Wafer de saphir 8' de diamètre 200 mm ± 0,2 mm Épaisseur 725 Um C-plan 99,99% Pur

Wafer en saphir de 8 pouces de diamètre 200 mm (± 0,2 mm), épaisseur 725 μm, plan C, 99,99% de pureté

Cette plaque de saphir de haute pureté de 8 pouces (200 mm) présente une précision dimensionnelle exceptionnelle (diamètre ± 0,2 mm, épaisseur 725 μm) et une orientation cristallographique (plan C),ce qui le rend idéal pour des applications optoélectroniques et semi-conducteurs exigeantesAvec une pureté de 99,99% et une stabilité mécanique/thermique supérieure, la plaque sert de substrat optimal pour la fabrication de LED, de diodes laser et de dispositifs RF.Sa finition de surface uniforme et son inerté chimique assurent sa fiabilité dans des environnements difficiles, tandis que son grand diamètre permet une production de masse rentable.

Caractéristiques essentielles des plaquettes de saphir

Géométrie de précision:

• Diamètre: 200 mm ± 0,2 mm, assurant la compatibilité avec les outils semi-conducteurs standard.
• Épaisseur: 725 μm ± 25 μm, optimisée pour la résistance mécanique et la stabilité du processus.

Excellence cristallographique:

• L'orientation C-plan (0001) est préférée pour la croissance épitaxielle du GaN dans les appareils LED/HEMT.
• Faible densité de dislocation (< 1 000 cm-2) pour une intégration de dispositifs de haute performance.

Une pureté extrêmement élevée:

• > 99,99% (4N) de pureté, minimisant les impuretés qui affectent les performances optiques/électriques.

Propriétés matérielles robustes:

• Dureté: 9 Mohs, résistant aux rayures pour une durabilité de manipulation.
• Stabilité thermique: point de fusion ~ 2,050°C, adapté aux procédés à haute température.
• Transparence optique: 85%+ dans les spectres visibles à proche IR (350 nm ∼4 500 nm).

Qualité de la surface:

• Polissage prêt à l'épitaxie: Ra < 0,3 nm pour un dépôt de film mince sans défaut.
• Le polissage à double face est facultatif sur demande.

Applications des plaquettes de saphir

Optoélectronique:

Substrate pour les LED bleu/vert/blanc (épitaxie InGaN/GaN).

Diodes laser (émetteurs de bord/VCSEL) dans les écrans et les communications.

électronique de puissance:

Appareils RF (5G/6G antennes, amplificateurs de puissance) en raison de la faible perte diélectrique.

Transistors à haute mobilité électronique (HEMT) pour véhicules électriques.

Industrie et défense:

fenêtres IR, dômes de missiles (transparence du saphir à mi-IR).

Couvercles de protection pour les capteurs dans des environnements corrosifs ou abrasifs.

Les technologies émergentes:

"Software" destiné à être utilisé pour la fabrication ou la fabrication d'appareils électroniques ou d'appareils électroniques.

Écrans de dispositifs portables (couvertures résistantes aux rayures).

Les spécifications

Questions et réponses

Q1: Pourquoi choisir le saphir de plan C pour l'épitaxie du GaN?
R1: Je suis désolé.La symétrie hexagonale du plan C correspond à la structure cristalline de GaN, réduisant le déséquilibre du réseau et permettant une croissance épitaxielle de haute qualité pour les LED et les appareils électriques.

Q2: En quoi l'épaisseur (725 μm) a-t-elle une incidence sur les performances des plaquettes?
R2: Je ne sais pas.725 μm équilibre la stabilité mécanique (réduction de la rupture lors de la manipulation) avec la conductivité thermique, essentielle pour une dissipation de chaleur uniforme dans les processus MOCVD.

Q3: Cette plaque peut-elle être utilisée pour des applications laser à haute puissance?
A3: Je ne sais pas.Oui, sa haute conductivité thermique et sa transparence aux longueurs d'onde UV-NIR le rendent adapté aux diodes laser et aux fenêtres optiques.

Quatrième question:Des orientations personnalisées (par exemple, plan R) sont-elles disponibles?

A5: le nombre de pointsLes plaquettes A, R et M peuvent être personnalisées pour des applications spécialisées comme les appareils SAW.