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Équipement de technologie laser à microjet pour trancher des plaquettes métalliques en carbure de silicium
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SIC Tubes en carbure de silicium en céramique Tubes sur mesure Résistantes au feu Industrie chimique électronique à haute résistance
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Diamètre 200mm Sapphire Wafer synthétique BF33 pour le plaque-support de semi-conducteur de GaAs
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2 " 3 " FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Couche d'oxydation sèche et humide 100nm 300nm
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Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G
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Carbure de silicium (SiC) Substrate 6 pouces 8 pouces gaufre de qualité d'essai pour la découpe laser
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SiC Carbure de silicium plateaux céramiques détenteur de gaufre ICP Processus de gravure pour le traitement de la croissance épitaxienne
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4'' 5' SiO2 Single Crystal IC Chips Méthode CZ 500um 1mm Couche d'oxydation 500nm 2μM
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Forneau de recuit rapide à double cavité semi-conducteur automatique compatible avec les équipements de traitement thermique des plaquettes de 6 pouces 8 pouces 12 pouces 200-1300 °C
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Équipement laser à micro-jet pour l'arrondi des gaufres en carbure de silicium et le découpage des gaufres à base de silicium
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Calibre de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sur la gaufrette d'AlN-Sur-saphir d'EPI-gaufrette de saphir
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gaufrette de calibre de GaN AlN de nitrure de gallium de 2inch 4Inch sur le saphir, substrats de SI