Gaufrette de GaN de nitrure de gallium de HVPE, position libre de puce de Gan taille de 10 x 10 millimètres

 La demande croissante en capacités de puissance-manipulation ultra-rapides, à hautes températures et élevées fait repenser l'industrie de semi-conducteur de madethe le choix des matières employées comme semi-conducteurs. Par exemple,                      

pendant que les divers dispositifs de calcul plus rapides et plus petits surgissent, l'utilisation du silicium le rend difficile de soutenir la loi de Moore. Mais également gaufrette en électronique de puissance, ainsi de semi-conducteur de GaN est développé pour le besoin.              

 Dû à sa tension claque unique de caractéristiques (haut actuel maximum, haut, et haute fréquence de changement), nitrure GaN de gallium est le matériel unique du choix pour résoudre des problèmes de l'avenir.   GaN a basé des systèmes ont l'efficacité de puissance plus élevée, les pertes de puissance de ce fait de réduction, commutent à une plus haute fréquence, de ce fait réduisant la taille et le poids.    

   La technologie de GaN est employée dans de nombreuses applications de haute puissance telles que les alimentations industrielles, du consommateur et de serveur d'énergie, la commande solaire, à C.A. et les inverseurs d'UPS, et les voitures hybrides et électriques. En outre,                       

GaN approprié idéalement aux applications de rf telles que les stations de base, les radars et TV par câble cellulaires                             

infrastructure dans la mise en réseau, secteurs d'espace et de défense, grâce à sa haute résistance de panne, figure à faible bruit et linéarités élevées.