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Gaufrette cristallisée de nitrure de gallium de HVPE GaN pour le dispositif de laser

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Gaufrette cristallisée de nitrure de gallium de HVPE GaN pour le dispositif de laser

Crystallized HVPE GaN  Gallium Nitride Wafer For Laser Device
Crystallized HVPE GaN  Gallium Nitride Wafer For Laser Device

Image Grand :  Gaufrette cristallisée de nitrure de gallium de HVPE GaN pour le dispositif de laser

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: zmkj
Numéro de modèle: GaN-2INCH
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1PC
Prix: by case
Détails d'emballage: caisse simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Délai de livraison: 2-4weeks
Conditions de paiement: L/C, T/T
Description de produit détaillée
Matériel: Monocristal de GaN Méthode: HVPE
Taille: 2inch Épaisseur: 330um
Industrie: LD, mené, dispositif de laser, détecteur, Couleur: Blanc
Paquet: paquet simple de caisse de cassette de gaufrette par état de vide
Mettre en évidence:

Gaufrette de nitrure de gallium de HVPE

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Gaufrette de nitrure de gallium de GaN

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Gaufrette gan de HVPE

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  1. III-nitrure (GaN, AlN, auberge)

La largeur de bande interdite (luminescente et absorption) couvrent la lumière et l'infrarouge ultra-violets et visibles.

Gaufrette cristallisée de nitrure de gallium de HVPE GaN pour le dispositif de laser 0Gaufrette cristallisée de nitrure de gallium de HVPE GaN pour le dispositif de laser 1

GaN peut être employé dans beaucoup de secteurs tels que l'affichage à LED, la détection de grande énergie et la représentation,

Affichage de projection de laser, dispositif de puissance, etc.

Gaufrette cristallisée de nitrure de gallium de HVPE GaN pour le dispositif de laser 2

Caractéristiques :

Article GAN-FS-n
Dimensions ± 1mm de Ф 50.8mm
Marco Defect Density Un niveau ≤ 2 cm2
Niveau de B > 2 cm2
Épaisseur 300 µm du ± 25
Orientation ± 0.5° du C-axe (0001)
Appartement d'orientation ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1.0mm
Appartement secondaire d'orientation ± 3°, 8,0 ± 1.0mm (de 11-20)
TTV (variation totale d'épaisseur) µm ≤15
ARC µm ≤20
Type de conduction de type n
Résistivité (300K) < 0="">
Densité de dislocation Moins que cm2 5x106
Superficie utilisable > 90%
Polonais

Front Surface : Ra < 0="">

Surface arrière : La terre fine

Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote.

2. Notre vision d'entreprise

nous fournirons le substrat de haute qualité de GaN et la technologie d'application pour l'industrie.

GaNmaterial de haute qualité est le facteur retenant pour l'application d'III-nitrures, par exemple la longue durée et le LDs de forte stabilité, la puissance élevée et les dispositifs élevés à micro-ondes de fiabilité, l'intense luminosité et le rendement élevé, LED économiseuse d'énergie.

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- FAQ –
Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, le TNT, l'UPS, le SME, le SF et etc.
(2) si vous avez votre propre nombre exprès, il est grand.
Sinon, nous pourrions vous aider pour livrer. Freight=USD25.0 (le premier poids) + USD12.0/kg

Q : Quel est le délai de livraison ?
(1) pour les produits standard tels que la gaufrette de 2inch 0.33mm.
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou 3 semaines de travail après ordre.

Q : Comment payer ?
100%T/T, Paypal, union occidentale, MoneyGram, paiement sûr et assurance commerciale.

Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 1pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 5pcs-10pcs.
Il dépend de la quantité et des techniques.

Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir le rapport de ROHS et atteindre des rapports pour nos produits.

Coordonnées
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Personne à contacter: Mr. Wang

Téléphone: +8615801942596

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