Substrat en carbure de silicium (SiC) 6 pouces 8 pouces Découpe laser pour la préparation épitaxiale

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Substrat en carbure de silicium (SiC) 6 pouces 8 pouces Découpe laser pour la préparation épitaxiale

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May 29, 2024

Catégorie Connexion: Sic substrat

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Substrat SiC de qualité en provenance de Chine.
https://www.galliumnitridewafer.com/china-silicon_carbide_sic_substrate_6_inch_8_inch_laser_cutting_for_epitaxial_preparation-44264456.html
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD, fabricant de qualité en Chine.
Nous pouvons fournir :
Plaquette de nitrure de gallium : https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-gallium_nitride_wafer-248923.html
Plaquette de saphir : https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sapphire_wafer-247991.html
Substrat SiC : https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sic_substrate-248805.html
Bienvenue sur notre site officiel : http://www.galliumnitridewafer.com

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Dossier: Découvrez le substrat avancé en carbure de silicium (SiC) de 6 et 8 pouces, conçu pour la découpe laser et la préparation épitaxiale. Les plaquettes haute performance de Coherent améliorent l'efficacité des dispositifs, réduisent les coûts et soutiennent la R&D jusqu'à la production de masse. Les options personnalisables incluent des couches épitaxiales épaisses, un dopage sur mesure et des structures complexes pour une fonctionnalité optimale.

Caractéristiques Du Produit Connexes:

Substrat en carbure de silicium (SiC) disponible en tailles de 6 pouces et 8 pouces pour la découpe laser et la préparation épitaxiale.
Haute conductivité thermique (4,9 W/mK) et excellente isolation électrique pour des performances supérieures.
Tension de claquage de 5,5 MV/cm et résistance à la traction >400 MPa pour la durabilité.
Les options personnalisables incluent des épicouches épaisses, des couches tampons et des niveaux de dopage adaptés.
La rugosité de surface Ra<0,5 nm garantit la précision pour les applications haute performance.
Prend en charge des structures complexes telles que des configurations multicouches, des jonctions p-n et des couches intégrées.
Emballé dans des matériaux antistatiques et des contenants rigides pour une protection maximale pendant le transport.
Quantité minimale de commande de 10pc avec une capacité d'approvisionnement de 1000pc/mois.

FAQ:

Quelles sont les principales applications des substrats en carbure de silicium (SiC) ?

Les substrats en carbure de silicium (SiC) sont essentiels dans l'électronique de puissance et l'optoélectronique, améliorant les performances des dispositifs grâce à des couches épitaxiales de haute qualité. Ils sont idéaux pour la production à grande échelle en raison de leurs propriétés thermiques et électriques supérieures.
Comment les substrats SiC sont-ils emballés pour l'expédition ?

Chaque substrat est enveloppé individuellement dans un matériau antistatique, placé dans un récipient rigide sur mesure et rembourré avec de la mousse ou du papier bulle.Des mesures supplémentaires comme des paquets de gel de silice contrôlent l'humidité pour assurer une condition optimale à l'arrivée..
Quelles sont les options de personnalisation disponibles pour les substrats SiC ?

La personnalisation comprend des épilateurs épais, des couches tampons, des niveaux de dopage sur mesure et des structures complexes telles que des configurations multicouches et des jonctions p-n.Les substrats sont également disponibles en 6 pouces et 8 pouces pour répondre à des exigences spécifiques.

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