Substrat en carbure de silicium (SiC) 6 pouces 8 pouces Découpe laser pour la préparation épitaxiale

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May 28, 2024
Mot Clé: Sic substrat
Vidéo description:
Découvrez le substrat avancé en carbure de silicium (SiC) de 6 et 8 pouces, conçu pour la découpe laser et la préparation épitaxiale. Les plaquettes haute performance de Coherent améliorent l'efficacité des dispositifs, réduisent les coûts et soutiennent la R&D jusqu'à la production de masse. Les options personnalisables incluent des couches épitaxiales épaisses, un dopage sur mesure et des structures complexes pour une fonctionnalité optimale.