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Votre quête  [ silicon carbide substrate ]  correspondance 201 PRODUITS

Plaquettes épitaxiées en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces 4H-N, qualité production

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Plaque de support revêtue de SiC de haute pureté pour la manutention et le transfert des gaufres

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Plaquette épitaxiale SiC 4 pouces 4H-N Diamètre 100mm Épaisseur 350μm Qualité Prime

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3 pouces / 4 pouces / 6 pouces / 8 pouces Lithium Niobate Wafers à film mince LNOI avec perte optique < 0,05 DB / cm

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Wafer de graines de SiC 6 pouces 8 pouces 4H-N Type Grade de production Grade factice Pour la croissance de la wafer de SiC

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​​Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm​​

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Plaque d'appui SiC résistante aux températures élevées/plaque de support pour support de plaques

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Traitement à haute vitesse et haute précision par câble diamanté, câble multi-câble, matériel fragile dur, équipement de semi-conducteurs

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