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Wafer de saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 99,99% Pur

Détails de produit

Place of Origin: China

Nom de marque: zmsh

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La plaque de saphir est de 6'

,

Plaquettes en saphir de 1000um

Material:
>99.99% Sapphire
Orientation:
C-Plane(0001)
Diamater:
150±0.2mm
Thickness:
1000±10um
Warp:
≤20um
BOW:
-15um≤BOW≤0
TTV:
< 10 um
Polished:
SSP Or DSP
Material:
>99.99% Sapphire
Orientation:
C-Plane(0001)
Diamater:
150±0.2mm
Thickness:
1000±10um
Warp:
≤20um
BOW:
-15um≤BOW≤0
TTV:
< 10 um
Polished:
SSP Or DSP
Wafer de saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 99,99% Pur

Wafer de saphir de 6 pouces de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 99,99% pur

 

Nos plaquettes en saphir de 6 pouces de diamètre sont des substrats Al2O3 à cristal unique conçus avec précision pour des applications de semi-conducteurs exigeantes.1 mm et épaisseur standard de 1000±15 μm, ces plaquettes orientées vers le plan C (0001) offrent des performances exceptionnelles pour:

  • Production de LED et de dispositifs de puissance à base de GaN
  • Composants RF à haute fréquence
  • Systèmes optiques avancés

 

Wafer de saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 99,99% Pur 0

 


 

 

Les spécifications

 

Paramètre

Spécification

Diamètre 150.0 ± 0,1 mm
Épaisseur 1000 ± 10 μm
Les orientations (0001) ±0,15°
TTV < 10 μm
La distorsion. ≤ 20 μm
Faites une fleur. -15um≤BOW≤0
La distorsion. < 10 μm

 


 

Applications

 

Optoélectronique

  • Écrans à micro-LED
  • Appareils de stérilisation UV
  • Éclairage à haute luminosité

 

Électronique de puissance

  • GaN HEMT pour la 5G/6G
  • Modules de puissance électriques
  • Systèmes radar

 

Les technologies émergentes

  • Dispositifs à points quantiques
  • Résonnateurs MEMS
  • Capteurs photoniques

 

 

Wafer de saphir 6' de diamètre 150 mm ± 0,1 mm Épaisseur 1000um C-plan 99,99% Pur 1

 


 

Principales caractéristiquesUne gaufre de saphir.

 

1. Des performances thermiques supérieures

  • Conductivité thermique élevée: 35 W/m·K @ 25°C
  • TEC faible: 5,3×10−6/K (25-500°C)
  • Résistant aux chocs thermiques: résiste à ΔT > 500°C

 

2Excellence optique

  • Transmission à haut débit: 85%@250nm → 92%@450nm → 90%@4000nm
  • Bifringence minimale: < 3 nm/cm @ 633 nm
  • Pour le polissage au laser: PV <λ/4 @633nm

 

 

3Robustesse mécanique

  • Dureté extrême: 2000 HV (Mohs 9)
  • Résistance à la flexion élevée: 700±50 MPa
  • Module de Young: 400 GPa

 

4. Avantages de fabrication

  • Contrôle du diamètre: 150,0 ± 0,1 mm (compatible avec les outils de 6 pouces)
  • Options d'épaisseur: 430 à 1000 μm disponibles
  • Profilage des bords: encoché ou marqué au laser selon les normes SEMI

 


 

Questions fréquemment posées

 

Q: 1. Comment doit- on manipuler et stocker les plaquettes?

  1. Utilisez toujours la salle blanche (classe 1000 ou supérieure)
  2. Manipulation à l'aide de baguettes sous vide ou d'outils PEEK
  3. Conserver dans des cassettes à l'azote
  4. Évitez l'exposition aux UV

 

Q: 2 Informations sur les commandes

Configurations standard

  • Pour les véhicules à moteur:
  • Épaisseur: 1000 μm
  • L'orientation: plan C (0001)
  • Plate primaire: 32,5 mm