 pouces 8 pouces découpe laser Pour la préparation épitaxielle

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May 29, 2024

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Un substrat SiC de qualité en provenance de Chine.
La teneur en sodium est supérieure ou égale à 0,5% en sodium et 0,5% en sodium.
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO., LTD fabricant de qualité en provenance de Chine.
Nous pouvons fournir:
La valeur de l'échantillon est calculée à partir de la valeur de l'échantillon.
La Commission a examiné les informations fournies par les États membres et les a examinées dans le cadre de l'enquête préliminaire.
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étain de silicone.
Bienvenue sur notre site officiel: http://www.galliumnitridewafer.com

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#sic gaufrette #sic substrat #substrat de carbure de silicium

Carbure de silicium (SiC) Substrate 6 pouces 8 pouces gaufre de qualité d'essai pour la découpe laser
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2 pouces 3 pouces 4 pouces SiC Substrate 330um Épaisseur 4H-N Type Grade de production
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Substrate de gaufre épitaxienne SiC Applications industrielles de semi-conducteurs 4H-N
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4° En dehors de l'axe Le substrat SiC de 2 pouces Applications à haute température Wafer épitaxial
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Substrate SiC 4H-N épaisseur 350um utilisé dans les matériaux de semi-conducteurs optoélectroniques
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